CUARTA SECCION PODER EJECUTIVO

SECRETARIA DE ECONOMIA

ACUERDO por el que se sujeta al requisito de permiso previo por parte de la Secretaría de Economía la exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva y sus modificaciones del 13/12/2011, 7/07/2012, 22/10/2012, 8/02/2013.

Al margen un sello con el Escudo Nacional, que dice: Estados Unidos Mexicanos.- Secretaría de Economía.

Con fundamento en los artículos 34 de la Ley Orgánica de la Administración Pública Federal; 4o. fracción III, 5o. fracciones III y X, 15, 17, y 21 de la Ley de Comercio Exterior; 15 fracción I, del Reglamento de la Ley de Comercio Exterior; 1, 4, 5 fracción XVI, 45 y 46 del Reglamento Interior de la Secretaría de Economía, y

CONSIDERANDO

Que el 00 xx xxxxx xx 0000, Xxxxxx suscribió la Carta de las Naciones Unidas por la que se creó la Organización de las Naciones Unidas (ONU), tratado aprobado por el Senado de la República el 5 de octubre de 1945 y publicado en el Diario Oficial de la Federación el día 17 del mismo mes y año;

Que en virtud del artículo 10 de la Carta de las Naciones Unidas, la Asamblea General de la ONU se encuentra facultada para emitir recomendaciones sobre cualquier asunto previsto en dicho tratado internacional;

Que el artículo 25 de la Carta de las Naciones Unidas establece que los Miembros de la ONU, entre ellos México, convinieron en aceptar y cumplir las decisiones del Consejo de Seguridad de dicha organización, órgano al que se le ha conferido la responsabilidad de actuar para mantener la paz y seguridad internacionales;

Que en términos de la Resolución 64/40 de la Asamblea General, emitida el 12 de enero de 2002, el desarme, control xx xxxxx y no proliferación son esenciales para el mantenimiento de la paz y seguridad internacionales, y que la existencia de controles nacionales efectivos sobre la transferencia xx xxxxx, equipo militar, bienes de uso dual y tecnologías resulta una herramienta importante para alcanzar dichos objetivos;

Que el Consejo de Seguridad aprobó, el 28 xx xxxxx de 2004, la Resolución 1540 mediante la cual decidió que todos los Estados deben adoptar y hacer cumplir medidas eficaces para instaurar controles nacionales, a fin de prevenir la fabricación y proliferación xx xxxxx de destrucción masiva, sus sistemas vectores y materiales conexos;

Que las resoluciones en comento invitan a los Estados parte a emitir o mejorar su legislación nacional, regulaciones y procedimientos a fin de garantizar el control efectivo sobre la transferencia de dichos bienes;

Que a pesar de que México ha ratificado diversos tratados multilaterales que promueven el desarme, el control xx xxxxx y la no proliferación, y que ha incorporado en su legislación nacional regulaciones y restricciones no arancelarias a la exportación de ciertos bienes, en la actualidad cuenta con instrumentos normativos que regulan parcialmente la exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva, así como sus partes y componentes;

Que el inciso c) del artículo XXI del Acuerdo General sobre Aranceles Aduaneros y Comercio de 1994, parte integrante del Acuerdo de Marrakech por el que se establece la Organización Mundial del Comercio, establece que sus disposiciones no deben interpretarse en el sentido de impedir a una parte contratante la adopción de las medidas en cumplimiento de las obligaciones internacionales contraídas en virtud de la Carta de las Naciones Unidas para el mantenimiento de la paz y de la seguridad internacionales;

Que a efecto de dar cumplimiento a sus obligaciones en el marco de la ONU resulta necesario que México aplique un régimen eficaz de control de las exportaciones xx xxxxx convencionales, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío;

Que para coadyuvar al desarme, control xx xxxxx y la no proliferación, el permiso previo de exportación resulta el mecanismo más eficaz para regular la exportación xx xxxxx convencionales, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío hacia países con industrias bélicas y con fines terroristas;

Que, a fin de consolidar el régimen de control de exportaciones en México, es necesario adoptar como referencia la normatividad establecida por los distintos instrumentos que regulan los Regímenes de Control de Exportaciones en el ámbito internacional, debido a que éstos ya han mostrado su efectividad y se han consolidado como una herramienta útil para la implementación y fortalecimiento de los principios sobre los queMéxico establecerá los permisos previos a las exportaciones xx xxxxx convencionales, sus partes y

componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de utilizarse en la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y armas de destrucción masiva, así como sus partes y componentes;

Que la Comisión de Comercio Exterior aprobó el establecimiento de las medidas no arancelarias aplicables a la exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación xx xxxxx convencionales y armas de destrucción masiva, así como sus partes y componentes, por lo que he tenido a bien expedir el siguiente:

Acuerdo

1.- El presente Acuerdo tiene por objeto establecer medidas de control, mediante el requisito de permiso previo otorgado por la Secretaría de Economía, a la exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías regulados por el presente Acuerdo y que sean susceptibles de desvío para la proliferación y fabricación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva, sin perjuicio de lo dispuesto en otros instrumentos normativos que regulen otros permisos y/o controles a la exportación de los objetos mencionados.

2.- Las dependencias y entidades de la Administración Pública Federal que tienen atribuciones para regular el comercio exterior, continuarán estableciendo, en el ámbito de sus respectivas competencias y en términos de las disposiciones aplicables, las medidas de control a la exportación de los bienes que les corresponda regular.

3.- Para los efectos del presente ordenamiento, se entenderá por:

I. Acuerdo xx Xxxxxxxxx: El Acuerdo xx Xxxxxxxxx para el Control de Exportaciones xx Xxxxx Convencionales, Bienes y Tecnologías de Uso Dual de fecha 12 de julio de 1996;

II. Acuerdos de Regulación: El Acuerdo que establece la clasificación y codificación de las mercancías cuya importación o exportación están sujetas a regulación por parte de la Secretaría de la Defensa Nacional, publicado en el Diario Oficial de la Federación el 30 xx xxxxx de 2007; el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías cuya importación y exportación está sujeta a regulación por parte de las dependencias que integran la Comisión Intersecretarial para el Control del Proceso y Uso de Plaguicidas, Fertilizantes y Sustancias Tóxicas, publicado en el Diario Oficial de la Federación el 26 xx xxxx de 2008; el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías cuya importación y exportación está sujeta a autorización previa por parte de la Secretaría de Energía, publicado en el Diario Oficial de la Federación el 30 xx xxxxx de 2007; y el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías y productos cuya importación, exportación, internación o salida está sujeta a regulación sanitaria por parte de la Secretaría de Salud, publicado en el Diario Oficial de la Federación el 27 de septiembre de 2007;

III. Asistencia Técnica: Cualquier apoyo técnico relacionado con la capacitación, instrucción, entrenamiento, formación, empleo de conocimientos prácticos y servicios consultivos para la fabricación de los objetos regulados por el presente Acuerdo;

IV. Bienes de uso dual: Objetos tangibles e intangibles que pueden destinarse a usos civiles, militares o a la proliferación;

V. Comité: Comité para el Control de Exportaciones de Bienes de Uso Dual, Software y Tecnologías;

VI. Corretaje: La negociación u organización de transacciones para la compra, venta o suministro de los objetos regulados desde un tercer país a otro tercer país cualquiera, o la compra o venta de los objetos regulados que se encuentren en terceros países para su transferencia a otro tercer país. Queda excluida de la presente definición la prestación exclusiva de servicios auxiliares. Son servicios auxiliares el transporte, los servicios financieros, el seguro o reaseguro y la promoción o publicidad generales;

VII. Corredor: Toda persona física o moral que desarrolle actividades de corretaje;

VIII. Destino Final: El último punto al que arriban los objetos regulados por el presente Acuerdo una vez realizada su exportación;

IX. Desvío: La utilización xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías, por un usuario final, para un uso final o para destino final, distintos a los señalados en

la Manifestación de Uso y Usuario Final para obtener el permiso de exportación xx xxxxx convencionales, bienes de uso dual, software y tecnologías relacionadas y sus modificaciones y a los autorizados en el permiso previo de exportación;

Fracción reformada DOF 13-12-2011

X. DGCE: Dirección General de Comercio Exterior de la SE;

XI. Exportación: Consiste en la salida de los objetos regulados del territorio nacional para permanecer en el extranjero ya sea por tiempo limitado o ilimitado, y comprende la reexportación, transbordo, tránsito, transmisión y transferencia al exterior del país de cualquiera de los objetos regulados por el presente Acuerdo;

XII. Exportador: Cualquier persona física o moral que directa o indirectamente, de modo habitual, ocasional o por primera ocasión realice la exportación de alguno de los objetos regulados;

XIII. Fabricación: Actividades relacionadas con la elaboración, ensamble, desarrollo, producción, manejo, funcionamiento, mantenimiento, reparación y/o proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva, bienes de uso dual, así como de sus partes y componentes, software y tecnología;

XIV. Información técnica: Proyectos, planos, diagramas, modelos, fórmulas, mesas, diseños de ingeniería y especificaciones, manuales e instrucciones escritas o grabadas por cualquier medio o aparato tales como discos, cintas y memorias;

Fracción reformada DOF 13-12-2011

XV. Manifestación de Uso Final o Usuario Final, para obtener el permiso de exportación xx xxxxx convencionales, bienes de uso dual, software y tecnologías relacionadas y sus modificaciones: Documento de control de exportaciones por medio del cual el exportador describe el uso, usuario y destino final al que se sujetan los objetos regulados por el presente Acuerdo;

Fracción reformada DOF 13-12-2011

XVI. Objetos regulados: Armas convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de utilizarse en la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y armas de destrucción masiva, así como sus partes y componentes;

XVII. Reexportación: El envío, transmisión, cesión o transferencia de los objetos regulados de un país extranjero a otro, cuando dichos objetos hayan sido originalmente exportados del territorio nacional;

XVIII. Regímenes de Control de Exportaciones: El Acuerdo xx Xxxxxxxxx para el Control de Exportaciones xx Xxxxx Convencionales, Bienes y Tecnologías de Uso Dual; Grupo de Suministradores Nucleares; Grupo de Australia; Régimen de Control de Tecnología de Misiles, y Comité de Exportadores Nucleares (Comité Xxxxxxx);

XIX. SE: Secretaría de Economía;

XX. Software: Conjunto de los programas de cómputo, procedimientos, reglas, documentación y datos asociados que forman parte de un sistema de computación;

XXI. Tecnología: Es la información específica necesaria para la fabricación y uso de los objetos regulados, la cual puede tomar la forma de información técnica o asistencia técnica;

XXII. La descarga o cambio de medio de transporte de los objetos contenidos en los Anexos I, II, III, VI y VII del presente Acuerdo entre el punto inicial de carga y el destino final de dichos bienes;

Fracción reformada DOF 22-10-2012

XXIII. Tránsito: El paso a través del territorio mexicano de los objetos regulados sin que estos sean descargados en el territorio nacional;

XXIV. Uso Final: Uso último de los objetos regulados;

XXV. Uso Final Militar: Uso de los objetos regulados en operaciones militares, paramilitares o bélicas, así como para la fabricación de armamento o cualquiera de los bienes contenidos en el Anexo II del presente Acuerdo, y

XXVI. Usuario Final: Persona, física o moral, localizada en el extranjero, que en su carácter de comprador o consignatario, distinto del agente intermediario de la operación, y agente re-expedidor, recibirá y hará uso de los objetos regulados.

4.- Se sujeta al requisito de permiso previo de exportación por parte de la SE la exportación de los siguientes objetos siempre y cuando no se encuentren previstos en los Acuerdos de Regulación:

a. Bienes de uso dual, señalados en el Anexo I del presente Acuerdo, conforme a las fracciones arancelarias de la Tarifa de la Ley de los Impuestos Generales de Importación y de Exportación, correspondientes a las categorías de bienes de uso dual a que se refiere el Acuerdo xx Xxxxxxxxx;

x. Xxxxx convencionales, sus partes y componentes, señaladas en el Anexo II del presente Acuerdo, conforme a las fracciones arancelarias de la Tarifa de la Ley de los Impuestos Generales de Importación y de Exportación, correspondientes a las categorías de Municiones y materiales relacionados a que se refiere el Acuerdo xx Xxxxxxxxx;

Fracción reformada DOF 07-06-2012

c. Software y tecnologías de uso dual, señalados en el Anexo III del presente Acuerdo, correspondientes a las fracciones arancelarias de la Tarifa de la Ley de los Impuestos Generales de Importación y de Exportación, correspondientes a las categorías de bienes y listas a que se refiere el Acuerdo xx Xxxxxxxxx;

Fracción reformada DOF 22-10-2012

d. Equipos, materiales y programas informáticos de uso dual del ámbito nuclear y tecnología relacionada, señalados en el Anexo VI del presente Acuerdo conforme a las fracciones arancelarias de la Tarifa de la Ley de los Impuestos Generales de Importación y de Exportación, correspondientes a las listas desarrolladas en el Grupo de Suministradores Nucleares (GSN), y

Fracción reformada DOF 22-10-2012

e. Sustancias químicas precursoras, instalaciones y equipos de fabricación de sustancias químicas de uso dual, tecnología y sistemas informáticos asociados; equipos biológicos de uso dual, tecnología y sistemas informaticos asociados, patógenos animales y patógenos vegetales, señalados en el Anexo VII del presente Acuerdo conforme a las fracciones arancelarias de la Tarifa de la Ley de los Impuestos Generales de Importación y de Exportación, correspondientes a las listas desarrolladas en el Grupo de Australia (GA).

