KUPNÍ SMLOUVA Tato kupní smlouva („Smlouva“) byla uzavřena ve smyslu § 2079 a násl. zákona č. 89/2012 Sb., občanského zákoníku (“NOZ”), dne, měsíce a roku uvedeného níže mezi:
|
|
Tato kupní smlouva („Smlouva“) byla uzavřena ve smyslu § 2079 a násl. zákona č. 89/2012 Sb., občanského zákoníku (“NOZ”), dne, měsíce a roku uvedeného níže mezi:
České vysoké učení technické v Praze, Fakulta elektrotechnická
Sídlo: Jugoslávských partyzánů 1580/3, 160 00 Praha 6 - Dejvice
IČ: 68407700
DIČ: CZ68407700
Zastoupená: prof. Mgr. Xxxx Xxxx, Ph.D., děkan
Bankovní spojení: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Číslo účtu.: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
na jedné straně jako kupujícím (“Kupující”)
a
Měřicí technika Morava, s.r.o.
Sídlo: Babická 619, 664 84 Zastávka
IČ: 29316715
DIČ: CZ29316715
Zastoupená: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Zapsaná v: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Bankovní spojení: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Číslo účtu.: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
na druhé straně jako prodávajícím (“Prodávající”).
(Kupující a Prodávající jsou dále společně označováni jako „Smluvní strany“ a samostatně jako „Smluvní strana“.)
VZHLEDEM K TOMU, ŽE
Kupující je veřejným zadavatelem.
Pro úspěšné řešení Projektu je nezbytné pořídit předmět nákupu (dále jen „Zboží“), jehož specifikace je uvedena níže, v souladu s ustanoveními zákona č. 134/2016 Sb., o zadávání veřejných zakázek, ve znění pozdějších předpisů (dále jen „ZZVZ“).
Prodávající poskytuje předmět smlouvy kupujícímu za úplatu.
Nabídka Prodávajího podaná v rámci veřejné zakázky s názvem „Inovace laboratoří nanoelektronických technologií“, jejímž cílem bylo vybrat dodavatele předmětu smlouvy („Veřejná zakázka“), byla Kupujícím vyhodnocena jako ekonomicky nejvýhodnější.
UZAVÍRAJÍ SMLUVNÍ STRANY TUTO SMLOUVU.
I.
Prodávající se v rozsahu a za podmínek stanovených touto Smlouvou zavazuje dodat Kupujícímu Zboží, které splňuje požadavky uvedené v Příloze č. 1 této Smlouvy (Technické parametry nabízeného předmětu plnění), která tvoří její nedílnou součást, a zavazuje se převést na Kupujícího vlastnické právo ke Zboží. Kupující se zavazuje převzít Zboží a uhradit kupní cenu za Zboží (specifikovanou níže) dle pravidel a podmínek uvedených v této Smlouvě.
Součástí dodání Zboží jsou i následující činnosti („Související činnosti“)
provedení instalace dodávaného zboží a dalších stavebních úprav, které jsou s dodáním zboží spojené;
vypracovat a předat Kupujícímu provozní, instalační a servisní manuál ke Zboží a další dokumenty, které jsou nezbytné pro správné převzetí a užití Zboží v anglickém jazyce, a to v rozsahu Zboží specifikovaného v Příloze č. 2 (Technická specifikace);
předat Kupujícímu ke Zboží prohlášení o shodě s příslušnými normami;
vypracovat seznam konkrétních položek Zboží pro účely kontroly;
poskytnout 14denní školení v místě instalace pro 3 osoby.
Prodávající se zavazuje Kupujícímu, že pokud jsou pro splnění požadavků Kupujícího podle této smlouvy nebo řádného fungování Zboží nezbytné další dodávky a činnosti neuvedené v této smlouvě, Prodávající takové dodávky nebo činnosti zajistí na vlastní náklady bez jakéhokoli vlivu na kupní cenu.
II.
Prodávající se zavazuje, že dodá Kupujícímu Zboží a splní veškeré povinnosti dle čl. I. této smlouvy nejpozději do 8 měsíců od nabytí účinnosti smlouvy.
Prodávající je odpovědný za dodání Zboží do místa plnění. Místem plnění je následující adresa: ČVUT v Praze, xxxxxxx, xxxxxxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxx.
III.
Vlastnické právo Ke Zboží bude kupujícímu převedeno po podpisu předávacího protokolu (dodacího listu) oběma stranami.
IV.
Kupní cena za Zboží je 27 248 000,00,- bez daně z přidané hodnoty („DPH“), a s DPH ve výši 21 % činí 32 970 080,00,- („Kupní cena“).
Smluvní cena je sjednána jako nejvýše přípustná, včetně všech nákladů a poplatků Prodávajícího souvisejících s plněním povinností dle této Smlouvy. Kupní cena zahrnuje, mimojiné, všechny náklady spojené s převzetím Zboží a provedením Souvisejících činností, přepravou zboží do místa plnění, náklady na autorská práva, pojištění, záruční servis a veškeré další náklady a výdaje spojené s plněním této smlouvy.
Smluvní cenu je možné změnit pouze pokud
se v době mezi uzavřením této smlouvy a podpisem Předávacího protokolu mění sazby DPH (v takovém případě nová cena předmětu nákupu odráží pouze novou sazbu DPH) nebo
je změna provedena v souladu se ZZVZ.
Kupní cena za Zboží bude uhrazena v Kč na základě daňových dokladů - faktur, na účet Prodávajícího určeného na faktuře.
Prodávající je oprávněn vystavit zálohovou fakturu, a to až do výše 50 % kupní ceny sjednané dle čl. IV. odst. 4.1 této Smlouvy. Kupující připouští průběžnou fakturaci v případě dodání dílčího plnění, a to na základě dílčích předávacích protokolů (dodacích listů) podepsaných oběma smluvními stranami.
Kupující uskuteční platbu na základě řádně vystavených faktur do 15 dnů od jejich doručení. Faktura se považuje za zaplacenou v den, kdy je fakturační částka převedena z účtu Kupujícího na účet Prodávajícího.
Faktura vystavená Prodávajícím jako daňový doklad musí splňovat veškeré náležitosti požadované platnými právními předpisy České republiky. Faktury vydané Prodávajícím v souladu s touto smlouvou obsahují zejména následující informace:
název a sídlo Kupujícího,
DIČ Kupujícího,
název a sídlo Prodávajícího,
DIČ Prodávajícího,
slovní a číselné označení dokladu,
předmět plnění (zahrnující odkaz na tuto smlouvu),
kupní cenu
den vyhotovení účetního dokladu
den uskutečnění zdanitelného plnění
základ daně
sazbu daně
výši daně
identifikaci projektu, na jehož základě je tato smlouva realizována, tj. projekt č.:
CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_017/0002280, CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000778
a musí splňovat případně dohody o zamezení dvojímu zdanění.
V případě, že faktura neobsahuje výše uvedené informace, je Kupující oprávněn ji vrátit Prodávajícímu v době její splatnosti, a toto se nepovažuje za prodlení. Nová lhůta splatnosti se začíná dnem obdržení opravené faktury Kupujícímu.
V.
Prodávající je povinen dodat Zboží a Související činnosti za podmínek dle této Smlouvy zahrnující všechny její přílohy a platné právní (např. bezpečnostní), technické a kvalitativní normy. Prodávající prokáže shodu s platnými bezpečnostními normami a normami EMI / EMC min. prohlášením o shodě CE.
Během plnění této smlouvy Prodávající koná samostatně. Pokud Prodávající obdrží pokyny od Kupujícího, Prodávající dodrží tyto pokyny, pokud nejsou v rozporu se zákonem nebo v rozporu s touto Smlouvou. Pokud prodávající zjistí nebo by měl z pohledu profesionálního jednání zjistit, že pokyny jsou z jakéhokoli důvodu nevhodné, protizákonné nebo v rozporu s touto smlouvou, pak je Prodávající povinen na takové skutečnosti Kupujícího upozornit.
Pokud není ve Smlouvě stanoveno jinak, veškeré prostředky nezbytné pro plnění této smlouvy zajistí Prodávající.
Prodávající si je vědom, že Kupující nemá k dispozici prostory pro skladování obalů, a proto neuchovává obal od Zboží. Neexistence původního obalu nesmí být důvodem pro odmítnutí odstranění vad Zboží.
Prodávající se zavazuje poskytovat Kupujícímu v průběhu prvního roku od uvedení zařízení do provozu školení a konzultace dle vzájemné dohody obou smluvních stran.
VI.
Prodávající poskytuje na Zboží záruku za jakost v délce 12 měsíců. Pokud je na záručním listu nebo jiném dokumentu uvedena delší záruční lhůta, má tato delší záruční lhůta přednost před délkou záruční lhůty uvedené v této Smlouvě.
Záruční doba počíná běžet dnem uvedení Zboží do provozu v místě plnění.
Záruční opravy provede Prodávající bezplatně, popřípadě uspokojí jiný nárok zadavatele z vadného plnění, a to dle podmínek daných touto Smlouvou.
Kupující je povinen ohlásit Prodávajícímu záruční vady neprodleně poté, co je zjistí. Záruční vady mohou být Prodávajícímu nahlášeny nejpozději v poslední den záruční doby.
Kupující oznámí Prodávajícímu záruční vady telefonicky, písemně nebo prostřednictvím e-mailu. Prodávající akceptuje upozornění na záruční vady prostřednictvím e-mailové adresy: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx. Prodávající zahájí reklamační řízení nejpozději 3 dny po nahlášení závady Kupujícím tak, že informomuje kupujícího o převzetí požadavku a návrhu jeho řešení včetně termínu odstranění vady.
V hlášení o záruční vadě popíše Kupující vadu a způsob odstranění vady. Kupující má právo:
požádat o odstranění vady dodáním nového Zboží nebo jeho jednotlivých částí nebo
požádat o odstranění vady opravou nebo
požádat o přiměřené snížení kupní ceny.
Výběr výše uvedených práv náleží Kupujícímu. Kupující má také nárok na odstoupení od této Smlouvy, pokud je tato Smlouva dodáním Zboží s vadami podstatně porušena. Smlouva bude také podstatně porušena v případě, že se stejná závada opakovaně vyskytla, tj. více než třikrát.
Prodávající, pokud se strany nedohodnou jinak, odstraní vadu do 14 dnů od jejího oznámení.
Prodávající odstraní vadu v souladu s podmínkami stanovenými v této Smlouvě, a to i v případě, že oznámení o závadě je podle jeho názoru neodůvodněné. V takovém případě má Prodávající nárok na náhradu nákladů na odstranění vady. Pokud se strany nedohodnou, zda je oznámení o vadě opodstatněné nebo ne, Kupující požádá odborníka o odborný posudek, který určí, zda oznámení o závadě bylo nebo nebylo oprávněné. V případě, že odborník považuje oznámení za oprávněné, Prodávající hradí náklady na vyjádření znalce. Pokud se odborník domnívá, že oznámení je neoprávněné, pak Kupující uhradí Prodávajícímu ověřitelné a skutečně vynaložené náklady na odstranění vady.
