Smlouva o využití výsledků dosažených v projektu výzkumu a vývoje č. TH03020005 s názvem
Smlouva o využití výsledků dosažených v projektu výzkumu a vývoje č. TH03020005 s názvem
„Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu“
kterou dle ustanovení § 1746 zákona č. 89/2012 Sb., občanského zákoníku, ve znění pozdějších předpisů, a v souladu s příslušnými ustanoveními zákona č. 130/2002 Sb., o podpoře výzkumu, experimentálního vývoje a inovací z veřejných prostředků a o změně některých souvisejících zákonů (zákon o podpoře výzkumu a vývoje), ve znění pozdějších předpisů (dále jen „Smlouva“), uzavírají níže uvedeného dne, měsíce a roku tyto:
Článek 1.
Smluvní strany
1.1. ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Sídlo: Rožnov pod Radhoštěm, 756 61, 1. máje 2230
v obchodním rejstříku vedeném Krajským soudem v Ostravě zapsaná v oddílu C, vložka 27652
Bankovní spojení: Komerční banka, a.s. Číslo účtu: 13107851/0100
Statutární orgán: xxx. Xxxxx Xxxxxx, jednatel
Xxxxx a příjmení řešitele: XXXXXXXXX
na straně jedné a dále v textu jako „příjemce“ nebo „ONCR“.
1.2. Masarykova univerzita
Sídlo: Brno, 601 77, Žerotínovo nám. 9
IČ: 00216224 DIČ: CZ00216224
VVS - Veřejná nebo státní vysoká škola (zákon č. 111/1998 Sb., o vysokých školách a o změně a doplnění dalších zákonů), nezapisuje se do OR
Bankovní spojení: Komerční banka Číslo účtu: 85636621/0100
Statutární orgán: xxxx. XXXx. Xxxxxx Xxxxx, Ph.D., rektor
Xxxxx a příjmení dalšího řešitele: XXXXXXXXX
na straně druhé a dále v textu jako „další účastník projektu“ nebo „MU“.
1.3. Vysoké učení technické v Brně Sídlo: Brno, 601 90, Antonínská 548/1 IČ: 00216305
DIČ: CZ00216305
VVS - Veřejná nebo státní vysoká škola (zákon č. 111/1998 Sb., o vysokých školách a o změně a doplnění dalších zákonů), nezapisuje se do OR
Bankovní spojení: Komerční banka Číslo účtu: 107-2917830267/0100
Statutární orgán: prof. RNDr. Xxx. Xxxx Xxxxxxxx, XXx., rektor Xxxxx a příjmení dalšího řešitele: XXXXXXXXX
na straně druhé a dále v textu jako „další účastník projektu“ nebo „VUT“.
Článek 2.
Předmět Smlouvy
2.1 Předmětem této Smlouvy je úprava užívacích a vlastnických práv k výsledkům dosaženým řešením projektu č. TH03020005, s názvem „Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu“ (dále jen "projekt"), řešeného s podporou Technologické agentury České republiky, a jejich využití po ukončení řešení projektu.
2.2 Účelem této Smlouvy je uplatnění či využití výsledků prokazující účelnost poskytnuté dotace na podporu projektu z veřejných prostředků.
Článek 3.
Vymezení dosažených výsledků a jejich srovnání s cíli projektu
3.1 Řešením projektu bylo dosaženo skupiny evidovaných výsledků shrnutých v níže uvedené tabulce. Uváděný seznam výsledků je plně převzat ze systému ISTA; identifikační číslo výsledkům přidělila Technologická agentura České republiky; uvádíme dále název výsledku, jeho druh a období jeho dosažení. Pod každým výsledkem je uveden komentář v souladu s údaji ze závěrečné zprávy, která bude předmětem oponentury ze strany poskytovatele.