Fracción adicionada DOF 22-10-2012

5.- Para los fines de este Acuerdo, la salida del territorio nacional al extranjero de software, tecnologías o de bienes de uso dual, incluyendo las transmisiones conteniendo programas de procesamiento de datos o envío de datos o telecomunicaciones por medios electrónicos, fax, teléfono, transmisión satelital, o cualquier otro medio de comunicación, susceptibles de desvío, se asimilará a las operaciones de exportación y, por ende, el exportador deberá obtener un permiso previo de exportación por parte de la SE.

6.- La exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías que no figuren en las listas de los Anexos I, II, III, VI y VII, o en los Acuerdos de Regulación, estará sujeta a la presentación de un permiso previo de exportación en los siguientes supuestos:

I. Cuando el exportador haya sido informado por las autoridades competentes que los bienes que pretende exportar pueden ser objeto de desvío o pudieran ser utilizados para un uso final militar o destinarse total o parcialmente, para actividades relacionadas con la proliferación, o

II. Cuando el país adquirente o el país de destino final esté sometido a un embargo por una resolución del Consejo de Seguridad de las Naciones Unidas o cuando el exportador haya sido informado por las autoridades competentes que los productos en cuestión pueden estar destinados total o parcialmente para un uso final militar.

Si un exportador tiene conocimiento de que las armas convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software o tecnologías, los cuales no figuren en las listas de los Anexos I, II, III, VI y VII, o en los Acuerdos de Regulación que pretende exportar, pueden ser sujetos de desvío, deberá consultar a la DGCE a fin de que ésta evalúe la consulta y determine lo procedente conforme a la fracción I del presente Punto. En este caso, la DGCE someterá a consideración del Comité la conveniencia de sujetar los objetos consultados a permiso previo de exportación.

La SE podrá modificar los Anexos I, II, III, VI y VII, previa propuesta del Comité y aprobación de la Comisión de Comercio Exterior, si el exportador tiene motivos para sospechar que las armas convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías que pretenda exportar pueden ser sujetos de desvío.

Fracción reformada DOF 22-10-2012

7.- Quedan exentos de la obtención del permiso previo de exportación señalado en el Punto 4, la exportación de los objetos regulados en el presente Acuerdo que:

a. El Gobierno Mexicano vaya a utilizar en las maniobras o misiones que realice en el extranjero con motivo de operaciones humanitarias, de mantenimiento y apoyo a la paz;

b. Tengan por destino final alguno de los Estados Participantes de alguno de los regímenes de control de exportaciones en los que México participe y se encuentren listados en el Anexo IV del presente Acuerdo;

c. Tengan por destino final algún Estado que mantenga con México un Acuerdo de reconocimiento recíproco del sistema de control de exportaciones;

d. Tratándose de Tecnología, y con excepción de lo dispuesto en los grupos 1.E.2.e. y 1.E.2.f., así como 8.E.2.a. y 8.E.2.b, contenidos en el Anexo III del presente Acuerdo, consistan en la tecnología mínima necesaria para la instalación, operación, mantenimiento (verificación) y reparación de materiales no controlados, o cuya exportación haya sido autorizada; o se trate de tecnología del dominio público, o que contenga resultados de investigación científica básica o información técnica mínima necesaria para formular las solicitudes de patente;

e. Con excepción del software mencionado en la Categoría 5, Parte 2: "Seguridad de la Información", del Anexo I del presente Acuerdo, se trate de software que:

I. Sea del dominio público, o

II. Esté a disposición del público en general debido a que:

i. Se vende en puntos de venta al por menor, sin restricción, a través de:

1) Transacciones de mostrador;

2) Transacciones por correo;

3) Transacciones electrónicas, o

4) Transacciones realizadas por teléfono; y

ii. Que esté diseñado para su instalación por el usuario sin asistencia ulterior del proveedor;

Incisos reformados DOF 13-12-2011

f. Envíen empresas mexicanas a los Estados Unidos de América y Canadá, o

g. Exceptúe la SE mediante Acuerdo publicado en el Diario Oficial de la Federación, previa opinión favorable del Comité.

Las empresas podrán obtener la exención de permiso previo de exportación a que se refiere el presente Acuerdo siempre y cuando cumplan los requisitos a que se refiere el artículo 100-A de la Ley Aduanera de conformidad con las Reglas de carácter general en materia de comercio exterior y justifiquen ante la SE la necesidad de exentar el requisito de permiso previo para la correcta operación de sus actividades de exportación. La información proporcionada por la empresa interesada en obtener la exención será publicada en la página electrónica de la SE y será enviada a los Secretariados de los regímenes de control de exportaciones de los que México sea miembro así como a los gobiernos de los países que formen parte de dichos régimenes, de conformidad con el Punto 20 del presente Acuerdo. La empresa que solicite la exención manifestará su conformidad en la difusión de esta información al momento de su solicitud.

Incisos y párrafo adicionados DOF 13-12-2011

8.- La expedición de los permisos previos de exportación al amparo del presente Acuerdo estará a cargo de la SE, quien además será la autoridad competente para coordinar y administrar el sistema de control de las exportaciones de los objetos regulados.

9.- Para los efectos de los artículos 18, 19 y 20 del Reglamento de la Ley de Comercio Exterior, las solicitudes de los permisos previos de exportación a que se refiere el Punto 4, se dictaminarán en la DGCE previa solicitud de opinión de las dependencias competentes conforme a la naturaleza de los bienes. Cuando la SE solicite opinión a las dependencias o entidades de la Administración Pública Federal, remitirá copia de la misma a la Secretaría de Relaciones Exteriores.

10.- Previo a la presentación de la solicitud de permiso previo de exportación, su prórroga o modificación, el exportador deberá presentar ante la Delegación o Subdelegación Federal de la SE que le corresponda, o bien, ante el portal que la SE establezca para la Ventanilla Digital Mexicana de Comercio Exterior, una Manifestación de Uso Final misma que deberá contener:

a. El nombre y la dirección del exportador;

b. El nombre y la dirección de las personas físicas y/x xxxxxxx localizadas en el extranjero a las cuales le serán exportados los objetos regulados en el presente acuerdo;

c. Descripción de los objetos regulados a ser exportados;

d. Giro o actividad industrial a la que se dedica el comprador o adquirente de los objetos regulados;

e. La descripción de las operaciones o actividades relacionadas con el uso final al que serán destinados los objetos regulados;

f. Destino final en el cual se llevarán a cabo las operaciones o actividades relacionadas con el uso final de la mercancía exportada, y

g. En caso de que en la exportación intervenga un corredor, el exportador deberá adicionalmente proporcionar: la ubicación exacta de los objetos regulados; el nombre y dirección xxx xxxxxxxx; el giro o actividad industrial a la que se dedica el corredor e indicar si cuenta con autorización escrita o licencia de un país miembro de algún régimen de control de exportaciones para llevarla a cabo, y las circunstancias que motivan el corretaje.

En un plazo máximo de 10 días hábiles contados a partir de la presentación de la Manifestación de Uso Final, la DGCE notificará al exportador, siempre y cuando se cumpla con los requisitos señalados en los incisos anteriores, la aceptación de dicha Manifestación.

La DGCE podrá formular requerimientos de información en un plazo no mayor xx xxxx días hábiles a partir de la fecha de presentación de la Manifestación de Uso Final, a efecto de que el exportador aclare o precise la información contenida en dicha Manifestación. Una vez notificado dicho requerimiento, el exportador tendrá un plazo xx xxxx días hábiles para emitir su respuesta. En caso de incumplimiento a dicha solicitud de información, se desechará el trámite.

En los casos en los que la DGCE requiera información adicional por parte del exportador, el plazo para notificar la aceptación de la Manifestación de Uso Final, se extenderá hasta 60 días hábiles contados a partir de la fecha de presentación de la Manifestación señalada.

La DGCE conservará un registro de corredores derivado de las Manifestaciones de Uso Final presentadas e intercambiará dicho registro con otros Estados de conformidad con lo establecido en el Punto 20 del presente Acuerdo.

11.- Las solicitudes de permiso previo de exportación a que se refiere el presente Acuerdo podrán presentarse ante la Delegación o Subdelegación Federal de la SE que le corresponda al exportador, utilizando el formato SE-03-81 “Solicitud de Permiso Previo de Exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva”, en los términos que establece el Registro Federal de Trámites y Servicios, o bien, ante el portal que la SE establezca para la Ventanilla Digital Mexicana de Comercio Exterior, a fin de que dichas oficinas remitan la solicitud y los antecedentes de la operación a la DGCE para su estudio y dictamen.

Las solicitudes de Modificación o Prórroga, deberán presentarse en la Delegación o Subdelegación Federal de la SE que le corresponda al exportador, en los términos que establecen los trámites inscritos en el Registro Federal de Trámites y Servicios bajo el número SE-03-82 “Modificación del Permiso Previo de Exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva”, y SE-03-83 “Prórroga al Permiso Previo de exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva”, utilizando el formato RFTS SE-03-81 “Solicitud de Permiso Previo de Exportación xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación xx xxxxx convencionales y de destrucción masiva”, o bien, ante el portal que la SE establezca para la Ventanilla Digital Mexicana de Comercio Exterior, adjuntando los requisitos específicos, según sea el caso.

Artículo reformado DOF 13-12-2011

12.- Cuando las solicitudes que presentan los interesados para el otorgamiento de un permiso de exportación, su prórroga o su modificación, no contengan los datos o no cumplan con los requisitos aplicables, la SE deberá prevenir a los interesados, por escrito y por una sola vez para que subsanen la omisión en un término de cinco días hábiles contados a partir de que haya surtido efectos la notificación de la prevención; transcurrido dicho plazo, sin desahogar la prevención, se desechará el trámite.

13.- La SE resolverá las solicitudes a que se refiere el Punto 11 del presente instrumento en un plazo no mayor a 15 días hábiles, contados a partir del día hábil siguiente a la fecha de su presentación.

14.- El periodo de vigencia de los permisos previos de exportación a que se refiere el presente Acuerdo será hasta de un año. Dicho permiso se podrá prorrogar hasta por un periodo igual, siempre y cuando siga cumpliendo con los criterios de autorización.

Artículo reformado DOF 13-12-2011

15.- La SE podrá negar a los solicitantes los permisos previos de exportación de objetos regulados por este Acuerdo, en caso de que tenga conocimiento o se acredite que los solicitantes participaron en el desvío de los objetos regulados a usos finales o usuarios finales no autorizados, en actividades ilícitas relacionadas con las actividades y bienes regulados por el presente Acuerdo, incurrieron en falsedad de declaraciones, o bien, no cumplieron con los requisitos necesarios para asegurar un debido control sobre dichas exportaciones.

Artículo reformado DOF 13-12-2011

16.- Los permisos otorgados serán cancelados en los siguientes casos:

a. Si se transgreden las condiciones establecidas por el presente Acuerdo, respecto a las exportaciones de los objetos regulados;

b. Si el exportador transgrede las obligaciones establecidas en el permiso previo de exportación;

c. En el caso de que se alteren las condiciones iniciales sobre las cuales se haya concedido el permiso previo de exportación;

d. En el caso de que en la Manifestación de Uso y Usuario Final para obtener el permiso de exportación xx xxxxx convencionales, bienes de uso dual, software y tecnologías relacionadas y

sus modificaciones o en la solicitud para el otorgamiento del permiso previo de exportación se haya detectado omisión, alteración o falsedad en los datos aportados;

Inciso reformado DOF 13-12-2011

e. Cuando el exportador no cuente con la documentación que ampare las operaciones de exportación de los bienes regulados, que sus registros de sus operaciones de comercio exterior presenten inconsistencias con lo declarado en su solicitud para la expedición del permiso previo de exportación o se compruebe que el objeto regulado no se exportó al destino final;

f. Cuando la SE en el ejercicio de sus facultades, tenga conocimiento por cualquier medio que las exportaciones de los objetos regulados al amparo del permiso previo de exportación no fueron destinadas al uso o destino final en el extranjero para el cual fue autorizada su exportación;

g. Que el domicilio fiscal o los domicilios declarados por el exportador para el destino final de los objetos regulados sean inexistentes o no puedan localizarse;

h. Cuando el Servicio de Administración Tributaria determine que el nombre o domicilio fiscal del destinatario o comprador en el extranjero, señalados en la solicitud del permiso previo de exportación o bien en los pedimentos o facturas, sean falsos, inexistentes o no localizables;

Incisos reformados DOF 13-12-2011

I. Cuando el exportador tuvo conocimiento de que la mercancía fue desviada para la fabricación de armamento, se entregó por cualquier concepto a fabricantes de armamento o bien, se entregó por cualquier concepto a personas ubicadas en países que carecen de control de exportaciones y no lo notificó a la SE, y ésta tuvo conocimiento por una visita domiciliaria, de inspección, de verificación, o de verificación de mercancías en transporte, por parte de las dependencias de la Administración Pública Federal competentes.

j. Cuando el exportador incumpla requerimientos de información, y

k. Cuando el exportador se niegue a la práctica de visitas domiciliarias, de inspección, de verificación, o de verificación de mercancías en transporte, por parte de las dependencias de la Administración Pública Federal competentes.