Strany vyhotoví protokol o odstranění závady, který obsahuje popis závady a potvrzení, že závada byla odstraněna. V případě opravy v záruční době se tato prodlužuje o dobu od oznámení závady Kupujícím po její odstranění Prodávajícím.
V případě, že Prodávající neodstraní vadu ve stanovené lhůtě nebo pokud Prodávající odmítne odstranit vadu, je Kupující oprávněn odstranit vadu na vlastní náklady a Prodávající je povinen uhradit tyto náklady do 10 dnů od okamžiku, kdy obdrží fakturu od kupujícího.
Záruka se nevztahuje na vady způsobené neodbornou manipulací nebo nedodržením pokynů Prodávajícího pro provoz a údržbu Zboží.
Strany vylučují použití § 1925 NOZ.
VII.
Prodávající prohlašuje Kupujícímu že
má všechny odborné předpoklady nezbytné pro řádné plnění této smlouvy,
je plně oprávněn k plnění této Smlouvy a
na straně Prodávajícího neexistují žádné překážky bránící řádnému plnění této smlouvy.
VIII.
Pokud je Prodávající v prodlení s dodáním Zboží, tj. Prodávající poruší svou povinnost provést tuto Smlouvu včas a náležitým způsobem, Prodávající zaplatí Kupujícímu smluvní pokutu ve výši 0,1 % kupní ceny za každý (dokonce započatý) den prodlení.
Pokud Prodávající neodstraní závadu v rámci záruční opravy včas, zaplatí Kupujícímu smluvní pokutu ve výši 0,05 % Kupní ceny za každý (dokonce započatý) den zpoždění.
Prodávající zaplatí smluvní pokuty do patnácti (15) dnů ode dne, kdy Kupující uplatnil své nároky. Zaplacením smluvních pokut nejsou dotčeny práva Kupujícího na náhradu škody, a to ani v rozsahu, v jakém tato škoda překročí smluvní pokutu.
Celková výše smluvních pokut, na které má Kupující nárok, nesmí překročit 30 % Kupní ceny.
Kupující je oprávněn jednostranně započítávat nároky vyplývající ze smluvních pokut proti nároku Prodávajícího na zaplacení Kupní ceny.
Strany vylučují použití § 2050 NOZ.
IX.
PRÁVO NA odstoupení od SMLOUVY
Kupující je oprávněn odstoupit od této smlouvy bez jakýchkoli sankcí, jestliže nastane některá z následujících okolností:
Prodávající je v prodlení s plněním této smlouvy a toto prodlení trvá déle než dva (2) měsíce;
Zboží nesplňuje požadavky stanovené v této smlouvě, zejména v Příloze č. 1 (Technické parametry nabízeného předmětu plnění);
proti Prodávajícímu je zahájeno konkurzní řízení, nebo
Kupující zjistí, že Prodávající ve své nabídce podané v rámci předmětné veřejné zakázky uvedl informace nebo dokumenty, které neodpovídají skutečnosti a které měly nebo mohly mít vliv na výsledek výběrového řízení, které předcházelo uzavření této Smlouvy.
X.
Strany nezveřejní informace, které jim budou zpřístupněny v souvislosti s touto Smlouvou a jejím plněním, jejichž zveřejnění by mohlo poškodit druhou stranu. Povinnosti Kupujícího vyplývající z platných právních předpisů zůstávají nedotčeny.
XI.
Prodávající uvádí následující zástupce pro komunikaci s Kupujícím:
V technických záležitostech:
Jméno a příjmení: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
E-mail: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Tel.: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Ve smluvních záležitostech:
Jméno a příjmení: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
E-mail: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Tel.: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Kupující uvádí následující zástupce pro komunikaci s Prodávajícím:
Jméno a příjmení: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
E-mail: xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
XII.
Tato smlouva se řídí právem České republiky, zejména NOZ.
Strany souhlasí se zveřejněním této smlouvy v registru smluv podle zákona č. 340/2015 Sb., O registru smluv. Zveřejnění zajišťuje ČVUT v Praze. Pokud jedna ze stran považuje některé informace uvedené ve smlouvě za osobní údaje nebo obchodní tajemství, které nemohou být zveřejněny podle zákona, musí být tyto informace výslovně označeny během uzavírání Smlouvy.
Veškeré spory, které vyvstaly z této Smlouvy nebo z právních vztahů souvisejících s touto Smlouvou, budou řešeny přednostně vzájemnou dohodou. V případě, že spor nebude vyřešen do šedesáti (60) dnů, rozhodne o takovém sporu soud České republiky v řízení zahájeném jednou ze stran.
Prodávající nese riziko změny podmínek ve smyslu § 1765 NOZ.
Prodávající bere na vědomí, že Kupující není ve vztahu k této Smlouvě podnikatelem, ani předmět této Smlouvy nesouvisí s podnikatelskou činností Kupujícího.
Prodávající není oprávněn započítávat žádnou ze svých pohledávek nebo nároků svého dlužníka vůči pohledávkám Kupujícího. Prodávající není oprávněn převést své nároky, které vznikly na základě nebo v souvislosti s touto Smlouvou vůči třetím osobám, vůči Kupujícímu. Prodávající není oprávněn převádět práva a povinnosti z této smlouvy nebo její části na třetí strany.
Všechny změny a dodatky k této smlouvě musí být písemné.
Pokud jsou některá ustanovení této Smlouvy neplatná nebo neúčinná, jsou strany povinny tuto Smlouvu změnit tak, aby neplatné nebo neúčinné ustanovení bylo nahrazeno novým ustanovením, které je platné a účinné a co nejvíce odpovídá původnímu neplatnému nebo neúčinnému ustanovení.
Pokud některá Smluvní strana poruší jakoukoli povinnost podle této Smlouvy a je si, nebo by měla být, vědoma takového porušení, uvědomí druhou Smluvní stranu a upozorní ji na možné důsledky porušení.
Tato Smlouva je sepsána v českém jazyce v jednom (1) vyhotovení v elektronické podobě a ve 4 (čtyřech) vyhotoveních v listinné podobě, z nichž každé vyhotovení má platnost originálu. Každá ze Smluvních stran obdrží po 2 (dvou) vyhotoveních v listinné podobě.
Nedílnou součástí této Smlouvy je Příloha č. 1 (Technické parametry nabízeného předmětu plnění) a Příloha č. 2 (Technická specifikace). V případě jakéhokoli nesouladu mezi ustanoveními této Smlouvy a ustanoveními Přílohy č. 1 (Technické parametry nabízeného předmětu plnění) nebo Přílohy č. 2 (Technická specifikace) budou mít přednost ustanovení této Smlouvy.
Tato smlouva je platná ke dni podpisu oběma Smluvními stranami a účinná jejím uveřejněním v registru smluv.
V Praze, dne 16.4.2020 V Zastávce, dne 5.5.2020
……………………………………….. ……………………………………..
za kupujícího za prodávajícího
prof. Mgr. Xxxx Xxxx, Ph.D., děkan, xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
děkan xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
PŘÍLOHA Č. 1
Technické parametry nabízeného předmětu plnění
Předmětem plnění je dodávka kompletních nanoelektronických laboratoří včetně následujících položek:
Položka |
Vzduchotechnika a technické zázemí laboratoří a úpravy pro instalaci zařízení |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
Glove box k ALD |
Aparatura pro aktivaci povrchu a plazmatické leptání |
Laserový litograf |
Generátor N2 + stanoviště lahví + nerezový zásobník dusíku |
Laboratorní stůl s dřezem |
Zdroj deionizované vody |
Parametry jednotlivých položek jsou popsány níže.
Vzduchotechnika a technické zázemí laboratoří a úpravy pro instalaci zařízení
Místo realizace
ČVUT v Praze, xxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxx, Xxxxxxxxx 0, 00000 Xxxxx 0
Jedná se o vestavbu čistých prostor do dvou místností v 1. PP (B2-s141d a B2-s141e) stávajícího objektu patřícího ČVUT v Praze, FEL. Do architektonického řešení objektu nebude zasaženo. Do čistých prostor bude přístup přes nově budovanou čistou šatnu. Přístup do šatny bude z hlavní chodby v 1.PP objektu. Z šatny se bude vstupovat do místnosti 141e, která bude průchozí, a dále se bude pokračovat do místnosti 141d.
Užitková plocha: předsíň cca 4m2, místnost 041e cca 38 m2, místnost 041d cca 40 m2. Celkem cca 82 m2
Světlá výška místností nad základovou deskou: 5,6 m (stávající zvýšená podlaha ve výšce 0,9m, plánovaný podhled ve výšce 3,5 m nad stávající podlahou).
Personál
Vzhledem k tomu, že tato pracoviště jsou klasifikována jako výzkumná a vývojová, předpokládá se, že pracovní cyklus bude jednosměnný s obsazením 4 pracovníky (2 v místnosti s141e a 2 v místnosti s141d). Xxxx budou vcházet do čistých prostor přes čistou šatnu.
V šatně bude osazeno umývadlo s dávkovačem tekutého mýdla a zásobníkem papírových ručníků. Čisté kombinézy budou uloženy v uzavřené policové skříni. Vybavení propustí je navrženo tak, aby konstrukce, použité materiály a provedení splňovalo požadavky dané jeho funkcí a třídou čistoty prostoru, ve kterém je umístěno.
Tok materiálu
Materiál bude vstupovat do čistého prostoru výhradně materiálovou propustí – odsávanou předávací skříní umístěnou v místnosti č. s141d.
Pro stěhování zařízení do čistých prostor budou sloužit především dveře mezi místností s141d a chodbou, které budou po nastěhování potřebné technologie utěsněny a zatmeleny.
Skladba technologického zařízení
Skladba technologického zařízení v popisovaných čistých prostorách je navržena podle požadavků uživatele. Seznam stávajících a nově pořizovaných zařízení je uveden v tabulce 1
Součástí bude instalace, zaškolení obsluhy kvalifikovaným pracovníkem. Veškeré součásti dodávky budou nové a nepoužité. Záruka na celý systém bude alespoň 1 rok.
Bourání
V rámci stavebních úprav bude demontována část stávajících sádrokartonových příček.
Budou vysazena dveřní křídla a vybourány stávající zárubně.
Bude bourán otvor pro prostup VZT a prostup rozvodu plynů skrz obvodovou zeď na dvůr.
Na chodbě 1. PP musí být zachován průchod 90cm na šířku.
Stavbu je nutné provádět v co nejmenší míře bez otřesů a prachu a je nutné zajistit bezprašnost mimo prostory, kde jsou prováděny bourací práce.
V rámci vestavby budou použity systémy sendvičových obkladů:
skládané sendvičové obklady budou provedeny do výšky 150 mm nad podhled, nosné profily budou vytaženy a kotveny do stropu.