Identifikační číslo | Název | Druh výstupu/výsledku | Období |
TH03020005-V4 | Krystal karbidu křemíku | Gfunk - Funkční vzorek | Rok 2018 |
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (min. epitaxní růst)¨ Hlavním vlastníkem výsledku je ON SEMICONDUCTOR a společnost také zajistí jeho uplatnění ve vlastní výrobě. Další uchazeči mohou mít přístup k dílčím datům výsledku s možností odborných publikací (po společném schválení z důvodu ochrany IP). Výsledek (SiC krystal) mohou také využít pro svoje VaV účely, např. jako vhodný substrát pro specifické vrstevnaté struktury. | |||
TH03020005-V5 | Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku | Ztech - Ověřená technologie | Rok 2019 |
Výsledek byl dosažen s interním identifikačním číslem CPR 02627. Byly instalovány 2 reaktory pro PVT (Physical Vapour Transport) růst SiC krystalů průměru 150 mm (resp. s vyšším průměrem pro výrobu SiC leštěných desek průměru 150 mm). Součástí ověřené technologie, resp. poloprovozu, protože pro danou technologii byla nezbytná akvizice odpovídajícího technologického zařízení) je také drátová pila (pro ořezání krystalu, případně řezání vzorků desek, nebo přípravu specifických řezů krystalem pro vývojové účely); KOH leptací pec (leptání SiC vzorků v tavenině KOH pro zviditelňování defektů v krystalu) a multidrátová pila pro řezání desek z krystalu pro výrobu vlastních zárodečných desek SiC. Vlastníkem výsledku je ON SEMICONDUCTOR a společnost také v plné míře zajistí komerční aplikaci. Další uchazeči mohou mít přístup k datům charakterizace výsledků, vzorkům pro analýzy a testy, případně pro účely vlastních experimentů (substráty) a po společném souhlasu (zhodnocení ochrany IP) mohou také publikovat dosažené výsledky. | |||
TH03020005-V6 | Polovodičový substrát karbidu křemíku | Gfunk - Funkční vzorek | Rok 2020 |
Polovodičový substrát karbidu křemíku (SiC). Vlastníkem výsledku je ON SEMICONDUCTOR a společnost také v plné míře zajistí komerční aplikaci. Další uchazeči budou mít přístup k datům charakterizace výsledků, vzorkům, v různé fázi rozpracovanosti pro analýzy a testy a po společném souhlasu (zhodnocení ochrany IP) mohou také publikovat dosažené výsledky. Podíl dalších uchazečů na výsledku pak odpovídá vlastnictví vyvinutých metod charakterizace polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu. Další uchazeči mohou mít přístup k případným leštěným substrátům karbidu křemíku pro svoje VaV aktivity | |||
TH03020005-V7 | Technologie výroby substrátů karbidu křemíku | Ztech - Ověřená technologie | Rok 2020 |
Identifikační číslo | Název | Druh výstupu/výsledku | Období |
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku: rozčlenění krystalu (řezání), úprava povrchů desek (lapování, broušení, leštění, leptání, mytí) a metody měření parametrů substrátu (geometrických parametrů desky, kvality povrchu, elektrického měrného odporu, ověření akceptovatelné koncentrace defektů). Vlastníkem výsledku je ON SEMICONDUCTOR a společnost také v plné míře zajistí komerční aplikaci. Další uchazeči mohou mít přístup k datům charakterizace výsledků, vzorkům v různé fázi rozpracovanosti pro analýzy a testy a po společném souhlasu (zhodnocení ochrany IP) mohou také publikovat dosažené výsledky. Další uchazeči mohou mít přístup k případným leštěným substrátům karbidu křemíku pro svoje VaV aktivity. | |||
TH03020005-V8 | Analýzy povrchů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu a kvantitativní analýza dopantů | O - Ostatní výsledky | Rok 2020 |
Metody analýzu povrchů a dopantů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu vyvinuté na bázi SIMS, AFM, elipsometrie a XPS budou vlastníkem komerčně využívány při následné výrobě čipů v ON SEMICONDUCTOR formou smluvního výzkumu – nabídky expertních služeb, viz článek 5 odst. 5. Předpokládá se komerční využití i jinými společnostmi polovodičového průmyslu. Vlastníkem výsledku je VUT. | |||
TH03020005-V9 | Metody měření polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu na bázi UV-VIS-NIR-MIR Spektroskopie, RAMAN, RTG | O - Ostatní výsledky | Rok 2020 |
Metody měření polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu vyvinuté na bázi UV-VIS-NIR-MIR Spektroskopie, RAMAN a RTG budou vlastníkem komerčně využívány při následné výrobě čipů v ON SEMICONDUCTOR formou smluvního výzkumu – nabídky expertních služeb, viz článek 5 odst. 5. Předpokládá se komerční využití i jinými společnostmi polovodičového průmyslu. Vlastníkem výsledku je MU. | |||