Incisos adicionados DOF 13-12-2011

17.- Para efectos del punto anterior, la SE iniciará de oficio el procedimiento de cancelación del permiso previo de exportación en cuanto tenga conocimiento de cualquiera de las causales de cancelación contenidas en el Punto 16 del presente Acuerdo. Para iniciar el procedimiento referido, la SE deberá notificar al titular del permiso previo de exportación la causal que motiva dicho inicio de procedimiento y notificará al Servicio de Administración Tributaria, de manera inmediata, los hechos que motivaron el inicio de procedimiento de cancelación del permiso previo de exportación, a fin de que el mismo sea suspendido hasta en tanto se resuelva dicho procedimiento.

La SE concederá al titular del permiso previo de exportación un plazo xx xxxx días hábiles, contados a partir de la fecha en que surta efectos la notificación citada, para ofrecer las pruebas y alegatos que a su derecho convengan.

Si el titular del permiso previo de exportación no ofrece las pruebas, no expone sus alegatos, o no desvirtúa las causas que motivaron el inicio de procedimiento de cancelación del permiso previo de exportación, la SE procederá a dictar la resolución de cancelación, y remitirá copia de la misma al Servicio de Administración Tributaria.

Cuando el titular de permiso previo desvirtúe las causas que motivaron el procedimiento de cancelación, la SE procederá a dictar la resolución que deje sin efectos dicho procedimiento, y remitirá copia de la misma al Servicio de Administración Tributaria informando que dejó sin efectos la suspensión del permiso previo de exportación.

Párrafos reformados DOF 13-12-2011

18.- Se constituye el Comité para el Control de Exportaciones de Bienes de Uso Dual, Software y Tecnologías. El Comité, dependerá de la SE y estará integrado por los titulares de la DGCE quién lo presidirá, de la Dirección General de Industrias Básicas, de la Dirección General de Industrias Pesadas y de Alta Tecnología, y de la Dirección General de Comercio Interior y de Economía Digital, todas de la SE.

El Comité en sus sesiones tendrá como invitados permanentes a la Dirección General del Registro Federal xx Xxxxx de Fuego y Control de Explosivos de la Secretaría de la Defensa Nacional; Dirección General para la Organización de las Naciones Unidas de la Secretaría de Relaciones Exteriores; la Comisión Nacional de Seguridad Nuclear y Salvaguardias; la Comisión Intersecretarial para el Control del Proceso y Uso de Plaguicidas, Fertilizantes y Sustancias Tóxicas, y al Servicio de Administración Tributaria.

Podrá invitarse a las sesiones del Comité a otras dependencias y entidades de la Administración Pública Federal, académicos, representantes de industrias y de Cámaras o Confederaciones Industriales, o a cualquier órgano o entidad del sector público y privado, a efecto de que manifiesten las opiniones correspondientes respecto del asunto que se trate.

El Comité recibirá y atenderá las consultas que le sean sometidas por los órganos y dependencias de la Administración Pública Federal en materia de control de exportaciones.

Los titulares de la DGCE, de la Dirección General de Industrias Básicas, de la Dirección General de Industrias Pesadas y de Alta Tecnología y de la Dirección General de Comercio Interior y de Economía Digital de la SE, integrantes del Comité, podrán designar un representante alterno con nivel mínimo de Director de Área o equivalente, a fin de reemplazar a los representantes titulares durante su ausencia.

El Comité adoptará sus resoluciones bajo el principio de mayoría de votos de los miembros presentes en las sesiones. En caso de empate el Presidente del Comité tendrá voto de calidad. Las resoluciones del Comité podrán ser tomadas en cuenta al momento de resolver las solicitudes de permisos.

Artículo reformado DOF 13-12-2011

19.- El Comité tendrá las siguientes funciones:

I. Analizar las solicitudes de permiso previo de exportación que le sean sometidas y que se consideren sensibles o muy sensibles, y opinar sobre la conveniencia de su expedición, cuando la DGCE cuente con opiniones discordantes de las dependencias o entidades de la Administración Pública Federal respecto a la expedición del permiso previo de exportación;

II. Proponer a la Secretaría de Relaciones Exteriores el establecimiento de los mecanismos de enlace entre el Estado Mexicano y los organismos internacionales en materia de no proliferación;

III. Proponer a las autoridades competentes que efectúen las investigaciones y practiquen visitas de inspección sobre presuntas infracciones administrativas para que impongan, en su caso, las sanciones administrativas correspondientes, así como que ordenen y ejecuten las medidas provisionales necesarias para hacer cesar, o evitar, el desvío de los objetos regulados por el presente Acuerdo;

IV. Proponer ante la Comisión de Comercio Exterior, la modificación de las listas contenidas en los Anexos I, II, III, IV, VI y VII del presente Acuerdo, y

Fracción reformada DOF 22-10-2012

V. Proponer el establecimiento de nuevas medidas de control de exportaciones para regular o restringir la exportación de los objetos regulados por el presente Acuerdo en el ámbito de competencia de las demás autoridades con facultades para regular el comercio exterior (el registro, la declaración, la inspección, la revisión y la verificación en transporte, etc.)

20.- La SE preparará y enviará informes periódicos para los Secretariados de los regímenes de control de exportaciones de los que México sea miembro y de los cuales la SE sea responsable. Lo anterior, independientemente de los informes o reportes que cada dependencia deba hacer en el ámbito de su competencia.

21.- La Comisión de Comercio Exterior, escuchando al Comité revisará y aprobará la actualización, por lo menos una vez al año, de las listas contenidas en los Anexos I, II, III, IV, VI y VII del presente Acuerdo, de conformidad con las obligaciones y compromisos que México haya asumido como miembro de los regímenes internacionales de desarme, control xx xxxxx y no proliferación y en virtud de la ratificación de tratados internacionales pertinentes.”

Fracción reformada DOF 22-10-2012

22.- La siguiente información relativa a los permisos previos de exportación otorgados será puesta a disposición del público en la página de Internet de la SE: a) nombre del titular; b) unidad administrativa que los otorga; c) fracción arancelaria; d) fecha de expedición; y e) período de vigencia.”

Artículo reformado DOF 13-12-2011

23.- La SE coordinará el intercambio de información y la transmisión electrónica de datos con las dependencias y entidades de la Administración Pública Federal sobre las solicitudes de permisos previos de exportación de los objetos regulados por el presente Acuerdo.

24.- El cumplimiento de lo dispuesto en el presente Acuerdo no exime del cumplimiento de cualquier otro requisito o regulación a los que esté sujeta la exportación de los objetos regulados, según corresponda, conforme a las disposiciones legales aplicables.

25.- La SE y las demás dependencias y entidades de la Administración Pública Federal, llevarán a cabo las facultades de comprobación y verificación para la acreditación de la aplicación de la normatividad que regula los permisos previos de exportación de los objetos regulados, de acuerdo a sus atribuciones. Los permisionarios se obligan a poner a disposición de dichas dependencias y entidades toda la documentación relacionada con el uso y manejo de los permisos otorgados, durante la vigencia de los mismos.

26.- Las exportaciones xx xxxxx convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío que se realicen sin cumplir con el permiso previo de exportación correspondiente objeto del presente acuerdo, darán lugar a las sanciones administrativas contempladas en la Ley de Comercio Exterior y la Ley Aduanera, o en cualquier otro instrumento normativo que sea aplicable. Lo anterior, sin perjuicio de las sanciones penales por contrabando y falsedad de declaraciones establecidas en el Código Fiscal de la Federación o demás disposiciones aplicables.

TRANSITORIOS

PRIMERO.- El presente Acuerdo entrará en vigor a los noventa días hábiles contados a partir de su publicación en el Diario Oficial de la Federación.

SEGUNDO.- Las autoridades competentes deberán expedir las disposiciones administrativas correspondientes para su publicación en el Diario Oficial de la Federación, de los procedimientos respectivos para la obtención de autorizaciones y permisos a la exportación, dentro del plazo de noventa días hábiles siguientes a la publicación del presente Acuerdo.

México, D.F., a 14 xx xxxxx de 2011.- Con fundamento en el artículo 45 del Reglamento Interior de la Secretaría de Economía firma, en ausencia del Secretario de Economía, el Subsecretario de Competitividad y Normatividad, Xxxx Xxxxxxx Xxxxx Xxxxxx.- Rúbrica.

ANEXO I BIENES DE USO DUAL

Fracción Arancelaria TIGIE	Descripción

Categoría 1: Materiales especiales y equipos relacionados
1. A. Sistemas, equipos y componentes
	Grupo 1.A.1 Componentes elaborados a partir de compuestos fluorados, según se indica: a. Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, sellantes y vejigas de combustible, diseñados especialmentepara uso en aeronaves o espacial, constituidos por más del 50 % en peso de cualquiera de los materiales incluidos en los subartículos 1.C.9.b. o 1.C.9.c.; b. Polímeros y copolímeros piezoeléctricos, constituidos por materiales de fluoruro de vinilideno, incluidos en el subartículo 1.C.9.a.: 1. En forma de hoja o de película; y 2. Con un espesor superior a 200 micras;

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	c. Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, asientos de válvulas, vejigas y diafragmas, que tengan todas las características siguientes: 1. Constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como unaunidad constitucional; y 2. Diseñados especialmente para uso en aeronaves, espacial o en misiles.
De las siguientes fracciones arancelarias:
3214.10.02	Sellador para soldaduras por puntos.
	Unicamente: sellantes diseñados especialmente para uso en aeronaves o espacial, constituidos por más del 50 % en peso de cualquiera de los materiales incluidos en los subartículos 1.C.9.b. o 1.C.9.c.
3920.99.99	Los demás.
	Unicamente: Polímeros y copolímeros piezo eléctricos constituidos por materiales de fluoruro de vinilideno incluidos en el subartículo 1.C.9.a.: en forma de hoja o de película; y con un espesor superior a 200 micras.
3921.19.99	Las demás.
	Unicamente: Polímeros y copolímeros piezo eléctricos constituidos por materiales de fluoruro de vinilideno incluidos en el subartículo 1.C.9.a.: en forma de hoja o de película; y con un espesor superior a 200 micras.
3917.40.01	Accesorios.
	Unicamente: Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, asientos de válvulas, vejigas y diafragmas constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como una unidad constitucional, diseñados especialmente para uso en aeronaves, espacial o en misiles.
3926.90.02	Empaquetaduras (juntas), excepto lo comprendido en la fracción 3926.90.21.
	Unicamente: Juntas de estanqueidad constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como una unidad constitucional, diseñados especialmente para uso en aeronaves, espacial o en misiles.
4016.93.99	Las demás.
	Unicamente: Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, asientos de válvulas, vejigas y diafragmas constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como una unidad constitucional, diseñados especialmente para uso en aeronaves, espacial o en misiles.
	Grupo 1.A.2 Estructuras y laminados de materiales compuestos (composites), que posean alguna de las siguientes características: a. Una matriz orgánica y estar fabricados a partir de materiales incluidos en los subartículos 1.C.10.c, 1.C.10.d, o 1.C.10.e.; o b. Una matriz metálica o de carbono y estar fabricados a partir de: 1. Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean las dos características siguientes: a. Módulo específico superior a 10,15 × 106 m, y b. Resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m; o 2. Materiales incluidos en el subartículo 1.C.10.c. Nota 1: El artículo 1.A.2 no somete a control las estructuras o productos laminados de materiales compuestos (composites) constituidos por ´materiales fibrosos o filamentosos de carbono impregnados con resina epoxídica, para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves, a condición de que su tamaño no sea superior a 1 m2. Nota 2: El artículo 1.A.2 no somete a control los elementos acabados o semiacabados diseñados especialmente para aplicaciones de carácter