Předstěna bude řešena jako variabilní, demontovatelná (rozebíratelná) pro případ nutnosti provedení oprav na fasádě nebo stávajících oknech, před stávajícími okny zasklená.
Nové podlahy budou antistatické PVC s PVC fabionem. V místě zařízení s vyšší hmotností (ALD, DRIE) budou provedeny úpravy podpěr zvýšené podlahy tak, aby její nosnost odpovídala zvýšenému zatížení.
Strop budou tvořit tvarované nosné profily, kazety, závěsný systém a okrajové lišty. Součástí podhledu budou zapuštěná svítidla a VZT nástavce. Vybrané kazety podhledu budou odnímatelné pro možný přístup do prostoru nad podhledem.
Těsnosti stropu bude dosaženo zatmelením spár a styků zdravotně nezávadným silikonovým tmelem s fungicidními přísadami.
Bezprašnost v laboratoři bude zaručena použitím jemných filtrů a zajištěním laminárního proudění vzduchu od stropu k podlaze. Kromě bezprašnosti bude klimatizační jednotka laboratoře dodržovat definované parametry teploty a vlhkosti.
Vzduchotechnika bude navržena tak, aby co nejlépe využila stávající systém větrání s filtrací v místnosti s141e.
Nová vzduchotechnické jednotka pro přívod a úpravu čerstvého vzduchu a odsávání cirkulačního vzduchu bude instalována na vnějším plášti objektu u klimatizovaných prostor.
Jednotka bude navržena tak, aby bylo umožněno jednoduché čištění vnitřních částí. Ventilátor bude vybaven regulátorem výkonu. Jednotka bude umístěna na ocelové konstrukci a bude podložená pryžovými pásy.
Množství přiváděného čerstvého vzduchu, jeho teplota a stupeň filtrace budou navrženy tak, aby bylo dodrženo hygienické minimum čerstvého vzduchu, požadovaná třída čistoty, tlakové poměry mezi místnostmi, odvod tepelné zátěže místností a úhrada technologického odsávání.
Zároveň musí být dodrženy požadované teploty v rozmezí 22 ± 4 °C, relativní vlhkosti v rozmezí 30 ÷ 70 % a třídy čistoty 9 podle ISO 14644 v obou místnostech s141e a s141d. Nad pracovištěm litografie a pracovištěm pro inkoustový tisk (místnost s141d) bude dodržena třída čistoty 8
Zařízení bude trvale provozováno v přetlakovém režimu. Tlak bude klesat v pořadí místností: s141d, s141e, šatna. Nastavení systému bude provedeno při provozních zkouškách zařízení.
Pokud nebudou laboratorní zařízení v provozu, bude technologické odsávání vypnuté a vzduch bude odváděn zpět do klimatizační jednotky (omezený provoz). I při omezeném provozu musí být zachovány požadované parametry vnitřního prostředí. Vzduchový výkon zařízení se sníží na cca 50 % jmenovitého výkonu v závislosti na teplotních a vlhkostních podmínkách.
Vybraná technologická zařízení (viz tabulka 1) budou vybavena nuceným odsáváním mimo cirkulační vzduch klimatizační jednotky.
Součástí dodávky bude jeden chemicky odolný laboratorní stůl s keramickým dřezem a sraženými 2 rohy s min. půdorysnými rozměry 160 cm x 280 cm.
Dusík 5N –.
Zdrojem dusíku bude generátor dusíku stupně čistoty 99,999%, koncentrací zbytkového O2 max. 10 ppm s minimálním výkonem 2,7 m3/h umístěný v kontejneru s nerez zásobníkem o objemu minimálně 3 m3 umístěným vně kontejneru.
Hlučnost generátoru dusíku musí být menší než 50 dB (měřeno vně kontejneru).
Na výstupu z generátoru bude na rozvodu dusíku osazen hlavní uzávěr, redukční ventil, pojistný ventil a filtrace.
Rozvod dusíku bude k zařízením do m.č.s141e 5x odběrné místo, m.č. s141e 4x odběrné místo.
Rozvod bude přes ventil a měřič průtoku přiveden také do laboratoře v přízemí nad místností č. s141f.
Potrubí dusíku bude provedeno z nerezi AISI 316 Ra= cca 0,8 μm. Potrubí bude spojováno orbitálním svařováním. Jako armatury v rozvodu bude použit kulový kohout.
čistota 6.0 (99,9999%), spotřeba max. 1 Nm3/hod, přetlak v rozvodu 0,6 MPa
Zdrojem kyslíku bude 1 tlaková láhev ( 200bar) umístěná v samostatném venkovním přístřešku. Tlaková láhev bude pomocí spirály napojena na redukční stanici.
Na výstupu z redukční stanice bude na rozvodu kyslíku osazen hlavní uzávěr, redukční ventil, pojistný ventil a filtrace.
Potrubí kyslíku bude provedeno z nerezi AISI 316 Ra= cca 0,8 μm. Potrubí bude spojováno orbitálním svařováním.
Přesné výškové vedení potrubí a koordinaci s ostatními profesemi bude nutno přizpůsobit dle skutečnosti na stavbě.
Argon – z redukční stanice
čistota 6.0 (99,9999%), spotřeba max. 1 Nm3/hod, přetlak v rozvodu 0,6 MPa
SF6, C4F8, CHF3 – z redukční stanice
čistota 6.0 (99,9999%), spotřeba max. 1 Nm3/hod, přetlak v rozvodu 0,6 MPa
Centrální rozvod vakua
vakuum ze suché vývěvy bude vyvedeno do následujících místností: m.č.s141d 2x odběrné místo, m.č. s141e 4x odběrné místo
Centrální rozvod stlačeného vzduchu
Jako zdroj stlačeného vzduchu bude použit kompresor generátoru dusíku.
Stlačený vzduch s minimálním tlakem 7 bar zbavený nečistot a olejových par bude vyveden do následujících místností: m.č.s141d 4x odběrné místo, m.č. s141e 3x odběrné místo
Demivoda
Zdrojem bude generátor demineralizované vody dle ČSN ISO 3696, jakost vody pro analytické účely pro 2 st., opatřený UV zářivkou, s výkonem minimálně 6 l/hod. a zásobníkem 20 l.
Demivoda bude přivedena do následujících místností: m.č.s141d 3x odběrné místo, m.č. s141e 2x odběrné místo
Kanalizace splašková
Vnitřní splašková kanalizace bude odvádět splaškové odpadní vody od nově navržených zařizovacích předmětů a technologických zařízení. Potrubí od těchto zařizovacích předmětů bude zaústěno do stávající stoupačky.
V rámci nových rozvodů pitné a teplé vody dojde k napojení nových zařizovacích předmětů a technologických zařízení v daném prostoru výstavby. Na odbočkách budou osazeny kulové kohouty pro odstavení. Budou napojeny 2 umyvadla nad kterými budou umístěny nástěnné baterie. Dle požadavku technologie zde bude osazena 1 oční sprcha bez misky nad umyvadlem. Dále bude nutné přivést chladící vodu (pitnou vodu) k vytypovaným zařízením.
Jako výtokové armatury jsou navrženy jednopákové baterie.
Bude použity proudová soustava 3 NPE AC 50 Hz, 3 x 400 V/230 V/TN-C-S
Ochrana dle ČSN 33 2000-4-41 ed.2+Z1: Ochrana základní před dotykem živých částí: - izolací, přepážky a kryty.
Ochrana při poruše před dotykem neživých částí: normální - automatickým odpojením od zdroje, doplněná - doplňujícím pospojováním, doplněná - proudovým chráničem.
Napájení na el. energií bude provedeno ze stávajícího rozvaděče instalovaného na chodbě u vstupu do laboratoří.
Světelně technické parametry umělého osvětlení
Musí odpovídat požadavkům nové ČSN EN 12464-1 v závislosti na typu místnosti, charakteru činnosti – světelné náročnosti. V rámci umělého osvětlení je navrženo nové hlavní umělé osvětlení a nouzové osvětlení únikové cesty.
Hlavní umělé osvětlení bude navrženo dle ČSN EN 12464-1 Umělé osvětlení bude navrženo a řešeno dle příslušných předpisů a norem pomocí vestavných a přisazených zářivkových svítidel v požadovaném provedení a krytí na udržovanou osvětlenost Em (Lx) v závislosti na typu místnosti a charakteru vykonávané činnosti.
8 zdrojů světla a všechna okna (včetně oken pro exkurze) budou opatřena filtrem UV záření zamezujícím nežádoucí expozici litografických rezistů.
Součástí dodávky budou celkem 4 přenosné lokální zdroje bílého světla.
Nouzové osvětlení je navrženo jako únikové, které zajistí min. hodnotu osvětlení 1 lx v ose únikové trasy. Pro nouzové osvětlení budou použita samostatná nouzová svítidla 230V AC s vlastním bezúdržbovým akumulátorem.
Technologické a zásuvkové rozvody.
Řeší napojení zásuvkových rozvodů 230V, 400V, přívody pro další technologická zařízení. Rozsah a provedení rozvodů bude odpovídat potřebám jednotlivých zařízení v laboratoři.
Nově provedená elektroinstalace je navržena v proudové soustavě TN-S. Kabely CYKY budou uloženy v elektroinstalačních kabelových žlabech v mezistropu a pod obklady.
Instalace v rekonstruovaných prostorách bude uložena na podkladech nehořlavých stupně hořlavosti „A“ dle ČSN 73 0823.
Instalace zařízení umístěná v prostředí laboratoří bude provedena v doporučeném krytí IP44.
Jištění osvětlení a zásuvkových okruhů proti zkratu a přetížení je provedeno jističi a proudovými chrániči.
Ochrana proti přepětí 1. a 2. stupně bude doplněna v rozvaděči.
Ochrana proti nebezpečnému dotykovému napětí bude provedena dle ČSN 33 2000-4-41 ed.2+Z1
Základní ochrana je provedena samočinným odpojením od zdroje, zvýšená ochrana je provedena doplňujícím pospojováním v prostorách laboratoří a proudovými chrániči.
Pro napájení technologických zařízení a dalšího vybavení místností budou instalovány jednofázové zásuvky 230V/16A a trojfázové zásuvky 400V/16A a 400V/32A.
SLABOPROUDÁ ČÁST
Strukturovaná kabeláž - SKS:
V řešené části je navržena instalace strukturovaného kabelového systému (SKS).
Rozmístění hasicích přístrojů a protipožárních pomůcek bude provedeno dle vyjádření požárního specialisty –projektanta, které je součástí stavebního řešení a preventisty z požárního útvaru s bezpečnostním technikem organizace.
Provedení elektroinstalace a použitý montážní materiál musí odpovídat platným předpisům, normám ČSN a certifikacím. Před uvedením do provozu zajistí montážní organizace výchozí revizi dle ČSN 33 1500 a ČSN 33 2000-6 včetně revizní zprávy, která bude součástí předání zařízení do trvalého užívání.