3.2 Srovnání dosažených výsledků s cíli projektu.
3.2.1 Cílů i účelu projektu bylo dosaženo v plném rozsahu. Dosažené výsledky svým rozsahem a skutečnou věcnou náplní jsou ve shodě s plánovanou skupinou výsledků. Výsledky dosažené nad rámec projektu jsou typu O - odborné publikace a technické zprávy a bylo jich dosaženo v přímé souvislosti s realizací plánovaných činností a přispívají k uplatnění hlavních plánovaných výsledku uvedených v bodě 3.1. Realizace projektu podpořila rozvoj účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí.
3.2.2 VaV vlastní technologie růstu objemových krystalů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu byl realizován podle schváleného návrhu projektu z věcného, časového i finančního hlediska.
3.2.3 VaV technologie výroby substrátů průměru 150 mm pro polovodičové aplikace byl realizován podle schváleného návrhu projektu z věcného, časového i finančního hlediska.
3.2.4 VaV odpovídajících metod charakterizace parametrů krystalů a desek byl realizován podle schváleného návrhu projektu z věcného, časového i finančního hlediska.
Článek 4.
Úprava vlastnických a užívacích práv k výsledkům
4.1 Všechna majetková práva k výsledkům patří příjemci, popř. spolupříjemci. Práva autorů a původců výsledků a majitelů ochranných práv k nim jsou upravena zvláštními právními předpisy.
4.2 Mohou-li si u některého ze Smluvních stran činit nároky na práva k výsledkům z řešení třetí osoby, musí Smluvní strany provést taková opatření nebo uzavřít takové Smlouvy, aby tato práva byla vykonávána v souladu s jeho vlastními závazky vyplývajícími ze Smlouvy či rozhodnutí o poskytnutí dotace na podporu projektu.
4.3 Postoupí-li Smluvní strany majetková práva k výsledkům z řešení projektu třetím osobám, zajistí odpovídajícími opatřeními nebo Xxxxxxxxx, aby jejich smluvní závazky přešly na nového nositele majetkových práv tak, aby byly zajištěny zájmy poskytovatele vyplývající ze Smlouvy či rozhodnutí o poskytnutí dotace na podporu projektu.
4.4 Smluvní strany odpovídají za to, že výsledky projektu nezasahují do práv jiných osob z průmyslového nebo jiného duševního vlastnictví, a to pro jakékoliv využití výsledků projektu v ČR i v zahraničí.
4.5 Výsledky, zveřejňované v tištěné formě, ve formě vědeckých či odborných publikací nebo ve formě prezentací, musí obsahovat informaci o tom, že jich bylo dosaženo řešením projektu výzkumu a vývoje podporovaného z veřejných prostředků na podporu výzkumu a vývoje.
Článek 5.
Způsob využití výsledků a doba, do které musí být výsledky uplatněny
5.1 Smluvní strany jsou povinny zpřístupnit výsledky všem zájemcům o jejich využití za stejných podmínek.
5.2 Příjemce využije výsledky uvedené v odstavci 3.2 zejména ke své podnikatelské činnosti nebo při vývoji dalších produktů, tak aby došlo k jejich maximálnímu ekonomickému využití, a to po dobu nejpozději od 31. prosince 2022 a nejméně 5 (slovy: „pěti“) let od podpisu Smlouvy.
5.3 Další účastníci využijí výsledky nejméně po dobu 5 (slovy: „pět“) let od ukončení projektu, zejména při své výzkumné a výukové a činnosti a navazující smluvní výzkum a vývoj.
5.4 Smluvní strany se dohodly, že na uplatnění a dalším vývoji výsledků budou v dobré víře a při zapojení svých nejlepších znalostí a zkušeností spolupracovat v době nejméně 5 (slovy: „pěti“) let od uzavření této Smlouvy.