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	exclusivamente civil, según se indica a continuación: a. Artículos de deporte; b. Industria automotriz; c. Industria de máquinas herramienta; d. Aplicaciones médicas. Nota 3: El subartículo 1.A.2.b.1 no somete a control los productos acabados o semiacabados que contengan como máximo dos dimensiones de filamentos entrecruzados y que estén diseñados especialmente para las siguientes aplicaciones: x. Xxxxxx de tratamiento térmico de metales para templado de metales; b. Equipos de producción de lingotes de silicio monocristalino. Nota 4: 1.A.2 no aplica a productos acabados especialmente diseñados para una aplicación específica.
De las siguientes fracciones arancelarias:
6815.10.99	Las demás.
	Unicamente: Estructuras y laminados de materiales compuestos (composites), que posean alguna de las siguientes características: a) una matriz orgánica y estar fabricados a partir de materiales incluidos en los subartículos 1.C.10.c, 1.C.10.d, o 1.C.10.e.; ó b) una matriz metálica o de carbono y estar fabricados a partir de materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean un módulo específico superior a 10,15 × 106 m., y una resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m ó materiales incluidos en el subartículo 1.C.10.c.
	Grupo 1.A.3 Productos manufacturados de poliimidas aromáticas no fundibles, en forma de película, hoja, banda o cinta que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Espesor superior a 0,254 mm; o b. Estar revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas. Nota: El artículo 1.A.3 no somete a control los productos manufacturados que estén revestidos o laminados con cobre y diseñados especialmente para la producción de placas de circuitos impresos electrónicos. N.B.: Para las poliimidas aromáticas fundibles en cualquiera de sus formas, véase el subartículo 1.C.8.a.3.
De las siguientes fracciones arancelarias:
3920.99.99	Los demás.
	Unicamente: Productos manufacturados de poliimidas aromáticas no fundibles, en forma de película, hoja, banda o cinta, que tengan un espesor superior a 0.254 mm o estén revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
3921.90.99	Las demás.
	Unicamente: Productos manufacturados de poliimidas aromáticas no fundibles, en forma de película, hoja, banda o cinta, que tengan un espesor superior a 0.254 mm o estén revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
	Grupo 1.A.4 Equipos de protección y detección y sus componentes, no diseñados especialmente para uso militar, según se indica: a. Máscaras antigás, cartuchos de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados para la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados especialmente para ellos: 1. Agentes biológicos adaptados para utilización en guerra; 2. Materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra; 3. Agentes para la guerra química (CW); o

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

4. Agentes antidisturbios, incluidos:

a. α-Bromobencenoacetonitrilo, (Cianuro de bromobencilo) (CA) (CAS 5798-79-8);

b. [(2-clorofenil)metileno]propanodinitrilo,

(o-Clorobencilidenemalononitrilo) (CS) (CAS2698-41-1);

x. 0-xxxxx-0-xxxxxxxxxxxx, xxxxxxx xx xxxxxxxxxx (x-xxxxxxxxxxxxxxxx) (XX) (XXX 532-27-4);

d. Dibenzo-(b, f)-1,4-oxazepina (CR) (CAS 257-07-8);

e. 10-cloro-5,10-dihidrofenarsacina, (Cloruro de fenarsacina); (Adamsita), (DM) (CAS 578-94-9);

f. N-Nonanoilmorfolina, (MPA) (CAS 5299-64-9);

b. Trajes, guantes y calzado de protección, diseñados especialmente o modificados para la defensa contracualquiera de los agentes o materiales siguientes:

1. Agentes biológicos adaptados para utilización en guerra;

2. Materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra; o

3. Agentes para la guerra química (CW);

c. Sistemas de detección diseñados especialmente o modificados para la detección o identificación de cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Agentes biológicos adaptados para utilización en guerra;

2. Materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra; o

3. Agentes para la guerra química (CW).

d. Equipos electrónicos, diseñados para detectar o identificar automáticamente la presencia de residuos de explosivos, que utilicen técnicas de detección de trazas (por ejemplo, ondas acústicas de superficie, espectrometría de movilidad de iones, espectrometría de movilidad diferencial, espectrometría de masas). Nota Técnica:

Detección de trazas es la capacidad para detectar cantidades inferiores a 1 ppm de vapor o inferiores a 1 mg de sustancias sólidas o líquidas.

Nota 1: El subartículo 1.A.4.d. no somete a control los equipos diseñados especialmente para empleo en laboratorio.

Nota 2: El subartículo 1.A.4.d. no somete a control los arcos de seguridad que han de atravesarse sin contacto.

Nota: El artículo 1.A.4 no somete a control:

a. Los dosímetros personales para control de radiación;

b. Equipos que por su diseño o función de están limitados a la protección contra riesgos específicos para la seguridad residencial o de las industrias civiles, entre ellas:

1. Mineria.

2. Explotación de canteras

3. Agricultura

4. Farmaceutica

5. Médica

6. Veterinaria

7. Del medio ambiente

8. Gestión de residuos

9. Industria alimentaria

Notas técnicas:

1. El artículo 1.A.4 incluye equipos y componentes que han sido identificados, superado los ensayos correspondientes a las normas nacionales o demostrado de algún otro modo su eficacia, para la detección de materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra, agentes biológicos adaptados para utilización en guerra, agentes para la guerra química , simuladores o agentes antidisturbios, aun en caso de que dichos equipos o componentes sean utilizados en industrias del sector civil, como la minería, la explotación de canteras, el sector agrario, la industria farmacéutica, los productos sanitarios, los

productos veterinarios, el medio ambiente, la gestión de residuos o laindustria

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	alimentaria. 2. Un simulador es una sustancia o material que se utiliza en lugar de un agente tóxico (químico o biológico) confines de entrenamiento, investigación, ensayo o evaluación.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8421.99.99	Las demás.
	Unicamente: Máscaras antigás, cartuchos de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
9020.00.01	Máscaras antigás
	Unicamente: Máscaras antigás diseñadas o modificadas para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
9020.00.99	Los demás.
	Unicamente: Máscaras antigás, cartuchos de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
3926.20.01	Prendas de vestir, sus accesorios y dispositivos, para protección contra radiaciones.
	Unicamente: Trajes diseñados especialmente o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos.
4015.19.99	Los demás
	Unicamente: Guantes diseñados especialmente o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos.
4015.90.03	Prendas de vestir y sus accesorios, para protección contra radiaciones.
	Unicamente: Trajes diseñados especialmente o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos.
6401.92.99	Los demás.
	Unicamente: Calzado de protección diseñados especialmente o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos.
9027.10.01	Analizadores de gases o humos.
	Unicamente: Los diseñados especialmente o modificados para la detección o identificación de agentes biológicos o de materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
9027.80.02	Instrumentos nucleares de resonancia magnética.
	Unicamente: Los diseñados especialmente o modificados para la detección o identificación de agentes biológicos o de materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
9030.10.01	Instrumentos y aparatos para medida o detección de radiaciones ionizantes.
	Unicamente: Los diseñados especialmente o modificados para la detección o identificación de agentes biológicos o de materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.
	Grupo 1.A.5 Trajes blindados y componentes diseñados especialmente para los mismos, distintos

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	de los fabricados conforme a normas o especificaciones militares o a otras con prestaciones equivalentes. N.B.: Para los materiales fibrosos o filamentosos utilizados en la fabricación de trajes blindados, véase el artículo 1.C.10. Nota 1: El artículo 1.A.5 no somete a control los trajes blindados o prendas protectoras, cuando son portados por sus usuarios para su protección personal. Nota 2: El artículo 1.A.5 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección frontal exclusivamente contra la metralla y la onda expansiva procedentes de artefactos explosivos no militares.
De las siguientes fracciones arancelarias:
6307.90.99	Los demás.
	Unicamente: Trajes blindados y componentes diseñados especialmente para los mismos, distintos de los fabricados conforme a normas o especificaciones militares o a otras con prestaciones equivalentes.
	Grupo 1.A.6 Equipos, diseñados especialmente o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: a. Vehículos de control remoto; b. Disruptores Nota técnica: Los disruptores son dispositivos diseñados especialmente para impedir el funcionamiento de un dispositivo explosivo mediante el lanzamiento de un líquido, un sólido o un proyectil frangible. N.B.: Para equipos diseñados espacialmente para uso militar para la eliminación de artefactos explosivos improvisados ver también MLA. Nota: El artículo 1.A.6 no somete a control el equipo que va acompañado de su operador.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8705.90.99	Los demás.
	Unicamente: Vehículos de control remoto diseñados especialmente o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.
3923.90.99	Los demás.
	Unicamente: Disruptores diseñados especialmente o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.
6903.10.99	Los demás.
	Unicamente: Disruptores diseñados especialmente o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.
6903.20.99	Los demás.
	Unicamente: Disruptores diseñados especialmente o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.
6903.90.99	Los demás.
	Unicamente: Disruptores diseñados especialmente o modificados para la eliminación

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos.
	Grupo 1.A.7 Equipos y dispositivos, diseñados especialmente para activar cargas y dispositivos que contengan materiales energéticos, por medios eléctricos, según se indica: a. Conjuntos de ignición de detonador explosivo diseñados para accionar los detonadores explosivos incluidos en el subartículo 1.A.7.b.; b. Detonadores explosivos accionados eléctricamente, según se indica: 1. De tipo puente explosivo (EB); 2. De tipo puente explosivo con filamento metálico (EBW); 3. De percutor (slapper); 4. Iniciadores de laminilla (EF). Notas técnicas: 1. A veces se utiliza el término iniciador en vez de detonador. 2. A efectos del subartículo 1.A.7.b., todos los detonadores en cuestión utilizan un pequeño conductor eléctrico (depuente, xx xxxxxx con filamento metálico o de laminilla) que se vaporiza de forma explosiva cuando lo atraviesa un rápido impulso eléctrico de corriente elevada. En los tipos que no son de percutor, el conductor inicia, al explotar, una detonación química en un material altamente explosivo en contacto con él, como el tetranitrato de pentaeritrito l(PETN). En los detonadores de percusión, la vaporización explosiva del conductor eléctrico impulsa a un elemento volador o percutor (flyer o slapper) a través de un hueco, y el impacto de este elemento sobre el explosivo inicia una detonación química. En algunos modelos, el percutor va accionado por una fuerza magnética. Eltérmino detonador de laminilla puede referirse a un detonador EB o a un detonador de tipo percutor. N.B.; Para equipo y artefactos diseñados especialmente para uso militar ver también la Lista de Municiones.
De las siguientes fracciones arancelarias:
No se señalan fracciones arancelarias porque todos los bienes de este grupo están contenidos en el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías cuya importación y exportación está sujeta a regulación por parte de la Secretaría de la Defensa Nacional. Párrafo adicionado DOF 13/12/2011
	Grupo 1.A.8 Cargas, dispositivos y componentes, según se indica: a. Cargas moldeadas que tengan todas las características siguientes: 1. Cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 90 g; y 2. Diámetro de la cubierta externa superior o igual a 75 mm; b. Cargas xx xxxxx lineal que tengan todas las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellas: 1. Carga explosiva superior a 40 g/m; y 2. Ancho superior o igual a 10 mm; x. Xxxxxx detonante con un núcleo explosivo de más de 64 g/m; d. Cortadores, distintos de los especificados en el subartículo 1.A.8.b, y herramientas de separación, que tengan una cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 3,5 kg; Nota: Las únicas cargas y dispositivos especificados en 1.A.8 son las que contienen explosivos que figuran en el Anexo de la Categoría 1 y sus mezclas. Nota técnica: Cargas moldeadas son cargas explosivas moldeadas para concentrar los efectos de la carga explosiva.
De las siguientes fracciones arancelarias:

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

No se señalan fracciones arancelarias porque todos los bienes de este grupo están contenidos en el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías cuya importación y exportación está sujeta a regulación por parte de la Secretaría de la Defensa Nacional.

Párrafo adicionado DOF 13/12/2011

1. B. Equipo de producción, pruebas e inspección.

Grupo 1.B.1

Equipos para la producción o inspección de materiales compuestos (composites), especificados por 1.A.2 o materiales fibrosos o filamentosos especificados por 1.C.10., según se indica y componentes diseñados especialmente para los mimos:

a. Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos o filamentosos;

b. Máquinas para el tendido de cintas en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas, o las hojas estén coordinados y programados en cinco o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) fuselajes de aviones o misiles;

c. Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, incluyendo los adaptadores y los conjuntos de modificación, especialmente diseñados o modificados para tejer, entrelazar o trenzar fibras de materiales compuestos (composites);

Nota técnica:

A efectos de 1.B.1.c., la técnica de entrelazado incluye el punto tricotado.

d. Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo, según se indica:

1. Equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, xxxxx, xxxx o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de xxxxxxx xx xxxxxxx, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento;

2. Equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o de compuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de xxxxxxx xx xxxxxxx;

3. Equipos para la hilatura húmeda de cerámica refractaria (por ejemplo, el óxido de aluminio);

4. Equipos para la transformación de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina, mediante tratamiento térmico;

e. Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.;

f. Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los “materiales compuestos” (composites), del siguiente tipo:

1. Sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos;

2. Máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.

g. Máquinas de colocación en las que los movimientos de posicionado y por

el que se remolca estén coordinados y programados en dos o más ejes diseñados especialmente para la fabricación de estructuras de materiales