Tabulka 1: Seznam zařízení s technologickými parametry
No |
Položka |
status |
místnost |
připojení voda |
deioniz. voda |
odtok |
vakuum |
stlačený vzduch |
plyny |
odtah |
1 |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
nové |
B2-s141d |
Ano 5 l/min 15-25° C |
|
|
|
5-6 bar |
O2, purging N2, process N2 |
od scrubberu |
6 |
Glove box k ALD |
nové |
B2-s141d |
|
|
|
ano |
|
N2 |
|
2 |
Zařízení pro aktivaci povrchu |
nové |
B2-s141d |
Ano 16 l/min 15-25° C |
|
|
|
5-6 bar |
O2, purging N2, process N2, Ar, SF6, C4F8 |
od scrubberu |
3 |
Laserový litograf |
nové |
B2-s141d |
|
|
|
ano |
ano |
|
|
7 |
Generátor N2 + stanoviště lahví + nerezový zásobník dusíku |
nové |
dvůr |
|
|
|
|
|
zdroj N2 a tlakového vzduchu |
|
13 |
Laboratorni stůl s dřezem, chemicky odolný, sražené rohy |
nové |
B2-s141e |
dřez |
ano |
z dřezu |
ano |
ano |
N2 |
|
14 |
Zdroj deionizované vody průtok 6l/min, zás. 20l |
nové |
B2-s141e |
ano |
ano |
|
|
|
|
|
17 |
Biohazard box, model Airstream, třída II – ESCO Typ AC2-4E8 |
stávající |
B2-s141e |
|
ano |
|
ano |
|
N2 |
ano |
8 |
Digestoř |
stávající |
B2-s141e |
|
ano |
|
ano |
|
|
ano |
9 |
Digestoř |
stávající |
B2-s141e |
|
ano |
|
ano |
|
|
ano |
18 |
Skříň chemie |
stávající |
B2-s141e |
|
|
|
|
|
|
ano |
20 |
Materiálová tiskárna Dimatix |
stávající |
B2-s141d |
|
|
|
|
|
|
|
21 |
Optický mikroskop Olympus |
stávající |
B2-s141d |
|
|
|
|
|
|
|
22 |
Vysokoteplotní pec Vecstar |
stávající |
B2-s141e |
|
|
|
|
|
N2,Ar |
z vývěvy, pasivní |
23 |
Trubková difusní pec |
stávající |
B2-s141e |
|
|
|
|
|
|
z vývěvy, pasivní |
24 |
Napařovací aparatura Q150T + vývěva |
stávající |
B2-s141d |
|
|
|
|
|
|
z vývěvy, pasivní |
25 |
Laboratorní sušárna Memmert UF30plus |
stávající |
B2-s141e |
|
|
|
|
|
|
ano, aktivní |
Aparatura pro aktivaci povrchu a plazmatické leptání
Stanice pro hluboké reaktivní iontové leptání (DRIE) s indukčně vázanou plazmou (ICP), řízená počítačem.
Stanice bude poskytovat možnost použití širokého spektra technik plazmatického leptání, které mohou být použity k leptání dielektrických materiálů, polovodičů nebo kovů. Systém bude poskytovat možnost použití tzv. Boschova leptání (Bosch process), při kterém se opakovaně střídá režim leptání a režim pasivace, čímž lze dosáhnout téměř vertikální struktury, zejména u křemíkových substrátů. Systém bude připraven na případné připojení optického emisního spektroskopu, umožňujícího monitorování složení plynu nad substrátem v průběhu leptání. Stanice bude poskytovat automatizovanou kontrolu všech důležitých parametrů leptacích procesů, a to zejména dynamickou kontrolou teploty a vysokého vakua.
Součástí celého systému DRIE budou tyto jednotky:
Leptací stanice DRIE
Vývěvy – vakuový systém
Počítač s řídícím software
Minimální požadované parametry přístroje:
Leptací stanice DRIE
Rychlost leptání Si, SiO2 minimálně 5 μm/min.
Aspect ratio pro Si, SiO2 minimálně 50:1
Vodou chlazený planární zdroj indukčně vázané plazmy dosahující tyto minimální parametry pro argonovou plazmu:
Při rozsahu tlaku 0,2 – 10 Pa a výkonu zdroje 100 – 1200 W bude možno dosáhnout hustoty plazmy až 5 x 1011 cm-3 a minimální energii iontů 10 eV.
Vzduchem chlazený vysokofrekvenční generátor pro ICP zdroj o výkonu min. 2000 W.
Spínaný napájecí zdroj
Možnost výběru kontroly předávaného napětí nebo předpětí
Možnost měření a vizualizace předávaného a odraženého výkonu a přivedeného stejnosměrného předpětí.
Elektroda určená pro substráty s aktivně kontrolovanou teplotou a mechanicky ovládaným uchycením substrátů k elektrodě.
Možnost uchycení kruhových substrátů do velikosti 6 palců.
Protikorozivní těsnění mezi povrchem horní elektrody a waferem (popř. nosičem).
Kontrola teploty bude umožňovat jak aktivní ohřev, tak aktivní chlazení elektrody, a to v rozsahu pokojová teplota až min. 250 ºC.
Možnost manuálního nastavení vzdálenosti mezi elektrodou pro substráty a dielektrickou plotnou RF zdroje před leptacím procesem v rozsahu 80 – 120 mm.
Držák pro uchycení substrátů nestandardních rozměrů o velikosti menší než 6 palců
Vzduchem chlazený vysokofrekvenční generátor pro elektrodu o min. výkonu 600 W
Možnost výběru kontroly předávaného napětí nebo kontroly předpětí v průběhu leptacího procesu.
Možnost měření a vizualizace předávaného a odraženého výkonu a stejnosměrného předpětí.
Monolitickou hliníkovou reakční komoru uzpůsobenou pro možnost připojení systému pro sledování vlastností plazmy.
Systém pro přívod plynů bude poskytovat možnost využití alespoň 10 kombinací plynů.
Bude připraven pro okamžitou instalaci těchto pěti plynů: SF6, C4F8, O2, CHF3, Ar
Bude vybaven jednotkami pro kontrolu průtoku shora uvedených plynů, filtrem částic a pneumatickým uzavíracím ventilem.
Pro rozvody plynů budou použity trubky z nerezové oceli, s vnějším průměrem 6 mm a budou použity spojky s technologií VCR (tzv. Vacuum Coupling Radiation).
Rozvody pro korozivní plyny budou vybaveny bypassem s kovovým těsněním.
Minimální vybavení pro Boschův proces:
termostat tepelného výměníku pro chlazení elektrody – rozsah termostatování minimálně od -30 ºC do 80 ºC s chladícím výkonem alespoň 500 W při 0 ºC
rychlé ovladače průtoku pro střídavé připouštění plynů pro leptací a depoziční fáze procesu
Systém podavače vzorku (Load lock) do reakční komory s průzorem pro pohledovou kontrolu vzorku
Součástí stanice bude rozhraní pro její ovládání počítačem, případně pro možnost vzdálené síťové kontroly stanice operátorem nebo servisu.
Vývěvy – vakuový systém
Vodou chlazená turbomolekulární pumpa v antikorozním provedení o výkonu rychlosti čerpání alespoň 1300 L/s (N2) včetně chladícího termostatovaného vodního okruhu
Rotační pumpa o výkonu čerpání min. 40 m3/hod
Suchá pumpa pro Load lock systém s rychlostí čerpání alespoň 14 m3/hod..
Vakuový systém bude umožňovat udržovat stabilní tlak v reakční komoře v průběhu leptacích procesů a minimální tlak s využitím vakuového systému musí dosáhnout alespoň 10-6 mbar.
Počítač a řídící software:
Pracovní stanice s minimálními parametry:
Pracovní stanice v provedení Tower/Miditower/Microtower dimenzovaná na provoz 24 hod denně, 7 dní v týdnu
min. 1x procesor s CPU benchmarkem min. 15600 ( dle xxxx://xxx.xxxxxxxxxxxx.xxx ), procesor min. 8 fyzických jader kvůli paralelizaci úloh, procesor min. 8 logických jader, kvůli energetické efektivitě vyžadována technologie 14nm nebo lepší, typický TDP pro procesor maximálně 110 W
základní deska pro výše uvedené procesory
osazená XXX xxx. 16 GB DDR4
M.2 SSD disk o velikosti min. 256GB, rychlost čtení min. 500 MB/s, rychlost zápisu min. 500 MB/s, životnost min. 250 TBW
Operační systém pro pracovní stanice kompatibilní s Campus-licencí ČVUT
USB klávesnice CZ/US, včetně numerické části - min. 101 kláves, černé barvy pro náročný každodenní provoz
USB optická myš černé barvy pro náročný každodenní provoz
LED monitor s obrazovkovou technologií IPS / PLS, matný, rozlišení min. 1920 x 1080, poměr stran 16:9, úhlopříčka min. 27"
Záruka na sestavu min 3 roky ( může být i 3 roky NBD on site)
Ovládací software umožní průběžné online monitorování systému stanice s možností průběžného zálohování dat.
Umožní zobrazování a monitorování změn parametrů v průběhu spuštěných procesů, dále manuální nebo automatickou kontrolu procesů a spouštění jednotlivých kroků procesů na základě dosažení požadovaných parametrů v jednotlivých krocích.
Bude obsahovat editor procesů s možností ukládání přednastavených protokolů.
Součástí bude program pro konfiguraci jednotlivých kroků Boschova procesu.
Atomic Layer Deposition
Depoziční zařízení pro přípravu tenkých vrstev metodou depozice atomárních vrstev (ALD) pro přípravu vrstev a povlakování planárních i porézních substrátů a prášků.
Zadavatel bude požadovat po vybraném dodavateli po dodání a instalaci přístroje provést testování pomocí depozice Al2O3 vrstvy. Depozice bude provedena při teplotě 300 °C s použitím trimethylhliníku a vody jako prekurzorů a 8“ křemíku jako substrátu. Depoziční test obsahuje 500 cyklů prekurzoru. Nerovnoměrnost tloušťky vrstvy (s vyloučením 10 mm okraje) musí být lepší než 2 %. Součástí dodávky jsou receptury/metodiky pro přípravu tenkých vrstev Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, ZnO, Si3N4, AlN a TiN.
Depoziční zařízení bude připraveno na rozšíření o ozonový generátor.
Součástí celého systému ALD budou tyto jednotky:
Depoziční reaktor
Kontejnery prekurzorů a rozvody prekurzorů a plynů
Počítač a řídícící software
Zdroj plazmatu
Vývěvy – vakuový systém
Monitor růstu pracující v reálném čase (ALD Real Time Monitor)
Uzavřený chladicí okruh
Přechodová komora a load-lock
Rukávový box
Čistící absorpční systém „Scrubber“
Minimální požadované parametry přístroje:
Depoziční reaktor
Vzorky jsou vkládány pomocí přechodové komory – loadlocku
Loadlock pro vkládání substrátů je napojen na rukávový box (glove box).