5.5 Smluvní strany se dohodly, že do šesti měsíců od podepsání této dohody uzavřou Smlouvu o spolupráci, ze které vyplyne povinnost společnosti ON Semiconductor si závazně objednat analytické služby využívající metody diagnostiky polovodičových struktur vyvinuté v rámci projektu TAČR TH03020005. Množství a termín dodání závazně objednaných služeb bude specifikován v dodatku Smlouvy o spolupráci. Odměna za případné využití výsledků ve vlastnictví či spoluvlastnictví dalších účastníků bude součástí ceny analytických služeb dle tohoto odstavce.
Článek 6.
Rozsah stupně důvěrnosti údajů a způsob nakládání s nimi
6.1 Výsledky řešení projektu, které byly publikovány v odborném tisku, nebo které byly jiným způsobem zveřejněny, netvoří žádné důvěrné informace, se kterými by bylo třeba nakládat podle zvláštních právních předpisů.
6.2 Veškeré jiné informace, které nejsou předmětem čl. 6.1 Smlouvy, tvoří obchodní tajemství Smluvních stran a Smluvní strany jsou povinny s nimi nakládat tak, aby nedošlo k jejich zneužití či neoprávněnému zveřejnění.
6.3 Ochrana obchodního tajemství se nevztahuje na poskytování informací poskytovateli dotace, a to v rozsahu nezbytném pro naplnění podmínek poskytovatele vyplývající ze Smlouvy či rozhodnutí o poskytnutí dotace na podporu projektu.
Článek 7. Sankce
7.1 Smluvní strany sjednávají, že pokud kterákoliv z nich zjistí porušení závazků z této Smlouvy ze strany druhé smluvní strany, je oprávněna vyslovit výstrahu s tím, že druhá smluvní strana je povinna odstranit nesoulad do 60 (slovy: „šedesáti“) kalendářních dnů ode dne písemného sdělení výstrahy. V případě opakovaného porušení smluvní strany sjednávají právo dotčené Smluvní strany na odstoupení od Smlouvy.
Článek 8.
Doba trvání závazků ze Smlouvy
8.1 Tato Xxxxxxx se uzavírá na dobu neurčitou, je uzavřena dnem podpisu poslední ze smluvních stran a účinná dnem jejího uveřejnění v registru smluv podle zákona č. 340/2015 Sb., o zvláštních podmínkách účinnosti některých smluv, uveřejňování těchto smluv a o registru smluv (zákon o registru smluv). Zveřejnění v registru smluv zajistí MU.
8.2 Výpověď závazků vzniklých z této Smlouvy musí mít písemnou formu.
Článek 9.
Závěrečná ustanovení
9.1 Smlouva může být měněna nebo doplňována toliko vzestupně číslovanými písemnými dodatky
podepsanými všemi Smluvními stranami.
9.2 Smlouva je administrována elektronicky. Každá ze Smluvních stran obdrží elektronicky podepsanou smlouvu ve formátu pdf.
9.3 Je-li nebo stane-li se některé ustanovení této Smlouvy neplatným nebo neúčinným, nezpůsobuje to neplatnost, resp. neúčinnost ostatních ustanovení této Smlouvy a otázky, které jsou předmětem takového ustanovení neplatného, resp. neúčinného, budou posuzovány podle úpravy obsažené v obecně závazných právních předpisech, které svým účelem nejlépe odpovídají předmětu úpravy ustanovení neplatného, resp. neúčinného.
9.4 Smluvní strany prohlašují, že si tuto Xxxxxxx pozorně přečetly a že je jim její obsah jasný a
srozumitelný.
9.5 Na důkaz toho, že celý obsah Smlouvy je projevem jejich pravé a svobodné vůle, připojují účastníci
své elektronické podpisy.
V Rožnově p. R. dne: 28. 1. 2021 za příjemce (ONCR): xxx. Xxxxx Xxxxxx, jednatel | V Brně dne: 28. 1. 2021 za dalšího účastníka projektu (MU): |
V Brně dne: 27. 1. 2020
za dalšího účastníka projektu (VUT):
prof. RNDr. Xxx. Xxxx Xxxxxxxx, XXx., rektor