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	compuestos, fuselajes de aviones o misiles Nota Técnica: A los efectos de 1.B.1. "posicionamiento servo primaria" bajo la dirección de un programa de computo, la posición del efecto final (es decir, la cabeza) en un espacio relativo a la pieza de trabajo en la orientación correcta y la dirección para lograr el proceso deseado.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8448.39.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos ofilamentosos.
8479.89.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos ofilamentosos.
8479.90.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos ofilamentosos;
8479.89.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para el tendido de cintas o para la colocación de cabos, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas, los cabos o las hojas estén coordinados y programados en dos o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones o misiles.
8479.90.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para el tendido de cintas o para la colocación de cabos, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas, los cabos o las hojas estén coordinados y programados en dos o másejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones o misiles.
8446.10.01	Para tejidos de anchura inferior o igual a 30 cm.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8446.21.01	De motor.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8446.29.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8446.30.01	Para tejidos de anchura superior a 30 cm, sin lanzadera.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	compuestos (composites).
8447.90.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8448.49.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8448.59.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos (composites).
8419.89.99	Los demás
	Unicamente: equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina.
8419.90.99	Los demás.
	Unicamente: equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina.
8444.00.01	Máquinas para extrudir, estirar, texturar o cortar materia textil sintética o artificial.
	Unicamente: Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo: equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, xxxxx, xxxx o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de xxxxxxx xx xxxxxxx, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento; equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o de compuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de carburo desilicio; equipos para la hilatura húmeda de cerámica refractaria (por ejemplo, el óxido de aluminio); y equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras demateriales precursores, en fibras de alúmina.
8479.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo: equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, xxxxx, xxxx o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de xxxxxxx xx xxxxxxx, incluyendo el dispositivo especialpara tensar la fibra durante el calentamiento; equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o decompuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de carburo desilicio; equipos para la hilatura húmeda de cerámica refractaria (por ejemplo, el óxido de aluminio); y equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras demateriales precursores, en fibras de alúmina.
8479.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo: equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, xxxxx, xxxx o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de xxxxxxx xx xxxxxxx, incluyendo el dispositivo especialpara tensar la fibra durante el calentamiento; equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o decompuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de carburo desilicio; equipos para la hilatura húmeda de cerámica refractaria (por ejemplo, el óxido de aluminio); y equipos para la

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras demateriales precursores, en fibras de alúmina.
8419.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.
8419.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.
9022.12.01	Aparatos de tomografía regidos por una máquina automática de tratamiento o procesamiento de datos.
	Unicamente: Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.
9022.19.01	Para otros usos.
	Unicamente: Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.
9022.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1.C.10.e.
9022.12.01	Aparatos de tomografía regidos por una máquina automática de tratamiento o procesamiento de datos.
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo: sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos; máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.
9022.19.01	Para otros usos.
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo: sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos; máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.
9022.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo: sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos; máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.
9031.80.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo: sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos; máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.
9031.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo: sistemas de tomografía xx xxxxx X para inspección tridimensional de defectos; máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o

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Descripción

	más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona.
9022.12.01	Aparatos de tomografía regidos por una máquina automática de tratamiento o procesamiento de datos
	Unicamente: Equipos de inspección no destructiva capaces de realizar la inspección tridimensional de defectos mediante tomografía xx xxxxx X o ultrasónica, y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites).
	Grupo 1.B.2 Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8424.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
8454.20.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
8454.30.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
8454.90.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
8515.80.99	Las demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
8515.90.99	Las demás.
	Unicamente: Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1.C.2.c.2.
	Grupo 1.B.3 Herramientas, troqueles, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: a. Estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; b. Motores de aeronaves o aeroespaciales; o c. Componentes diseñados especialmente para las estructuras especificadas en 1.B.3.a. o motores especificados en 1.B.3.b.
De las siguientes fracciones arancelarias:

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Descripción

8207.30.02	Esbozos de matrices o troqueles, con peso igual o superior a 1,000 Kg, para el estampado de metales; y sus partes.
	Unicamente: troqueles para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; motores de aeronaves o aeroespaciales; o componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.
8460.21.99	Las demás.
	Unicamente: Herramientas, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; motores de aeronaves o aeroespaciales; o componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.
8466.20.99	Los demás.
	Unicamente: Herramientas, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; motores de aeronaves o aeroespaciales; o componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.
8515.90.99	Las demás
	Unicamente: Herramientas, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; motores de aeronaves o aeroespaciales; o componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.
8466.94.99	Las demás
	Unicamente: Herramientas, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales; motores de aeronaves o aeroespaciales; o componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.
1. C. Materiales Nota técnica: Metales y aleaciones: Salvo indicación contraria, las palabras metales y aleaciones cubren las formas brutas y semielaboradas, según se indica a continuación: Formas brutas: Anodos, bolas, varillas (incluidas las probetas entalladas y el alambrón), tochos, bloques, lupias, briquetas, tortas, cátodos, cristales, cubos, dados, granos, gránulos, lingotes, terrones, pastillas, panes, polvo, discos, granalla, zamarras, pepitas, esponja, estacas; Formas semielaboradas (estén o no revestidas, chapadas, perforadas o troqueladas): a. Materiales labrados o trabajados, elaborados mediante laminado, trefilado, extrusión, forja, extrusión por percusión, prensado, granulado, pulverización y rectificado, es decir: ángulos, hierros en U, círculos, discos, polvo, limaduras, hoja y láminas, forjados, planchas, microgránulos, piezas prensadas y estampadas, cintas, aros, varillas (incluidas varillas de soldadura sin

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Descripción

revestimiento, varillas de alambre y alambre laminado), perfiles, perfiles laminados, flejes, caños y tubos (incluidos redondos, cuadrados y tubos cortos redondeados xx xxxxxxx gruesas para fabricación de tubos sin costura), alambre trefilado o extrudido;

b. Material vaciado mediante moldeado con arena, troquel, metal, yeso u otros tipos xx xxxxxx, incluida lafundición de alta presión, los sinterizados y las formas obtenidas por pulvimetalurgia.

El objeto del control no deberá eludirse mediante la exportación de formas no citadas en la lista

presentadas como productos acabados que representan en realidad formas brutas o semielaboradas.

Grupo 1.C.1

Materiales diseñados especialmente para absorber las ondas electromagnéticas, o polímeros intrínsecamente conductores, según se indica:

a. Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz;

Nota 1:

El subartículo 1.C.1.a. no somete a control:

a. Los absorbedores de tipo capilar, constituidos por fibras naturales o sintéticas, con carga no magnética para permitir la absorción;

b. Los absorbedores sin pérdida magnética cuya superficie incidente no sea de forma plana, comprendidas las pirámides, conos, filos y superficies convolutas;

c. Los absorbedores planos que posean todas las características siguientes:

1. Estar fabricados con cualquiera de los siguientes materiales:

a. Materiales de espuma plástica (flexibles o no flexibles) con carga de carbono, o materiales orgánicos, incluidos los aglomerantes, que produzcan un eco superior al 5% en comparación con el metal sobre un ancho xx xxxxx superior a ± 15% de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 450 K (177°C); o

b. Materiales cerámicos que produzcan un eco superior al 20% en comparación con el metal sobre un ancho xx xxxxx superior a ± 15% de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 800 K (527 °C);

Nota técnica:

Las muestras para ensayos de absorción con respecto al subartículo 1.C.1.a. Nota: 1.c.1 deberán consistir en un cuadrado cuyo lado mida como mínimo cinco longitudes de onda de la frecuencia central situado en el campo lejano del elemento radiante.

2. Resistencia a la tracción inferior a 7 × 106 N/m2; y

3. Resistencia a la compresión inferior a 14 × 106 N/m2;

d. Absorbedores planos fabricados con ferrita sinterizada que posean las dos características siguientes:

1. Peso específico superior a 4,4; y

2. Temperatura máxima de funcionamiento de 548 K (275 °C);

Nota 2:

Ninguna de las disposiciones de la nota 1 del subartículo 1.C.1.a. autoriza la exportación de los materiales magnéticos que permiten la absorción cuando están contenidos en pintura.

b. Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible;

c. Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen´ superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:

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	1. Polianilina; 2. Polipirrol; 3. Politiofeno; 4. Polifenileno-vinileno; o 5. Politienileno-vinileno. Nota técnica: La conductividad eléctrica en volumen y la resistividad laminar (superficial) se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o equivalentes nacionales.
De las siguientes fracciones arancelarias:
2819.90.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz; materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible; y, materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes: polianilina; polipirrol; politiofeno; polifenileno-vinileno; o politienileno- vinileno.
3206.20.03	Pigmentos y preparaciones a base de compuestos de cromo, excepto lo comprendido en la fracción 3206.20.01 y 3206.20.02.
	Unicamente: Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz; materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible; y, materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes: polianilina; polipirrol; politiofeno; polifenileno-vinileno; o politienileno-vinileno.
3206.49.99	Las demás.
	Unicamente: Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz; materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible; y, materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes: polianilina; polipirrol; politiofeno; polifenileno-vinileno; o politienileno-vinileno.
	Grupo 1.C.2 Aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados según se indica: Nota: El artículo 1.C.2 no somete a control las aleaciones metálicas, el polvo de aleaciones metálicas ni los materialesaleados para el revestimiento de sustratos. Notas técnicas: 1. Las aleaciones metálicas incluidas en el artículo 1.C.2 son aquellas que contienen un porcentaje en peso más elevado del metal indicado que de cualquier otro elemento. 2. La longevidad a la rotura por esfuerzos se medirá con arreglo a la norma E-139 de la ASTM o sus equivalentesnacionales. 3. La resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos’ se medirá con arreglo a la norma E-606 de la ASTM (Método Recomendado para el Ensayo de Resistencia a la Fatiga por un pequeño número de ciclos a amplitud constante) o sus equivalentes nacionales El ensayo será axial, con una relación media de esfuerzos igual a 1 y un coeficiente de

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Descripción

concentración de esfuerzos (Kt) igual a 1. La relación media de esfuerzos se define como el esfuerzo máximomenos el esfuerzo mínimo dividido por el esfuerzo máximo.

a. Aluminuros, según se indica:

1. Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo del38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional;

2. Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional;

b. Aleaciones metálicas, según se indica, compuestas de los materiales incluidos en el subartículo 1.C.2.c.:

1. Aleaciones de níquel que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Una ’longevidad a la rotura por esfuerzos’ de 10 000 horas o más, a 923 K (650 °C) con unesfuerzo de 676 MPa; o

b. Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10 000 ciclos o más, a 823 K(550 °C) con un esfuerzo máximo de 1 095 MPa;

2. Aleaciones de niobio que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10 000 horas o más, a 1 073 K (800 °C) con un esfuerzo de 400 MPa; o

b. Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de

10 000 ciclos o más a 973 K(700 °C) con un esfuerzo máximo de 700 MPa;

3. Aleaciones de titanio que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10 000 horas o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo de 200 MPa; o

b. Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de

10 000 ciclos o más, a 723 K(450 °C) con un esfuerzo máximo de 400 MPa;

4. Aleaciones de aluminio que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Una resistencia a la tracción igual o superior a 240 MPa a 473 K (200 °C); o

b. Una resistencia a la tracción igual o superior a 415 MPa a 298 K (25 °C);

5. Aleaciones de magnesio que cumplan todo lo siguiente:

a. Una resistencia a la tracción igual o superior a 345 MPa; y

b. Una velocidad de corrosión inferior a 1 mm/año en una solución acuosa de cloruro de sodio al 3 %, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o equivalentes nacionales;

c. Polvo, o material en partículas, de aleaciones metálicas para materiales, que cumpla todo lo siguiente:

1. Constituidos por cualquiera de los sistemas de composición siguientes:

Nota técnica:

En los artículos siguientes, X equivale a uno o más elementos de aleación.

a. Aleaciones de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) calificadas para las piezas o componentes de motoresde turbina, es decir, con menos de 3 partículas no metálicas (introducidas durante el procesode

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Descripción

	fabricación) mayores de 100 micras en 109 partículas de aleación; b. Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti); c. Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al); d. Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe); o e. Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al); 2. Obtenidos en un ambiente controlado mediante cualquiera de los procedimientos siguientes: a. Atomización al vacío; b. Atomización por gas; c. Atomización rotatoria; d. Enfriamiento brusco por impacto; e. Enfriamiento brusco por colisión y rotación y trituración; f. Extracción en fusión y trituración; o g. Aleación mecánica; y 3. Capaces de formar los materiales especificados en los subartículos 1.C.2.a. o 1.C.2.b. d. Materiales aleados que cumplan todo lo siguiente: 1. Constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1.; 2. En forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas; y 3. Obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: a. enfriamiento brusco por impacto b. enfriamiento brusco por colisión y rotación o c. extracción en fusión.
De las siguientes fracciones arancelarias:
3815.11.99	Los demás
	Unicamente: Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo de l38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
7502.20.01	Aleaciones de níquel.
	Unicamente: Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo de l38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
7603.10.01	Polvo de estructura no laminar
	Unicamente: Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo de 38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional y aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
7603.20.01	Polvo de estructura laminar; escamillas
	Unicamente: Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo de 38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional y aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
8108.20.01	Titanio en bruto; polvo.
	Unicamente: Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
8108.90.99	Los demás.
	Unicamente: Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional.
7502.20.01	Aleaciones de níquel.