Depoziční komora je vybavena ohřevem substrátů na teplotu minimálně 400 °C s přesností na 1°C nebo lepší.
Depoziční reaktor je vybaven držáky pro depozici na substrátech o velikosti 200mm (8“); 150mm(6“), 100 mm(4“) a malých substrátů (20x20 mm a 10x10mm). Depozici je možné provádět také na porézních substrátech metodou nuceného průtoku skrz substrát (součástí je sada držáků pro porézní vzorky o různém průměru). Součástí dodávky jsou také vícepozicové držáky.
Vnější vakuový plášť reaktoru nevyžaduje vodní chlazení.
Komora musí být opatřena přírubami pro in-situ eliepsometrii se závěrkami proti deposici materiálu na průchozích oknech.
Kontejnery prekurzorů a rozvody prekurzorů a plynů
Veškeré ventily a regulátory průtoku (MFC) jsou automaticky ovládány řídícím počítačem.
Depoziční reaktor obsahuje minimálně 4 zcela nezávislé linky (rozvody) prekurzorů. Každý rozvod (linka) prekurzoru je vybaven vlastním hmotnostním průtokoměrem, pulzačním ventilem a měrkou tlaku.
Každý rozvod musí končit svým vlastním nezávislým vstupem do komory.
Každý vstup prekursorů do růstové komory musí být opatřen uzavíracím ventilem, aby se omezil mrtvý prostor při přepínání prekurzorů.
Proud prekurzorů a koreaktantů musí směřovat shora dolů od zdroje plasmy k substrátu (top-flow design).
Depoziční zařízení je vybaveno 3 linkami/rozvody pro připojení prekurzorů těkavých za pokojové teploty. Odvod par do reaktoru je realizován průtokem s pomocí nosného plynu. Součástí dodávky je celkem 5 kontejnerů na prekurzory pro odpařování za pokojové teploty.
Dodávka obsahuje prekurzory nutné pro otestování růstového procesu.
Depoziční zařízení je vybaveno vyhřívanými rozvody na 200°C se 3 zdroji prekurzorů vyhřívaných na teplotu minimálně do 60°C.
Počítač a řídící software:
Pracovní stanice s minimálními parametry:
Pracovní stanice v provedení Tower/Miditower/Microtower dimenzovaná na provoz 24 hod denně, 7 dní v týdnu
min. 1x procesor s CPU benchmarkem min. 15600 ( dle xxxx://xxx.xxxxxxxxxxxx.xxx ), procesor min. 8 fyzických jader kvůli paralelizaci úloh, procesor min. 8 logických jader, kvůli energetické efektivitě vyžadována technologie 14nm nebo lepší, typický TDP pro procesor maximálně 110 W
základní deska pro výše uvedené procesory
osazená XXX xxx. 16 GB DDR4
M.2 SSD disk o velikosti min. 256GB, rychlost čtení min. 500 MB/s, rychlost zápisu min. 500 MB/s, životnost min. 250 TBW
Operační systém pro pracovní stanice kompatibilní s Campus-licencí ČVUT
USB klávesnice CZ/US, včetně numerické části - min. 101 kláves, černé barvy pro náročný každodenní provoz
USB optická myš černé barvy pro náročný každodenní provoz
LED monitor s obrazovkovou technologií IPS / PLS, matný, rozlišení min. 1920 x 1080, poměr stran 16:9, úhlopříčka min. 27"
Záruka na sestavu min 3 roky ( může být i 3 roky NBD on site)
Software umožňuje vzdálený přístup pro servisní zásahy a kontrolu procesů. Software umožňuje vytváření receptů pro procesy, jejich ukládání, řízení a monitorování celého depozičního procesu.
Zdroj plazmatu
Nastavitelný výkon v rozsahu minimálně 50-300 W
Zdroj plasmy musí poskytovat možnost oddělení vysokoenergetických fotonů a iontů od substrátu.
Vývěvy
Depoziční zařízení je čerpáno suchou vývěvou s boosterem. Suchá vývěva má čerpací výkon minimálně 550 m3/h. Základní tlak nižší než 10 Pa.
Suchá vývěva má ložiska proplachovaná dusíkem případně sušeným vzduchem a vodní chlazení.
Monitor růstu pracující v reálném čase
Systém umožňující velmi rychlé monitorování adsorpčních a desorpčních procesů s dobou odezvy menší než 40 ms.
pro chlazení zdroje plazmatu pro reaktor.
Přechodová komora a load-lock
bude čerpán suchou pumpou na tlak nižší než 10 Pa.
Depoziční zařízení je připojeno přes load-lock k rukávovému boxu (glovebox), který má šířku minimálně 1200 mm a hloubku minimálně 650 mm. Rukávový box musí splňovat následující specifikaci:
box s čističkou plynu pro práci v řízené atmosféře s < 1 ppm O2 a H2O;
porty pro rukavice: 2 porty, průměr 220 mm, včetně butylových rukavic;
mechanismus pro přesun vzorků z transportní krabice bez narušení dusíkové atmosféry
box bude vybaven minimálně 2 policemi na vzorky
Čistící absorpční systém – „Scrubber“
Odpadní plyny jsou zachycovány v čistícím absorpčním systému.
Litografický systém s optickým zápisem do fotorezistu pracující na vlnové délce 385 nm pomocí laserové nebo LED diody (pro širokopásové rezisty, UV rezist SU-8 i další g- h- a i- linie). Rozlišení litografu musí být 600 nm nebo méně v režimu s vysokým rozlišením, dále jsou požadovány režimy zápisu s rozlišeními 1 μm, 2 až 3 μm, a minimálně 5 μm v režimu rychlého zápisu.
Součástí litografického systému budou tyto jednotky:
Řídící systém
Zapisovací systém
Automatický zaostřovací systém
Optický profilometr
Optický stůl pro izolaci vibrací
Řídící systém
Musí umožňovat přesné polohování vzorku.
Minimální posuv stolku v osách x a y je 50 nm nebo méně.
Musí umožňovat automatické přepnutí mezi velikostí zapisovacího paprsku bez nutnosti manuální změny optiky.
Musí umožňovat zápis do rezistu SU-8 o tloušťce minimálně 100 mikrometrů.
Dávkování množství ozáření a gradient zaostření musí být nastavitelný podél os x a y v daném rastru.
Řídící počítač s operačním systémem kompatibilním s Campus-licencí ČVUT s USB klácesnicí, USB optickou myší a LED monitorem.
Zapisovací systém
Systém má zapisovací rychlost alespoň 20 mm2/min při 600 nm rozlišení,
alespoň 50 mm2/min při 1 μm rozlišení
a alespoň 180 mm2/min při 5 μm rozlišení.
Polohovací x-y stolek má krok 50 nm nebo méně.
Systém umožňuje provádět litografii na vzorcích o rozměrech až 220×220 mm nebo větších a bez omezení minimální velikosti vzorku.
Minimální požadovaná oblast zápisu je 190×190 mm.
Systém umožňuje provádět litografii na vzorcích o tloušťce minimálně 15 mm.
Systém umožňuje korekci sklonu vzorku (wedge), ohybu vzorku (bow). Korekce musí být aplikována ještě před zahájením expozice.
Systém musí pracovat s elektronikou rozlišující minimálně 255 úrovní šedé.
K jednotlivým expozičním úlohám musí být možné nastavit různé expoziční režimy.
Systém obsahuje teplotní stabilizaci uvnitř litografu.
Systém obsahuje mikroskop pro nastavení přesné pozice na vzorku s objektivy pro detailní nastavení (zvětšení 20× či více a 10×) a objektivy pro široké nahlížení (zvětšení 3× či méně a 5×).
Systém umožní zarovnání vzorku dle existující struktury na povrchu vzorku.
Požadovaná přesnost zarovnání je ±500 nm nebo lepší.
Optický profilometr umožní automatickou kontrolu povrchu vzorku s rozlišením v ose z alespoň 100 nm včetně zobrazení profilu povrchu vzorku a 2D řezu v ose x a y.
Optický stůl pro izolaci vibrací,
S bezpečnostní funkcí interlock
PŘÍLOHA Č. 2
Technická specifikace
Aparatura pro aktivaci povrchu a plazmatické leptání
GENERAL DESCRIPTION
The ICP plasma etch system SI 500 enables the application of a wide range of plasma etching processes from normal RIE to high density plasma and is suited to etch dielectrics, silicon, silicon compounds, Ill-V semiconductors, and metals.
The quoted ICP plasma etcher is capable of performing etching of silicon and related materials. It is especially suited for deep silicon etching.
Outstanding features are the planar inductively coupled plasma source PTSA 200, the substrate electrode with helium backside cooling featuring dynamic temperature control, the adaptive wafer handling, and the high conductance vacuum system. All relevant parameters of the equipment are controlled automatically.
The substrate electrode is designed of handling of up to 6" wafers / carriers. The quoted plasma etcher is prepared for loading of up to 4" wafers and carrier. Regular wafers with smaller diameter are loaded via 4" carrier with 3" or 2" clamping ring.
Wafers are loaded via vacuum load lock. Carriers might be used for pieces of wafers. A pick-and-place system enables clean and careful substrate handling. Programmable purging cycles for the load lock ensure operators safety and chamber cleanliness.
The system is operated by advanced hard- and software with client — server architecture. A well proven, reliable remote field controller (RFC) is used for the real time control of all components via the serial field bus (Interbus). Basic safety interlocks are realized by this RFC.
A state of the art PC with Windows operating software is used for the process control, for interlock against operator error, for visualization, and for a lot of comfortable tools.
The plasma etcher is controlled by SENTECH plasma equipment operation software.
Sl 500 SENTECH Sl 500 PTSA ICP PLASMA ETCHER
Planar Inductively Coupled Plasma Source PTSA 200
Planar triple spiral antenna for coupling RF into plasma via dielectric window (A1203),
Integrated automatic matching network for 50 Ohm output impedance of RF generator Pressure range 0.2 Pa ... 10 Pa,
Power range 100 ... 1200 W,
Plasma density up to 5* 1011 cm-3,
Electron temperature ≤ 2 eV,
Minimum ion energy 10 eV,
(parameter for Ar plasma)
Water cooled
RF power supply (ICP source)
13.56 MHz, 2000 W,
Switched power supply,
Pre-selection and control of forward power or bias voltage,
Measuring and visualization of forward and reflected power, and dc bias voltage,
Air-cooled
Substrate electrode
Electrode equipped with lift pins and mechanical clamping mechanism
Process temperature is actively controlled by heating with resistive heater and cooling by chiller or heat exchanger
Wafer / carrier diameter 4" / 100 mm,
Maximum sample height 9 mm,
RF biased insulated substrate plate
Mechanical clamping of wafers /carriers with 5 mm edge exclusion,
Anticorrosive lip seal for low gas leakage heat transfer from wafer/ carrier to electrode via He backside film (He back side "cooling") at optimized He backside pressure of 5 to 12 mbar
Dynamic temperature control by resistance heating against external liquid cooling circuit
Electrode temperature range -20°C to +250°C
Chiller FP 51-SL for cooling down to -20°C
1000 W cooling power at -20°C
Distance between dielectric couple plate and substrate electrode can be manually adjusted between 120 and 80 mm for process optimization,
It is fixed during operation of the plasma etcher
RF power supply (for substrate electrode, BIAS generator)
13.56 MHz
Switched mode power supply,
Pre-selection and control of forward power or bias voltage,
Measuring and visualization of forward and reflected power, and dc bias voltage,
Automatic matching network,
Air-cooled
Vacuum system with anticorrosive pump system
Magnetically levitated turbomolecular pump, heated, anticorrosive design, DN 200, water cooled, ATH 1600
MT (Xxxxxxxx),
Pumping speed 1360 l/sec (N2)
Dry pump A 124 H (Xxxxxxxx)
110 m3/h pumping speed,
Water cooled,
N2 purging 25-60 slm, depending on operation
Stepping motor driven fast throttle valve DN 200,
Penning gauge,
Heated capacitance manometer for process control (Baratron), 0.1 mbar
Base pressure < 10-6 mbar
Gas supply system
The gas box with exhaust is hosted in the rack of the plasma etcher close to the reactor chambre
12 gas lines can be hosted in the standard gas box, each gas line comes with MFC, particle filter and pneumatic cut off valve. Corrosive gas lines are equipped with bypass.
Metal seals for lines of corrosive gasses
Gasses: SF6, 02, C4F8, CHF3, Ar
Fast digital MFC for SF6, 02, C4F8 gas line
Orbitally welded stainless steel electropolished lines
(6mm outer diameter), coupled with VCR fittings
Aluminium reactor chamber
Chamber made from monolithic aluminium ingot
Material AIMgSi 0.5
Upper flange with mounted PTSA 200 ICP plasma source,
DN 200 side flange for vacuum system,
Side flange for slit valve 32 x 222 mm to loadlock,
50 mm spacer ring,
DN 40 side view port with RF shield,
2 x DN 40 blind fittings for plasma analysis and end point detection,
DN 16 KF flange for CM (Baratron)
Vacuum load lock
Chamber made from monolithic aluminium ingot
Material AIMgSi 0.5
7 l volume
DN 160 view port in lid
Rectangular gate valve, 32 x 222 mm
Dry pump, ACP 15, 14 m3/hour
Base pressure <0.1 mbar
Pirani gauge
Evacuated via soft start valve, and purged with nitrogen
Hardware control
by remote field controller (RFC) and serial field bus
Basic hardware safety interlocks
Extended error diagnostics
Remote servicing and maintenance
Control rack
(19" rack) comprises:
Remote field controller (RFC)
RF generators
Main / emergency switch
Mains box
Separate mains box for 3 phase power supply,
Electrical interface between ICP etcher and user's power supply
PC
State of the art desktop PC
SENTECH's plasma process system operating software
The software comprises:
System monitor (continuously updated mimic diagram),
Data logging (ASCII file),
Recipe editor,
Parameter display,
Manual and automatic process control,
Software interlocks,
Parameter controlled process step execution,
The operation software allows recipe as well as step wise processing of the plasma tool. A user can watch the command execution, or the process run on the monitor, following a schematic flow or the data logging graphics. The executed recipe steps are marked and the state of the system is displayed. The settings and the actual values of all analogue parameters are displayed. A process runs automatically unless it is manually interrupted by the user, or when a parameter reaches or is beyond the interrupt limit. Interrupt limits can be defined for all parameters. In the manual mode each step can be executed by mouse click. The user-friendly software enables quick and comfomtable process development and recipe generation applying the powerful recipe editor. Extended user management, including administrator level and password protected access is included.
SENTECH operation software runs under Windows 7.
Reactor body heating (outside)
(maximum 50°C)
Transport, installation and training
Technická specifikace
Požadované parametry přístroje |
Splnění |
|
Aparatura pro aktivaci povrchu a plazmatické leptání |
|
|
Rychlost leptání Si, Si02 minimálně 5 µm/min. |
≤ 10 µm/min |
|
Asoect ratio oro Si, Si02 minimálně 50:1 |
≤ 50:1 |
|
Vodou chlazený planární zdroj indukčně vázané plazmy |
ANO |
|
Při rozsahu tlaku 0,2 - 10 Pa a výkonu zdroje 100 — 1200 W je dosažena hustota plazmy 5 x 1011 cm-3 a minimální energie iontů 10 eV. |
ANO |
|
Dodávka včetně chladícího termostatovaného vodního okruhu |
ANO |
|
Vzduchem chlazený vysokofrekvenční generátor pro ICP zdroj o výkonu 1200 W s kmitočtem 13,56 MHz |
ANO |
|
Spínaný napájecí zdroj |
ANO |
|
Možnost výběru kontroly předávaného napětí nebo předpětí |
ANO |
|
Možnost měření a vizualizace předávaného a odraženého výkonu a přivedeného stejnosměrného předpětí. |
ANO |
|
Elektroda určená pro substráty s aktivně kontrolovanou teplotou a mechanicky ovládaným uchycením substrátů k elektrodě. |
ANO |
|
Možnost uchycení kruhových substrátů do velikosti 6 palců. |
ANO |
|
Protikorozivní těsnění mezi povrchem horní elektrody a waferem (popř. nosičem). |
ANO |
|
Kontrola teploty umožňuje jak aktivní ohřev, tak aktivní chlazení elektrody, a to v rozsahu pokojová teplota až 250°C |
ANO; rozsah -20°C až 250°C |
|
Manuální nastavení vzdálenosti mezi elektrodou pro substráty a dielektrickou plotnou RF zdroje před leptacím procesem v rozsahu 80 - 120 mm |
ANO |
|
Držák pro uchycení sbstrátů nestandardních rozměrů o velikosti menší než 6 palců. |
ANO |
|
Vzduchem chlazený vysokofrekvenční generátor pro elektrodu o výkonu 600 W |
ANO |
|
Možnost výběru kontroly předávaného napětí nebo kontroly předpětí v průběhu leptacího procesu. |
ANO |
|
Možnost měření a vizualizace předávaného a odraženého výkonu a steinosměrného předpětí |
ANO |
|
Monolitická hliníková reakční komora, uzpůsobená pro možnost připojení systému pro sledování vlastností plazmy |
ANO |
|
Systém pro přívod plynů poskytuje možnost využití alespoň 10 kombinací plynů. |
ANO; 12 plynů |
|
Systém bude připraven pro okamžitou instalaci těchto pěti plynů: SF6, C4F8, 02, CHF3, Ar |
ANO |
|
Je vybaven jednotkami pro kontrolu průtoku shora uvedených plynů, filtrem částic a pneumatickým uzavíracím ventilem. |
ANO |
|
Pro rozvody plynů budou použity trubky z nerezové oceli, s vnějším průměrem 6 mm a budou použity spojky s technologií VCR (tzv. Vacuum Coupling Radiation). |
ANO |
|
Rozvody pro korozivní plyny budou vybaveny bypassem s kovovým těsněním. |
ANO |
|
Minimální vybavení pro Boschův proces: |
|
|
termostat tepelného výměníku pro chlazení elektrody — rozsah termostatování minimálně od -30°C do +80°C s chladícím výkonem alespoň 500 W při 0°C |
ANO |
|
rychlé MFCs (ovladače průtoku plynů) pro střídavé připouštění plynů pro leptací a depoziční fáze procesu |
ANO |
|
Systém podavače vzorku do reakční komory (Load lock systém) s průzorem pro pohledovou kontrolu vzorku |
ANO |
|
Součástí stanice bude rozhraní pro její ovládání počítačem, případně pro možnost vzdálené síťové kontroly stanice operátorem nebo servisu. |
ANO |
|
Vývěvy — vakuový systém |
|
|
Vodou chlazená turbomolekulární pumpa v antikorozním provedení o výkonu rychlosti čerpání alespoň 1360 L/s (N2) včetně chladícího termostatovaného vodního okruhu |
ANO; ATH 1600 MT (Xxxxxxxx) |
|
Rotační pumpa o výkonu čerpání min. 40 m3/hod |
ANO; A 124 H (Xxxxxxxx), 110m3 |
suchá pumpa |
Suchá pumpa pro Load lock systém s rychlostí čerpání alespoň 14 m3/hod. |
ANO; ACP15, 14m3/hod. |
suchá pumpa |
Vakuový systém umožňuje udržovat stabilní tlak v reakční komoře v průběhu leptacích procesů a minimální tlak s využitím vakuového systému doshuje 10-6 mbar. |
ANO |
|
Počítač a řídící software |
|
|
Pracovní stanice s minimálními parametry:
|
ANO |
|
Ovládací software |
|
|
Ovládací software umožňuje průběžné online monitorování systému stanice s možnosti logování dat. |
ANO |
|
Umožňuje zobrazování a monitorování změn parametrů v průběhu spuštěných procesů, dále manuální nebo automatickou kontrolu procesů a spouštění jednotlivých kroků procesů na základě dosažení požadovaných parametrů v jednotlivých krocích. |
ANO |
|
Obsahuje editor procesů s možností ukládání přednastavených protokolů. |
ANO |
|
Součástí je program pro konfiguraci jednotlivých kroků Boschova procesu. |
ANO |
|
Atomic layer deposition Sentech Sl PEALD
GENERAL DESCRIPTION
The atomic layer deposition tool Sl PEALD enables the nanoscalecontrolled deposition of ultra-thin conformal, pinhole- and particle-free films with excellent uniformity.
The ALD Sl PEALD enables the application of a wide range of ALD processes including the deposition of oxides, nitrides and metals by thermal as well as plasma enhanced processing.
Outstanding features of the Sl PEALD are the compact design of the tool, the modularity of the set-up, the small footprint, the diagnostics capabilities, the plasma source based on SENTECH strong background in plasma processing, and the operation software. All parameters are controlled automatically.
The substrate stage can adapt maximum 8" wafers / carriers. The spatula for loading wafers and carries is designed for direct loading of 4", 6" and 8" wafers and carriers for pieces.
Substrate stage and reactor wall temperature can be controlled up to 400°C and 150°C, respectively.
The system is operated by advanced hard- and software with client - server architecture. A well proven, reliable remote field controller (RFC) is used for the real time control of all components via the serial field bus (Interbus). Basic safety interlocks are realized by this RFC. A state of the art PC with Windows 7 operating software is used for the process control, for interlock against operator error, for visualization, and for a lot of comfortable tools.