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Descripción

	Unicamente: Aleaciones de níquel que tengan una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10 000 horas o más, a 923 K (650 °C) con unesfuerzo de 676 MPa o una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10 000 ciclos o más, a 823 K(550 °C) con un esfuerzo máximo de 1 095 MPa.
7601.20.99	Las demás.
	Unicamente: Aleaciones de aluminio que tengan una resistencia a la tracción igual o superior a 240 MPa a 473 K (200 °C) o una resistencia a la tracción igual o superior a 415 MPa a 298 K (25 °C).
8104.19.99	Los demás.
	Unicamente: Aleaciones de magnesio que cumplan con una resistencia a la tracción igual o superior a 345 MPa y una velocidad de corrosión inferior a 1 mm/año en una solución acuosa de cloruro de sodioal 3 %, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o equivalentes nacionales.
8108.20.01	Titanio en bruto; polvo.
	Unicamente: Aleaciones de titanio que tengan una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10 000 horas o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo de 200 MPa o una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10 000 ciclos o más, a 723 K(450 °C) con un esfuerzo máximo de 400 MPa.
8112.92.01	En bruto; desperdicios y desechos; polvo.
	Unicamente: Aleaciones de niobio que tengan una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10 000 horas o más, a 1 073 K (800 °C) con un esfuerzo de 400 MPa o una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10 000 ciclos o más a 973 K(700 °C) con un esfuerzo máximo de 700 MPa.
7504.00.01	Polvo y escamillas, de níquel.
	Unicamente: Aleaciones de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) calificadas para las piezas o componentes de motores de turbina, es decir, con menos de 3 partículas no metálicas (introducidas durante el procesode fabricación) mayores de 100 micras en 109 partículas de aleación.
7603.10.01	Polvo de estructura no laminar.
	Unicamente: Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe).
7603.20.01	Polvo de estructura laminar; escamillas.
	Unicamente: Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe).
8104.30.01	Virutas, torneaduras y gránulos calibrados; polvo.
	Unicamente: Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al).
8108.20.01	Titanio en bruto; polvo.
	Unicamente: Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al).
8112.92.01	En bruto; desperdicios y desechos; polvo.
	Unicamente: Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti).
7502.20.01	Aleaciones de níquel.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
7505.12.01	De aleaciones de níquel.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
7506.20.99	Las demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no

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Descripción

	pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
7601.20.99	Las demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
7604.29.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
7606.92.99	Las demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8104.19.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8104.90.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8108.20.01	Titanio en bruto; polvo.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8108.90.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8112.92.01	En bruto; desperdicios y desechos; polvo.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
8112.99.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales aleados constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1.C.2.c.1., en forma de escamas no

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	pulverizadas, cintas o varillas y obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos: enfriamiento brusco por impacto, enfriamiento brusco por colisión y rotación o extracción en fusión.
	Grupo 1.C.3 Metales magnéticos de todos los tipos y en todas las formas que posean cualquiera de las características siguientes: a. Permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120 000 y espesor igual o inferior a 0,05 mm; Nota técnica: La medida de la permeabilidad inicial debe realizarse sobre materiales completamente recocidos. b. Aleaciones magnetostrictivas que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Una magnetostricción de saturación superior a 5 × 10-4; o 2. Un factor de acoplamiento magnetomecánico (k) superior a 0,8; o c. Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan todas las características siguientes: 1. Composición que tenga un 75 % en peso como mínimo xx xxxxxx, cobalto o níquel; y 2. Inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1,6 T; y 3. Cualquiera de las características siguientes: a. Espesor xx xxxxx igual o inferior a 0,02 mm; o b. Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10-4 ohmios cm. Nota técnica: Los materiales nanocristalinos del subartículo 1.C.3.c. son aquellos materiales con una granulometría xx xxxxxxxxx de 50 nm o menos, determinada por difracción con rayos X.
De las siguientes fracciones arancelarias:
7326.90.99	Las demás.
	Unicamente: Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan: una composición de un 75 % en peso como mínimo xx xxxxxx; inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1.6 T; y un espesor xx xxxxx igual o inferior a 0.02 mm o resistividad eléctrica igual o superior a 2 x 10-4 ohmios cm. Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
7506.20.99	Las demás.
	Unicamente: Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan una composición de un 75 % en peso como mínimo de níquel; inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1.6 T; y un espesor xx xxxxx igual o inferior a 0.02 mm o resistividad eléctrica igual o superior a 2 x 10-4 ohmios cm. Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
8105.90.99	Los demás.
	Unicamente: Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan una composición de un 75 % en peso como mínimo de cobalto; inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1.6 T; y un espesor xx xxxxx igual o inferior a 0.02 mm o resistividad eléctrica igual o superior a 2 x 10-4 ohmios cm. Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
8505.11.01	De metal.
	Unicamente: Metales magnéticos de todos los tipos y en todas las formas que posean cualquiera de las características siguientes: permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120 000 y espesor igual o inferior a 0,05 mm; aleaciones magnetostrictivas que posean una magnetostricción de saturación superior a 5 × 10-4 o un factor de acoplamiento magnetomecánico (k) superior a 0,8; bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan una composición de un 75 % en peso como

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	mínimo xx xxxxxx, cobalto o níquel; inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1,6 T; y con espesor xx xxxxx igual o inferior a 0,02 mm o resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10-4 ohmios cm.
	Grupo 1.C.4 Aleaciones de uranio titanio o aleaciones de volframio con una matriz a base xx xxxxxx, de níquel o de cobre, que posean todas las características siguientes: a. Densidad superior a 17,5 g/cm3; b. Límite de elasticidad superior a 880 MPa; c. Resistencia a la rotura por tracción superior a 1 270 MPa; y d. Alargamiento superior al 8 %.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8108.20.01	Titanio en bruto; polvo.
	Unicamente: Titanio en bruto, y aleaciones de titanio con una matriz a base xx xxxxxx, de níquel o de cobre, que posean una densidad superior a 17.5 g/cm3, un límite de elasticidad superior a 880 MPa, una resistencia a la rotura por tracción superior a 1.270 MPa, y alargamiento superior al 8 %. Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
	Grupo 1.C.5 Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores en longitudes superiores a 100 m o que tengan una masa superior a 100 g, según se indica: a. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores multifilamentos que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio: 1. Incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; o 2. Que tengan un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares); b. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean todas las características siguientes: 1. Una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C); 2. Que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor; c. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores consistentes en uno o más filamento superconductores que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura superior a 115 K (– 158,16° C). Nota técnica: A efectos de 1.C.5 los filamentos podrán tener forma de hilo, cilindro, película, banda o cinta.
De las siguientes fracciones arancelarias:
7605.29.99	Los demás.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

7806.00.99	Las demás.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.
8003.00.01	Barras, perfiles y alambre, de estaño.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.
8112.99.99	Los demás
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores multifilamentos que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio, incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; o que tengan un área de sección transversal inferior a 0.28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares). Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
8544.49.99	Los demás
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores consistentes en uno o más filamento superconductores que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura superior a 115 K (– 158,16° C).
	Grupo 1.C.5 Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores en longitudes superiores a 100 m o que tengan una masa superior a 100 g, según se indica: a. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores multifilamentos que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio: 1. Incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; o 2. Que tengan un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares); b. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean todas las características siguientes: 1. Una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C); 2. Que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor; c. Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores consistentes en uno o más filamento superconductores que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura superior a 115 K (– 158,16° C). Nota técnica: A efectos de 1.C.5 los filamentos podrán tener forma de hilo, cilindro, película, banda

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	o cinta.
De las siguientes fracciones arancelarias:
7605.29.99	Los demás.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.
7806.00.99	Las demás.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.
8003.00.01	Barras, perfiles y alambre, de estaño.
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16°C) y que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T con una densidad de corrientecrítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor.
8112.99.99	Los demás
	Únicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores multifilamentos que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio, incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; o que tengan un área de sección transversal inferior a 0.28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares). Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
8544.49.99	Los demás
	Unicamente: Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores consistentes en uno o más filamento superconductores que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura superior a 115 K (– 158,16° C).
	Grupo 1.C.6 Fluidos y sustancias lubricantes según se indica: a. Líquidos hidráulicos que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes: 1. Aceites de silahidrocarburos sintéticos que posean todas las características siguientes: Nota técnica: A los fines del subartículo 1.C.6.a.1., los aceites de silahidrocarburos contienen exclusivamente silicio, hidrógeno y carbono. a. Un punto de encendido (flash point) superior a 477 K (204 °C); b. Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 239 K (– 34 °C); c. Un índice de viscosidad igual o superior a 75; y d. Una estabilidad térmica a 616 K (343 °C); o

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2. Clorofluorocarbonos que cumplan todo lo siguiente:

Nota técnica:

A los fines del subartículo 1.C.6.a.2., los clorofluorocarbonos contienen exclusivamente carbono, flúor y cloro.

a. Ningún punto de encendido (flash point);

b. Una temperatura de ignición autógena superior a 977 K (704 °C);

c. Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 219 K (– 54 °C);

d. Un índice de viscosidad igual o superior a 80; y

e. Un punto de ebullición igual o superior a 473 K (200 °C);

Nota técnica:

A los fines del artículo 1.C.6:

1. El punto de encendido (flash point) se determina empleando el método en vaso abierto xx Xxxxxxxxx descrito en ASTM D-92, o equivalentes nacionales.

2. El punto de fluidez crítica se determina empleando el método descrito en ASTM D-97, o equivalentes nacionales.

3. El índice de viscosidad se determina empleando el método descrito en ASTM D-2270, o equivalentes nacionales.

4. La estabilidad térmica se determina empleando el método de ensayo siguiente o sus equivalentes nacionales:

Se colocan 20 ml del fluido a ensayar en una xxxxxx xx xxxxx inoxidable tipo 317 de 46 ml que contiene una bola de 12,5 mm de diámetro (nominal) de cada uno de los materiales siguientes: acero para herramientas M-10, acero 52 100 y bronce naval (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn).

La cámara se purga con nitrógeno y se cierra herméticamente a la presión atmosférica, su temperatura se eleva luego a 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) y se mantiene a esa temperatura durante seis horas.

La muestra se considerará térmicamente estable si al final del método descrito se cumplen todas las condiciones siguientes:

a. La pérdida de peso de cada bola es inferior a 10 mg/mm2 de superficie de la bola;

b. El cambio de la viscosidad original, determinada a 311 K (38 °C), es inferior al 25 %; y

c. El índice de acidez o alcalinidad total es inferior a 0,40.

5. La temperatura de ignición autógena se determina empleando el método descrito en ASTM E-659, o susequivalentes nacionales

b. Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

1. Eteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o sus mezclas; o

2. Fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C);

c. Fluidos de amortiguación o de flotación:

1. De una pureza superior al 99,8 %;

2. Que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml; y

3. Constituidos en un 85 % como mínimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

a. Dibromotetrafluoretano;

b. Policlorotrifluoretileno (sólo modificaciones oleosas y céreas); o

c. Polibromotrifluoretileno;

d. Fluidos refrigerantes electrónicos de fluorocarbonos que posean todas las

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	características siguientes: 1. Que contengan como mínimo el 85 % en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas: a. Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triacinas o éteres trifluoroalifáticos; b. Perfluoroalquilaminas; c. Perfluorocicloalcanos; o d. Perfluoroalcanos; 2. Densidad a 298 K (25 °C) de 1,5 g/ml o más; 3. En estado líquido a 273 K (0 °C); y 4. Que contengan como mínimo el 60% en peso de flúor.
De las siguientes fracciones arancelarias:
2903.39.99	Los demás.
	Unicamente: Fluidos refrigerantes electrónicos de fluorocarbonos que posean las características siguientes: 1) que contengan como mínimo el 85 % en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas: formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triacinas o éteres trifluoroalifáticos; perfluoroalquilaminas; perfluorocicloalcanos; o perfluoroalcanos; 2) densidad a 298 K (25 °C) de 1,5 g/ml o más; 3) en estado líquido a 273 K (0 °C); y 4) que contengan como mínimo el 60% en peso de flúor.
2903.76.01	Bromoclorodifluorometano, bromotrifluorometano y dibromotetrafluoroetanos.
	Unicamente: Fluidos de amortiguación o de flotación: de una pureza superior al 99,8 %; que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml; y constituidos en un 85 % como mínimo por dibromotetrafluoretano. Fracción arancelaria reformada DOF 22/10/2012
2909.30.99	Los demás.
	Unicamente: Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes: éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o sus mezclas; o fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C).
2930.90.99	Los demás.
	Unicamente: Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes: éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o sus mezclas; o fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C).
3403.99.99	Las demás.
	Unicamente: Líquidos hidráulicos que contengan como ingredientes principales aceites de silahidrocarburos sintéticos que posean todas las características siguientes: un punto de encendido (flash point) superior a 477 K (204 °C); un punto de fluidez crítica igual o inferior a 239 K (– 34 °C); un índice de viscosidad igual o superior a 75; y una estabilidad térmica a 616 K (343 °C).
3811.21.99	Los demás.
	Unicamente: Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes: éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o sus mezclas; o fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C).
3819.00.99	Los demás.
	Unicamente: Líquidos hidráulicos.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

3904.69.99	Los demás.
	Unicamente: Fluidos de amortiguación o de flotación: de una pureza superior al 99,8 %; que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml; y constituidos en un 85 % como mínimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes: dibromotetrafluoretano, policlorotrifluoretileno (sólo modificaciones oleosas y céreas), o polibromotrifluoretileno.
3910.00.99	Los demás.
	Unicamente: Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C).
	Grupo 1.C.7 Materiales de base cerámica, materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), materiales compuestos (composites) de matriz cerámica y materiales precursores, según se indica: a. Materiales de base de boruros de titanio simples o complejos que contengan un total de impurezas metálicas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a 5 000 ppm, un tamaño medio de partícula igual o inferior a 5 micras y no más de un 10 % de partículas mayores de 10 micras; b. Materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), en formas brutas o semielaboradas, compuestos de boruros de titanio que tengan una densidad igual o superior al 98 % de la densidad teórica; Nota: El subartículo 1.C.7.b. no somete a control los abrasivos. c. Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con matriz xx xxxxxx o de óxido, reforzados con fibras, que posean todas las características siguientes: 1. Constituidos por cualquiera de los siguientes materiales: a. Si-N; b. Si-C; c. Si-Al-O-N, o d. Si-O-N; y 2. Con una resistencia específica a la tracción superior a 12,7 × 103 m; d. Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica, con o sin fase metálica continua, que contengan partículas, triquitos o fibras, y en los que la matriz esté formada por carburos o nitruros de silicio, circonio o boro; e. Materiales precursores (es decir, materiales polímeros u organometálicos para fines especiales) destinados a la producción de cualquiera de las fases de los materiales incluidos en el subartículo 1.C.7.c., según se indica: 1. Polidiorganosilanos (para producir xxxxxxx xx xxxxxxx); 2. Polisilazanos (para producir nitruro de silicio); 3. Policarbosilazanos (para producir materiales cerámicos con componentes de silicio, carbono y nitrógeno); f. Materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con una matriz de óxido o xx xxxxxx, reforzados con fibras de cualquiera de los sistemas siguientes: 1. Al2O3, o 2. Si-C-N. Nota: El subartículo 1.C.7.f. no somete a control los materiales compuestos (composites) que contengan fibras de estos sistemas con una resistencia a la tracción de la fibra inferior a 700 MPa a 1 273 K (1 000 °C) o con una resistencia a la termofluencia por tracción de la fibra de más de 1% de deformación con una carga de 100 MPa a 1 273 K (1 000 °C) durante 100 horas.
De las siguientes fracciones arancelarias:

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

8113.00.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con matriz xx xxxxxx o de óxido, reforzados con fibras, que estén constituidos por cualquiera de los siguientes materiales: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N, o Si-O-N; y con una resistencia específica a la tracción superior a 12.7 × 103 m. Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
	Grupo 1.C.8 Sustancias polímeras no fluoradas, según se indica: a. Imidas como las siguientes: 1. Bismaleimidas; 2. Poliamidas-imidas aromáticas; 3. Poliimidas aromáticas; 4. Polieterimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240 °C). Nota: El subartículo 1C008.a somete a control sustancias en forma “fundible” líquida o sólida, incluidas la resina,el polvo, el gránulo, la película, la hoja, la banda o la cinta. N.B.: Para las poliimidas aromáticas no “fundibles”, en forma de película, hoja, banda o cinta, véase el artículo 1,A,3. b. Copolímeros xx xxxxxxxxx líquidos termoplásticos que tengan una temperatura de termodeformación superior a 523 K (250 °C) medida de acuerdo con la norma ASTM D-648, método A, o sus equivalentes nacionales, con una carga de 1,82 N/mm2 y compuestos de: 1. Cualquiera de las sustancias siguientes: a. Fenileno, bifenileno o naftaleno, o b. Fenileno, bifenileno o naftaleno sustituido por metilo, butilo terciario o fenilo; y 2. Cualquiera de los ácidos siguientes: a. Acido tereftálico; b. Acido 6-hidroxi-2 naftóico; o c. Acido 4-hidroxibenzoico; c. No se usa desde 2006 d. Cetonas de poliarileno; e. Sulfuros de poliarileno en los que el grupo arileno está constituido por bifenileno, trifenileno o combinaciones de ellos; f. Polibifenilenetersulfona que tenga una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240 °C). Nota técnica: La temperatura de transición vítrea (Tg) para los materiales del artículo 1.C.8 se determina mediante el método descrito en ISO 11357-2 (1999), o sus equivalentes nacionales.
De las siguientes fracciones arancelarias:
3907.91.99	Los demás.
	Unicamente: Copolímeros xx xxxxxxxxx líquidos termoplásticos que tengan una temperatura de termodeformación superior a 523 K (250 °C) medida de acuerdo con la norma ASTM D-648, método A, o sus equivalentes nacionales, con una carga de 1,82 N/mm2 y compuestos de: Fenileno, bifenileno o naftaleno, o Fenileno, bifenileno o naftaleno sustituido por metilo, butilo terciario o fenilo; y cualquiera de los ácidos siguientes: ácido tereftálico; ácido 6-hidroxi-2 naftóico; o ácido 4-hidroxibenzoico.
3911.10.01	Resinas de petróleo, resinas de cumarona, resinas de indeno, resinas de cumarona- indeno y politerpenos.
	Unicamente: Imidas tales como: bismaleimidas, poliamidas-imidas aromáticas, poliimidas aromáticas y polieterimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240 °C).

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

3911.90.99	Unicamente: Imidas tales como: bismaleimidas, poliamidas-imidas aromáticas, poliimidas aromáticas y polieterimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240° C). Fracción arancelaria reformada DOF 13/12/2011
	Grupo 1.C.9 Compuestos fluorados no tratados, según se indica: a. Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado; b. Poliimidas fluoradas que contengan el 10 % en peso o más de flúor combinado; c. Elastómeros de fosfaceno fluorado que contengan el 30 % en peso o más de flúor combinado.
De las siguientes fracciones arancelarias:
2929.90.99	Los demás.
	Unicamente: Elastómeros de fosfaceno fluorado que contengan el 30 % en peso o más de flúor combinado.
3904.69.99	Los demás.
	Unicamente: Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado.
3905.91.01	Copolímeros.
	Unicamente: Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado.
3905.99.99	Los demás.
	Unicamente: Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado.
3911.90.99	Los demás.
	Unicamente: Poliimidas fluoradas que contengan el 10 % en peso o más de flúor combinado;
	Grupo 1.C.10 Materiales fibrosos o filamentosos como los siguientes: a. Materiales fibrosos o filamentosos orgánicos que posean todas las características siguientes: 1. Módulo específico superior a 12,7 × 106 m; y 2. Resistencia específica a la tracción superior a 23,5 × 104 m; Nota: El subartículo 1C.10.a. no somete a control el polietileno. b. Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean todas las características siguientes: 1. Módulo específico superior a 14,65 × 106 m; y 2. Resistencia específica a la tracción superior a 26,82 × 104 m; Nota: El subartículo 1.C.10.b. no somete a control los tejidos constituidos por materiales fibrosos o filamentosos para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves en los que el tamaño de cada hoja no sea superior a 50 cm × 90 cm. Nota técnica: Las propiedades de los materiales descritos en el subartículo 1.C.10.b se determinarán empleando los métodos recomendados SRM 12 a 17 de la Suppliers of Advanced Composite Materials Association (SACMA), ISO 10618 (2004) 10.2.1 Método A o equivalentes nacionales deremolque pruebas y se basarán en la media de los lotes. c. Materiales fibrosos o filamentosos inorgánicos que posean todas las características siguientes: 1. Módulo específico superior a 2.54 × 106 m; y 2. Punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación

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superior a 1, 922 K (1, 649 °C) en ambiente inerte;

Nota: El subartículo 1.C.10.c. no somete a control:

a. Las fibras de alúmina policristalina multifásica discontinua en forma de fibras picadas o de esterillas irregulares, que contengan el 3% en peso o más de sílice y tengan un módulo específico inferior

a 10 × 106 m;

b. Las fibras de molibdeno y de aleaciones de molibdeno;

c. Las fibras de boro;

d. Las fibras cerámicas discontinuas que tengan un punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación inferior

a 2, 043 K (1, 770 °C) en ambiente inerte.

d. Materiales fibrosos o filamentosos:

1. Constituidos por cualquiera de los elementos siguientes:

a. Polieterimidas incluidas en el subartículo 1.C.8.a.; o

b. Materiales incluidos en los subartículos 1.C.8.b. a 1.C.8.f.;

2. Constituidos por materiales incluidos en los subartículos 1.C.10.d.1.a. o 1.C.10.d.1.b. y entremezclados con otras fibras incluidas en los subartículos 1.C.10.a., 1.C.10.b. o 1.C.10.c.;

e. Materiales fibrosos o filamentosos impregnados total o parcialmente de resina o de tono impregnado (preimpregnados), metal o materiales fibrosos o filamentosos recubiertos de carbono (preformas) o preformas de fibra de carbono, que tengan todas las siguientes:

1. Que tengan cualquiera de las siguientes:

a. Materiales fibrosos o filamentosos inorgánicos especificados por 1C.10.c, o

b. Materiales fibrosos o filamentosos de carbono orgánico o que tengan todas las siguientes:

1. Modulo especifico superior a 10.15 x 106m; y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 17,7 x 104m, y

2. Que tengan cualquiera de las siguientes:

x. Xxxxxx x xxxx especificados por 1.C.8 o 1.C.9.b;

b. El análisis mecánico dinámico vidrio temperatura de transición (DMA Tg) igual o superior a 453 K (180 ° C) y con una resina fenólica, o

c. El análisis mecánico dinámico vidrio temperatura de transición (DMA Tg) igual o superior a 505 K (232 ° C) y con una resina x xxxx, no especificada por 1.C.8 o 1.C.9.b. y no ser una resina fenólica

Nota 1: Materiales fibrosos o filamentosos de metal recubiertos de carbono (preformas) o preformas de fibra de carbono, impregnado con resina y la brea, se especifican en los materiales fibrosos o filamentar en 1.C.10.a, 1.C.10.b. o 1.C.10.c.

Nota 2: 1.C.10.e no sujeta a control a:

a. Los materiales fibrosos o filamentosos de carbono con matriz impregnada de resina epoxídica (preimpregnados) , para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves civiles que tengan todas las siguientes:

1. Un área no superior a 1 m2.

2. Una longitud no superior a 2,5 m, y

3. Una anchura superior a 15 mm

b. Total o parcialmente impregnado con resina o el tono impregnado de picada mecánicamente, blanqueado o el corte de materiales de carbono fibrosos o filamentosos 25.0 mm de longitud o menos cuando se utiliza una resina y la brea que no sean los especificados por 1.C.8 y 1.C.9. b

Nota técnica:

El Análisis Mecanico Dinámico de la temperatura de transición vítrea (DMA Tg) para los materiales del subartículo 1.C.10.e. se determina mediante el método descrito en ASTM D 7028-07, o norma nacional equivalente, en una muestra de la prueba en seco. En el caso de los materiales termoestables, el grado de curación de una

muestra de la prueba en seco será de un mínimo de 90% según lo definido por la

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	norma ASTM E 2160-4 o una norma nacional equivalente.
De las siguientes fracciones arancelarias:
6815.10.99	Las demás.
	Unicamente: Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean las características siguientes: módulo específico superior a 14,65 × 106 m y resistencia específica a la tracción superior a 26,82 × 104 m.
	Grupo 1.C.11 Metales y compuestos, según se indica: a. Metales en partículas de dimensiones inferiores a 60 micras, ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales,en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un 99 % de circonio, magnesio y aleaciones de los mismos; Nota: Los metales y aleaciones incluidos en el subartículo 1.C.11.a. se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio. Nota técnica: El contenido natural de hafnio en el circonio (2 % a 7 % típico) se cuenta con el circonio. b. El boro o aleaciones de boro, con un tamaño de partícula de 60 um o menos, de la siguiente manera: 1. Boro con una pureza del 85% en peso o más 2. Aleaciones de boro con un contenido de boro de 85 % en peso o más Note: Los metales o aleaciones incluidos en el subartículo 1.C.11.b. se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio. c. Nitrato de guanidina (Cas 506-93-4); d. Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7). N.B. Ver ML8.c.5.b para polvos metálicos mezclados con otras sustancias para formar una mezcla formulada para fines militares.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8104.30.01	Virutas, torneaduras y gránulos calibrados; polvo.
	Unicamente: Metales en partículas de dimensiones inferiores a 60 micras, ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales,en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un 99 % de magnesio y aleaciones del mismo.
2849.90.99	Los demás.
	Unicamente: El boro o aleaciones de boro, con un tamaño de partícula de 60 um o menos, de la siguiente manera: boro con una pureza del 85% en peso o más, y aleaciones de boro con un contenido de boro de 85 % en peso o más.
2925.29.01	Guanidina o biguanidina.
	Unicamente: Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).
	Grupo 1.C.12 Materiales según se indica: Nota técnica: Estos materiales se usan típicamente para fuentes térmicas nucleares. a. Plutonio en cualquiera de sus formas, con un dosaje isotópico de plutonio de más del 50 % en peso de plutonio-238; Nota: El subartículo 1C.12.a. no somete a control: a. Las expediciones con un contenido de plutonio igual o inferior a 1 g; b. Las expediciones con 3 gramos efectivos o menos, cuando estén contenidas en un componente sensor de un instrumento. b. Neptunio-237 previamente separado en cualquiera de sus formas. Nota: El subartículo 1C012.b. no somete a control las expediciones con un contenido igual o inferior a 1 g deneptunio-237.