SENTECH ALD Tool with Load Lock and Plasma Source
The tool comprises:
Reactor chamber for ALD processes
The temperature controlled heated chamber is designed for up to 200 mm wafers and carriers. The chamber is made from a monolithic aluminum ingot contributing to a low leakage
Aluminum alloy reactor chamber
Electrical heated and temperature controlled up to 150°C
Upper flange DN 100 for adaptation of optional available plasma source
Lower flange (DN 63) for pumping unit
1 x DN 16 KF flange and 1 x DN 25 flange for in-situ monitoring (e.g. QMS, QCM optional)
Side flange for slit valve 32 x 222 mm to load lock
4 inlets for precursors
Heated sample susceptor
Max. 200 mm wafers or carriers
Support diameter 220 mm
Electrical heated and temperature controlled up to 400°C
Thermocouple
Lift pins for sample transfer
SENTECH True Remote CCP source
The plasma source enables an effective creation of radicals, It is designed as true remote source. Gases can be fed into the source via separate MFC controlled lines. Up to 4 separate lines are optional available.
The plasma source in charge coupled parallel plate design is mounted on top of the ALD chamber.
Operation pressure 0.07 -1.0 mbar
Operation power 50 - 300 W
The True Remote CCP source comprises:
300 W, 13.56 MHz RF generator, water cooled
Automatic rf matching network
Closed cycle heat exchanger for cooling
Two complete gas line included
Gases: O2 for deposition of oxides, N2 for deposition of nitrides
Vacuum valve for plasma source
Separates plasma source from reaction chamber
Necessary for combination of thermal and plasma deposition processes
Load lock
The load lock allows the handling of samples without ventilation of the reactor chamber. Optionally, the load lock can be integrated into a glove box to load the samples in a well-defined atmosphere.
Aluminum alloy load lock chamber made from monolithic ingot
Max. 200 mm wafers/carriers
Viton O-ring seals
Dry pump ACP 15 (Xxxxxxxx), 14 m3/hour
Base pressure <10-1 mbar
Vacuum unit
Dry vacuum pump Adixen A 604 H with several sensors and controls to enhance reliability and operation
Water cooled and nitrogen purged
(N2 consumption: minimum 25 slm, operation flow 60-120 slm)
Base pressure ≤ 10-2 mbar
Baratron pressure sensor, range up to 1 mbar
Automatic throttle valve to control operation pressure independent from gas flow and the residence time of the precursor materials in the reactor
Gas and precursor supply system
Gas and precursor cabinet comprises MFC's controlled gas lines, with cut off valves and particle filters.
The cabinet contains also the precursor cylinders with precursor lines and fast ALD valves. Each line has a dedicated cut off valve in front of chamber inlet. Each precursor line can be heated up to 200°C.
Precursors with high vapor pressure are delivered by direct draw line.
Precursors with low vapor pressure are delivered by bubbling method.
The standard gas cabinet offers space for up to 6 precursor lines and 7 gas lines.
Precursor lines:
Aluminum: TMA, direct draw line
Water; direct draw line
Titanium: TTIP, bubbler line
Silicon: 3DMAS direct draw line
Zink, DEZ, direct draw line
2 gas lines for purge and carrier gas
One for water and one for the precursors
Gas: N2
Precursor cylinder for Ti
300 ml stainless steel bubbler
2 valves, inlet and outlet
Precursor cylinder for direct draw lines
50 ml stainless steel bubbler
2 valves, inlet and outlet
Heating jacket for precursor container (Ti, Si)
Standard container: 300 ml stainless steel bubbler from STREM Chemicals (others on request)
Max. temperature: 200°C
Hardware control
by SENTECH field proven Remote Field Controller (RFC) and serial field bus
Basic hardware safety interlocks
Extended error diagnostics
Remote servicing and maintenance
Control rack (integrated)
comprising
Remote field controller (RFC)
Control electronics for temperatures and gas flows
Main / emergency switch
Mains box
Separate mains box for 3 phase power supply,
Electrical interface between ALD and user's power supply
Total electrical power input: 10 kW
Power consumption: 3 kW
PC
State of the art desktop PC
SENTECH's plasma equipment operating software
The SENTECH software is based on Windows. The user-friendly interface enables quick and comfortable process development and recipe generation. Commands and input data that are important for safety are controlled by the RFC independent on the PC. The system can be used in the recipe mode or the manual mode. In manual mode all elements can be operated and set directly whereas in the recipe mode a predefined sequence of single steps is performed automatically.
To organize ALD cycles a special software part, called "sequencer", is used. The 16-channel sequencer is able to call up different hardware components like (ALD) valves and MFCs within one sequence (cycle). Time intervals and flow rates can be chosen arbitrarily. The minimal time step is 10 ms. A cycle is repeated a number of times, as defined in the recipe.
The software comprises:
System monitor (continuously updated mimic diagram)
Data logging (ASCII file)
Recipe editor
Sequencer to define ALD cycles (minimal time step 10 ms)
Parameter display
Manual and automatic process control
Software interlocks
Parameter controlled process step execution
Extended user management, including administrator level and password protected access
Remote service capability
ALD Real Time Monitor for growth processes
HeNe laser (632.8 nm)
Spot size 1 mm
Adapters for height and tilt adjustment of ellipsometer heads and correction of different sample thickness
Min. measurement time ~ 40 ms
PC, control unit
Operation software with interface to ALD software for real time control
Preparation for insitu ellipsometric measurements
Comprising
Reactor lid with windows for ellipsometric measurements
Strain-free windows
Ellipsometer head fixtures at reactor rack designed for SENTECH real time monitor or spectroscopic ellipsometer SER 801 / SER 801 DUV
Glovebox
including integration of ALD-system
Internal dimensions width x depth: 1213 mm x 764 mm
Purity: less than 1ppm for O2 and H2O
Mechanism to transfer samples from transport box without disruption of N2 atmosphere
Two shelfs for samples
Transport, installation and training
Technická specifikace
Požadované parametry přístroje |
Splnění |
Atomic layer deposition |
|
Vzorky jsou vkládány pomocí přechodové komory — loadlocku |
ANO |
Loadlock pro vkládání substrátů je napojen na rukávový box (glove box). |
ANO |
Depoziční komora je vybavena ohřevem substrátů na teplotu minimálně 400°C s přesností na 1°C nebo lepší. |
ANO, rozsah teploty do 400°C |
Depoziční reaktor je vybaven držáky pro depozici na substrátech o velikosti 200mm (8”); 150mm(6”), 100 mm(4”) a malých substrátů (20x20 mm a 10x10mm). Depozici je možné provádět také na porézních substrátech metodou nuceného průtoku skrz substrát (součástí je sada držáků pro porézní vzorky o různém průměru). Součástí dodávky jsou také vícepozicové držáky. |
ANO |
Vnější vakuový plášť reaktoru nevyžaduje vodní chlazení. |
ANO |
Komora musí být opatřena přírubami pro in-situ eliepsometrii se závěrkami proti deposici materiálu na průchozích oknech. |
ANO |
Kontejnery prekurzorů a rozvody prekurzorů a plynů |
|
Veškeré ventily a regulátory průtoku (MFC) jsou automaticky ovládány řídícím počítačem. |
ANO |
Depoziční reaktor obsahuje minimálně 4 zcela nezávislé linky (rozvody) prekurzorů. Každý rozvod (linka) prekurzoru je vybaven vlastním hmotnostním průtokoměrem, pulzačním ventilem a měrkou tlaku. |
ANO, 4 samostatné rozvody |
Každý rozvod musí končit svým vlastním nezávislým vstupem do komory. |
ANO |
Proud prekurzorů a koreaktantů musí směřovat shora dolů od zdroje plasmy k substrátu (top-flow design). |
ANO |
Depoziční zařízení je vybaveno 3 linkami/rozvody pro připojení prekurzorů těkavých za pokojové teploty. Odvod par do reaktoru je realizován průtokem s pomocí nosného plynu. Součástí dodávky je celkem 5 kontejnerů na prekurzory pro odpařování za pokojové teploty. |
ANO; 3x direct line, 1xbubbler line, celkem 5 kontejnerů prekurzorů |
Dodávka obsahuje prekurzory nutné pro otestování růstového procesu. |
ANO |
Depoziční zařízení je vybaveno vyhřívanými rozvody na 200°C se 3 zdroji prekurzorů vyhřívaných na teplotu minimálně do 60°C. |
ANO |
Počítač a řídící software |
|
|
ANO |
Software umožňuje vzdálený přístup pro servisní zásahy a kontrolu procesů. Software umožňuje vytváření receptů pro procesy, jejich ukládání, řízení a monitorování celého depozičního procesu. |
ANO |
Zdroj plazmatu |
|
Nastavitelný výkon v rozsahu minimálně 50-300 W |
ANO; 50 - 300W |
Zdroj plasmy musí poskytovat možnost oddělení vysokoenergetických fotonů a iontů od substrátu. |
ANO |
Vývěvy |
|
Depoziční zařízení je čerpáno suchou vývěvou s boosterem. Suchá vývěva má čerpací výkon minimálně 550 m3/h. Základní tlak nłzsł než 10 Pa. |
ANO; Adixen pumpa A604H, výkon 560m3/h |
Suchá vývěva má ložiska proplachovaná dusíkem případně sušeným vzduchem a vodní chlazení. |
ANO |
Monitor růstu pracující v reálném čase |
|
Systém umožňující velmi rychlé monitorování adsorpčních a desorpčních procesů s dobou odezvy menší než 40 ms. |
ANO |
Uzavřený chladící okruh |
|
pro chlazení zdroje plazmatu pro reaktor. |
ANO |
Přechodová komora a load-lock |
|
bude čerpán suchou pumpou na tlak nižší než 10 Pa. |
ANO |
Rukávový box |
|
Depoziční zařízení je připojeno přes load-lock k rukávovému boxu (glovebox), který má šířku minimálně 1200 mm a hloubku minimálně 650 mm |
ANO; 1213 mm x 764mm |
box s čističkou plynu pro práci v řízené atmosféře s < 1 ppm O2 a H2O; |
ANO |
porty pro rukavice: 2 porty, průměr 220 mm, včetně butylových rukavic; |
ANO |
mechanismus pro přesun vzorků z transportní krabice bez narušení dusíkové atmosféry |
ANO |
box bude vybaven minimálně 2 policemi na vzorky |
ANO |
Odpadní plyny jsou zachycovány v čistícím absorpčním systému. |
ANO; scrubber CS Clean |
box bude vybaven minimálně 2 policemi na vzorky |
ANO |
Odpadní plyny jsou zachycovány v čistícím absorpčním systému. |
ANO; scrubber CS Clean |
Litografický systém s přímým optickým zápisem do fotorezistu
Technické parametry zařízení:
Jedná se o sestavu litografického systému s přímým (bezmaskovým) optickým zápisem do fotorezistu, zařízení MicroWriter model ML3 od výrobce DMO. Součástí sestavy je řídicí systém, optický stůl pro izolaci vibrací, zapisovací systém s optickým profilometrem a automatickým zaostřováním. Nabízený model zajistí splnění všech požadovaných parametrů a bude mít tyto technické specifikace:
Litografický systém s optickým zápisem
Integrovaný optický profiloměr s rozlišením <100 nm
Vlnová délka 385 nm pro pokrytí UV rezistu SU-8 i dalších širokopásmových rezistů (g-, h- a i-line)
Minimální posuv stolku XY: 50 nm
Rozlišení systému je volitelné v rozsahu 0,6 µm až 5 µm, a to ve čtyřech hodnotách: 0,6 µm, 1 µm, 2 µm a 5 µm.
Systém umožňuje plně automatizované přepínání mezi optickým rozlišením resp. velikostí zapisovacího svazku a to bez nutnosti manuálně měnit optiku
Litograf je vybaven automatickým zaostřovacím systémem (autofocus) s vysokou přesností nastavení na existující struktury na povrchu vzorku
Mikroskop pro nastavení přesné pozice na vzorku se dvěma objektivy 10x a 20x pro detailní nastavení a dále s objektivem 5x a 3x pro široké nahlížení na plochu vzorku
Řídící jednotka pro kompletní systém včetně řízení polohování a počítačová sestava pro obsluhu
Řídicí jednotka včetně PC sestavy (Dell Optiplex s Windows 10, LED monitor, myš, klávesnice), řídícího softwaru a SW pro návrh struktur
Zapisovací rychlost je:
25 mm2 / min při 0,6 µm rozlišení
50 mm2 / min při 1 µm rozlišení
100 mm2 / min při 2 µm rozlišení
180 mm2 / min při 5 µm rozlišení
Zapisovací oblast až 195 mm x 195 mm
Maximální velikost substrátu je 230 mm x 230 mm x 15 mm
Zapisovací oblast nemá omezení v rozích
Optický profiloměr v ose z pro automatickou kontrolu povrchu vzorku, rozlišení v ose z 100 nm
Systém umožňuje zápis do rezistu SU-8 0 tloušťce >100 mikrometrů
Automatické vyhodnocování tloušťky vzorku podél osy x a y v rastu včetně identifikace jakéhokoliv vyboulení nebo sklonu (bow, wedge)
Systém pracuje s elektroniku rozlišující 255 úrovní šedé
K jednotlivým expozičním úlohám je možné nastavit různé expoziční režimy
Program umožňuje sestavování úloh (job list builder) a také automatické generování expozičních průběhů
Dávkování množství ozáření a gradient zaostření jsou nastavitelné podél os x a y v daném rastru
Teplotní stabilizace: ± 0,5 °C
Přesnost zarovnání < ± 500 nm
Optický stůl pro izolace vibrací s držákem monitoru a klávesnice s myší
Bezpečnostní funkce interlock
Seznam položek pro nabídku vzduchotechniky a trubních rozvodů |
|
Materiál: |
Počet: |
Kompresorová stanice a generátor dusíku: |
|
Kompresor - kompletní sestava na vzdušníku 300 litrů a se sušičkou, min. 7,5 kW, 10bar verze Kaeser |
1 |
Cyklonový odlučovač včetně odvaděče |
1 |
Filtr pevných části - viz popis, včetně el. odvaděče |
1 |
Filtr pevných částic jemný - viz popis |
1 |
Filtr olejových částic a par - viz popis |
1 |
Generátor dusíku S2 |
1 |
Zirkonový senzor pro měření - 10-1000 ppm |
1 |
Procesní zásobník 270 l/11 bar-pozinkované provedení |
1 |
Zákonná armatura pro vzdušníky dle ČSN |
1 |
Filtr pevných částic na výstup z expanzního zásobníku |
1 |
Separátor olej - voda |
1 |
Veškeré potrubí nutné k propojení zařízení |
1 |
Veškeré provozní zkoušky a revize, ES prohlášení |
1 |
Veškerá režie, doprava, montáž, instalace apod. |
1 |
Modbus RS 485 / USB převaděč |
1 |
Expanzní zásobník nerezové provedení 3m3/11 bar |
1 |
Zákonná armatura vzdušníku |
1 |
Kontejnerové řešení: |
|
Dodávka kontejneru, úprava, zateplení, doprava na místo, bez stavebních úprav na místě. |
1 |
Vzduchotechnika, odvětrání kompresorů a generátoru dusíku, odvětrání prostoru |
1 |
MaR kontejneru |
1 |
Vlastní elektrorozvaděč kontejneru, vytápění, osvětlení, kabeláž, drobný mat. |
1 |
Práce na zprovoznění kontejneru na místě |
1 |
Rozvody plynů - svařovaný nerez |
|
Potrubí - odhad |
106 m |
Kolena |
30 ks |
T kusy |
12 ks |
Ostatní tvarovky a koncové prvky |
14 ks |
Kotvení |
soubor |
Montáž + doprava montérů |
soubor |
Stavební a bourací práce, příprava čistých prostor
Předmětem nabídky je příprava a realizace čistých prostor. Plnění bude provedeno ve dvou částích a to v následujícím pořadí.
Realizace projektové dokumentace
Realizace vlastního díla na místě určení, včetně příslušné validace čistého prostoru dle ČSN EN ISO 14 644-1 a 3 akreditovanou laboratoří dle ČSN EN ISO/IEC 17 025
Cena je zpracována Na základě zadávací dokumentace a prohlídky místa plnění. Do nabídky je doplněna dodávka požadovaného technologického vybavení.
1.1 Čistý prostor
1.1.1 Obecný popis čistého prostoru
Čistý prostor bude realizován v prostorech ČVUT v Praze, Fakulta elektrotechnická, katedra mikroelektroniky na adrese Xxxxxxxxx 0, Xxxxx 0- Xxxxxxx. Čistých prostor budou sloužit pro instalaci technického zařízení objednatele. Třída čistoty bude ISO Class 7, dle EN ISO 14644 (respektive 10.000 dle Federal standard 209E, respektive C dle cGMP).
Výška
podhledu čistého prostoru je uvažována 3 m.
Dispoziční členění je uvedeno na následujícím náčrtu a bude upraveno v rámci přípravy akce (doplnění materiálové a personální propusti).
1.1.2 Projektová část
Projekt bude řešen jako jednostupňový. Z hlediska výkonových fází se jedná o dokumentaci pro provedení stavby.
Z hlediska profesí bude řešena část týkající se bezprostředně technologie čistých prostor. Jedná se tedy o následující části:
Vzduchotechnika vestavby
Chlazení pro VZT
Vestavba čistého boxu
Silová část elektro a měření a regulace pro VZT
Silová část a osvětlení boxu
Slaboproudé rozvody — signalizace otevření dveří
Vybavení personální propusti a laboratorního boxu
Součástí této nabídky je vybavení personálních propustí.
Projektová dokumentace bude předána ve třech materializovaných výtiscích + na jednom digitálním nosiči.
Pro zpracování projektu požadujeme předat projektovou dokumentaci stávajících prostor v dotčených profesích, včetně požární zprávy k dotčeným objektům a protokolu o prostředí. (Bude upřesněno na základě jednání)
1.1.3 Vestavba čistého prostoru
Čistou vestavbu navrhujeme realizovat v místnosti 0141e a 0141 d.
Mezi místnosti 0141e a 014d bude doplněna personální propust se signalizací otevření dveří a materiálová propust. Velikost personální propusti cca 1500x1000mm, materiálová propust
Čistý prostor bude zhotoven z montovaných příček. Podhled v čistém prostoru bude kovový se zapuštěnými osvětlovacími tělesy a přívodními filtračními nástavci. Dveře budou ve stejném provedení jako příčky čistého prostoru. Podlaha v čistých prostorech je stávající zdvojená.
Návrh prostoru vestavby bude respektovat zadání.
Vybavení prostor bude následující
Signalizace otevřených dveří
Analogové diferenční přetlakoměry,
Překroční lavice
Lepící rohož
Regál pro uložení oděvů a čistých obleků
1.1.4 Vzduchotechnika
Prostor bude vybaven vzduchotechnikou zajišťující minimálně dvacetinásobnou výměnu vzduchu za hodinu. Vzduchotechnika bude pracovat jako přetlaková a bude udržovat v čistém prostoru požadovaný tlakový obrazec. Ventilátor bude pracovat v režimu plný provoz, nebo útlum (50% výkonu).
Vzduchotechnika
bude zajišťovat směšování s cca 15% podílem čerstvého
vzduchu
ohřev,
chlazení a filtraci. Chladící jednotka bude umístěná vně
objektu. Filtrace vzduchu bude tří stupňová, Třetí stupeň bude
řešen pomocí filtračních nástavců zapuštěných do podhledů
v čistých prostorech. Filtrační nástavce budou osazeny filtry
třídy H 13. Vzduchotechnika bude vybavena elektrickým ohřevem
vzduchu. Vlhčení bude zajišťovat minimální hygienickou hladinu
vlhkosti.
Vzduchotechnika
bude udržovat požadované jakostní třídy v jednotlivých
místnostech. ISO7, dle ČSN EN 14644, a třídu C, dle EC CMP Volume
4 Annex 1
V provozním režimu bude v čistém prostoru zajištěna teplota 22°C ± 2°C a vlhkost min 35% r.v.
Vzduchotechnika
je koncipována pro prostředí bez nebezpečí výbuchu
Klimatizační
jednotka bude umístěna v prostoru, který bude upřesněn v dalších
stupních zpracování PD
1.1.5 Elektroinstalace a systém měření a regulace
Systém vzduchotechniky bude ovládán autonomním řídicím systémem.
V rámci silnoproudých rozvodů je součástí nabídky napojení zařízení vzduchotechniky.
V čistém prostoru bude instalováno osvětlení s intenzitou minimálně 500 Ix. Světla budou integrovány do podhledu. Z důvodu bezpečnosti bude do určených svítidel doplněn záložní zdroj.
1.1.6 Signalizace v čistých prostorech
Pro zajištění definované čistoty budou na rozhraní zón nainstalovány diferenční přetlakoměry a dveře zabezpečeny signalizací otevřených dveří. Tato signalizace bude zajišťovat jak optickou tak i akustickou signalizaci stavu.
1.1.7 Chlazení
Jako zdroj chladu budou instalovány kondenzační jednotky, které budou umístěny na konzolách na stěně budovy. Pro zpracování projektu bude uvažováno s tepelným příkonem cca15kW od technologie. Pro technologické chlazení je doplněn rozvod chlazené vody o výkonu 18kW včetně zdroje chladu.
1.1.8 Topení
Jako
zdroj tepla bude sloužit elektrický ohřívač vzduchu
1.1.9 Elektroinstalace v rámci čistých prostor
V
rámci čistých prostor bude realizován standardní rozvod pro
zásuvky a světla
Stávající
zásuvky budou přemístěny na stěny vestavby čistých prostor.
Součástí nabídky je rovněž:
Laboratorní stůl s dřezem
Zdroj deionizované vody
Digestoř a skříň chemie s odtahem
Strana 8 z 43