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De las siguientes fracciones arancelarias:
No se señalan fracciones arancelarias porque todos los bienes de este grupo están contenidos en el Acuerdo que establece la clasificación y codificación de mercancías cuya importación y exportación está sujeta a autorización previa por parte de la Secretaría de Energía. Párrafo adicionado DOF 13/12/2011

Categoría 2: Materiales Procesados
2. A. Sistemas, equipos y componentes N.B. Para los rodamientos de funcionamiento silencioso ver ML9 en la Lista de Municiones.
	Grupo 2.A.1 Rodamientos y sistemas de rodamiento antifricción, según se indica, y componentes para ellos: Nota: El artículo 2.A.1. no somete a control las bolas con tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la norma ISO 3290 como grado 5 o peor. a. Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio; Nota: El subartículo 2.A.1.a. no somete a control los rodamientos de rodillos cónicos. b. Dejó de ser usado desde 2010. c. Sistemas de rodamientos magnéticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos: 1. Materiales con densidades de flujo de 2,0 T o mayores y límites elásticos superiores a 414 MPa; 2. Diseños de polarización homopolar 3D totalmente electromagnéticos para actuadores; o 3. Sensores de posición de alta temperatura (450 K (177 °C) y superiores).
De las fracciones arancelarias siguientes:
8482.10.99	Los demás.
	Unicamente: Rodamientos de bolas con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8482.30.01	Rodamientos de rodillos en forma xx xxxxx.
	Unicamente: Rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8482.50.01	Rodamientos de rodillos cilíndricos.
	Unicamente: Rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8482.80.01	Los demás, incluso los rodamientos combinados.

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Descripción

	Unicamente: Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8482.91.99	Los demás.
	Unicamente: Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8482.99.99	Las demás.
	Unicamente: Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio.
8505.90.99	Los demás.
	Unicamente: Sistemas de rodamientos magnéticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos: materiales con densidades de flujo de 2,0 T o mayores y límites elásticos superiores a 414 MPa, diseños de polarización homopolar 3D totalmente electromagnéticos para actuadores o sensores de posición de alta temperatura (450 K (177 °C) y superiores).
2. B. Equipo de producción, pruebas e inspección. Notas técnicas: 1. Los ejes de contorneado secundarios paralelos (por ejemplo, el eje w de las mandrinadoras horizontales o un eje de rotación secundario cuya línea central sea paralela al eje de rotación principal) no se incluyen en el número total de ejes de contorneado. Los ejes de rotación no necesitan más de 360°. Un eje de rotación podrá ser accionado por un dispositivo lineal (por ejemplo, un tornillo o una cremallera y piñón). 2. A efectos del artículo 2B, el número de ejes que pueden coordinarse simultáneamente para el control de contorneado es el número de ejes que afectan al movimiento relativo entre cualquier pieza a trabajar y la herramienta. Esto no incluye otros ejes adicionales que puedan afectar a otros movimientos relativos dentro de la máquina, tales como: a. Sistemas de reafilado muelas de máquinas de pulir; b. Ejes de rotación paralelos diseñados para montar piezas separadas; c. Ejes de rotación colineales diseñados para manipular la misma pieza sujetándola sobre un mandril desde distintos lados. 3. La nomenclatura de los ejes se ajustará a la norma internacional ISO 841 Máquinas de Control Numérico - Nomenclatura de Ejes y Movimientos. 4. los efectos de los artículos 2.B.1 a 2.B.9, un husillo basculante se considera eje de rotación. 5. Los niveles de exactitud de posicionamiento declarados a partir de mediciones efectuadas de acuerdo con la norma ISO 230/2 (1998) o sus equivalentes nacionales podrán utilizarse para cada modelo de máquina herramienta, como una alternativa a las pruebas de maquina individual. Por exactitud de posicionamiento declarada se entiende el valor de la exactitud

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Descripción

declarado a las autoridades del Estado miembro donde esté ubicado el exportador en su calidad de representante de la exactitud del modelo de máquina.

Determinación de los valores declarados:

a. Seleccionar cinco máquinas del modelo que se quiere evaluar;

b. Medir las precisiones de los ejes lineales según la norma ISO 230/2 (1997);

c. Determinar los valores A de cada eje de cada máquina. El método de cálculo del valor A se describe en la norma ISO;

d. Determinar el valor medio de A de cada eje. Ese valor medio Â será el valor declarado de cada eje para el modelo (Âx Ây…);

e. Como la lista de la categoría 2 se refiere a cada eje lineal, habrá tantos valores declarados como ejes lineales;

f. Si cualquiera de los ejes del modelo de máquina no especificada por 2.B.1.a. a 2.B.1.c. tiene una exactitud declarada Â de 5 micras para las máquinas de molienda y 6.5 micras para las fresadoras y tornos o mejor, el constructor debe exigirse para reafirmar el nivel de precisión,

una vez cada dieciocho meses.

Grupo 2.B.1

Máquinas herramienta y cualquier combinación de ellas, para el arranque (o corte) de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos “composites”, que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el control numérico, y componentes diseñados especialmente para ellas, según se indica:

Nota 1: El artículo 2.B.1 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de engranajes. Para esas máquinas, véase el artículo 2.B.3.

Nota 2: El artículo 2.B.1 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de alguna de las siguientes piezas:

a. cigüeñales o árboles de levas;

b. herramientas o cuchillas;

c. tornillos extrusores; o

d. piezas de joyería grabadas o talladas en facetas.

Nota 3: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2.B.1.a., b. o c. que le sean aplicables.

N.B.: Para las máquinas herramientas de acabado óptico, véase el artículo 2.B.2.

a. Máquinas herramienta para torneado que reúnan todas las siguientes:

1. Precisiones de posicionamiento, con “todas las compensaciones disponibles”, iguales o inferiores a(mejores que) 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

2. Dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

Nota: El subartículo 2.B.1.a. no somete a control las máquinas de torneado diseñadas especialmente para producir lentes de contacto que cumplan todo lo siguiente:

a. Controlador de máquina limitado al uso de equipo lógico (software) oftálmico para la introducción de datos para la programación de piezas; y

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b. Sin dispositivo de vacuosujección.

b. Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Con todas las características siguientes:

a. Precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

b. Tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

3. Una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997)o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o

4. Fresadoras simples que cumplan todo lo siguiente:

a. Desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a (mejor que) 0,0004 mm TIR; y

b. Desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo

y balanceo) inferior a (mejor que) 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance;

c. Máquinas herramienta para rectificado que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Con todas las características siguientes:

a. Precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

b. Tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

Nota: El subartículo 2.B.1.c. no somete a control las máquinas para rectificado que se indican a continuación:

a. Máquinas para rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que cumplan todo lo siguiente:

1. Limitarse al rectificado cilíndrico; y

2. Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud.

b. Máquinas diseñadas específicamente como rectificadoras de coordenadas que no tengan un eje z o un eje w, con una precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, inferior a (mejor que) 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o sus equivalentes nacionales.

c. Rectificadoras de superficies.

d. Máquinas de electroerosión (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o más ejes de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

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	e. Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que cumplan todo lo siguiente: 1. Que eliminen material por alguno de los siguientes medios: a. Chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos; b. Haz electrónico; o c. Haz láser; y 2. Estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan todo lo siguiente: a. Puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y b. Una exactitud de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003°; f. Máquinas para perforación profunda y máquinas para tornear modificadas para perforación profunda, que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5 m, y componentes diseñados especialmente para ellas.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8458.91.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para torneado que reúnan las siguientes características: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8464.90.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para torneado que reúnan las siguientes características: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8465.99.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para torneado que reúnan las siguientes características: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8457.30.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con

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Descripción

	desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8459.21.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8459.31.01	De control numérico.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8459.51.01	De control numérico.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	(guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8459.61.01	De control numérico.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8464.90.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8465.92.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para fresado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a 4.5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales y tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o fresadoras simples con desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a 0,0004 mm TIR; y desviación angular del movimiento xxx xxxxx (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance.
8460.11.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para rectificado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8460.21.99	Las demás.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	Unicamente: Máquinas herramienta para rectificado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8464.20.01	Máquinas de amolar o pulir.
	Unicamente: Máquinas herramienta para rectificado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8465.93.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para rectificado que tengan cualquiera de las características siguientes: precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a 3.0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1997) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8456.30.01	Que operen por electroerosión.
	Unicamente: Máquinas de electroerosión (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o más ejes de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.
8424.30.01	Máquinas o aparatos para limpieza por chorro de agua fría y/o sobrecalentada, incluso con dispositivos para espacir arenas, polvos o líquidos compatibles con agua.
	Unicamente: Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que eliminen material por medio de chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos; y estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan con lo siguiente: puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y una exactitud de posicionamiento inferior a 0,003°.
8424.30.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que cumplan todo lo siguiente: que eliminen material por alguno de los siguientes medios: a) chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos; b) Haz electrónico; o c) Haz láser; y estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan todo con lo siguiente: puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y una exactitud de posicionamiento inferior a 0,003°.
8424.89.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que cumplan todo lo siguiente: 1. que eliminen material por alguno de los siguientes medios: a) chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos; b) Haz electrónico; o c) Haz láser; y estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan todo lo siguiente:

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y una exactitud de posicionamiento inferior a 0,003°.
8456.10.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que eliminen material por alguno de los siguientes medios: Haz electrónico; o Haz láser; y estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan con lo siguiente: puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y una exactitud de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003°.
8456.90.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que eliminen material por medio de un Haz electrónico y estén dotadas de dos o más ejes rotativos y cumplan con lo siguiente: puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y una exactitud de posicionamiento inferior a 0,003°.
8459.10.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas para perforación profunda y máquinas para tornear modificadas para perforación profunda, que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5 m, y componentes diseñados especialmente para ellas.
8466.93.99	Las demás.
	Unicamente: Partes y componentes de maquinas para perforación profunda y máquinas para tornear modificadas para perforación profunda, que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5 m, y componentes diseñados especialmente para ellas.
	Grupo 2.B.2 Máquinas herramienta de acabado óptico con control numérico equipadas para la eliminación de material de modo selectivo a fin de producir superficies ópticas no esféricas, que cumplan todo lo siguiente: a. Acabado de la forma inferior a (mejor que) 1,0 micra; b. Acabado con una rugosidad inferior a (mejor que) 100 nm RMS. c. Cuatro o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; y d. Que utilicen uno cualquiera de los siguientes procesos: 1. Acabado magnetorreólico (MRF); 2. Acabado electrorreológico (ERF); 3. Acabado por haz de partículas energéticas; 4. Acabado mediante herramienta con membrana inchable 5. Acabado por chorro de fluido. Notas técnicas: A los efectos del artículo 2.B.2: 1. MRF es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo magnético cuya viscosidad se controla por medio de un campo magnético; 2. ERF es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo cuya viscosidad se controla por medio de un campo eléctrico; 3. El acabado por haz de partículas energéticas utiliza plasmas de átomos reactivos (RAP) o haces de iones para eliminar material de modo selectivo; 4. El acabado mediante herramienta con membrana hinchable es un procedimiento en el que se emplea una membrana presurizada que se deforma para entrar en contacto con una pequeña superficie de la pieza; 5. El acabado por chorro de fluido utiliza un chorro de líquido para la eliminación de material.
De las siguientes fracciones arancelarias:

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

8461.90.02	De control numérico.
	Unicamente: Máquinas herramienta de acabado óptico con control numérico equipadas para la eliminación de material de modo selectivo a fin de producir superficies ópticas no esféricas, que cumplan todo lo siguiente: acabado de la forma inferior a 1,0 micra; acabado con una rugosidad inferior a 100 nm RMS; cuatro o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; y que utilicen uno cualquiera de los siguientes procesos: acabado magnetorreólico (MRF); acabado electrorreológico (ERF); acabado por haz de partículas energéticas; acabado mediante herramienta con membrana hinchable; acabado por chorro de fluido.
	Grupo 2.B.3 Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
De las siguientes fracciones arancelarias:
8461.40.01	Máquinas para tallar o acabar engranajes.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado y acabado de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8466.10.01	Reconocibles como concebidos exclusivamente para rectificadoras de los productos metálicos.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8466.20.01	Reconocibles como concebidas exclusivamente para rectificadoras de productos metálicos.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

8466.93.02	Reconocibles como concebidas exclusivamente para rectificadoras de productos metálicos.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8537.10.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y xx xxxxx dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3).
	Grupo 2.B.4 Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: a. Un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y b. Cualquiera de las características siguientes: 1. Capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior

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Descripción

	a 207 MPa; 2. Ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o 3. Capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes. Nota técnica: La dimensión interior de la cámara es la de la cavidad de trabajo en la que se generan la temperatura y la presión de trabajo y no incluye el utillaje de sujeción. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra. N.B.: Para matrices, moldes y herramientas diseñados especialmente véanse los artículos 1.B.3, 9.B.9 y ML18 de la Lista de Municiones.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8462.99.99	Las demás.
	Unicamente: Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y cualquiera de las características siguientes: capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa; ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.
8466.94.99	Las demás.
	Unicamente: Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y cualquiera de las características siguientes: capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa; ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.
8480.49.99	Los demás.
	Unicamente: Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y cualquiera de las características siguientes: capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa; ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.
8514.40.99	Los demás.
	Unicamente: Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y cualquiera de las características siguientes: capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa; ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.
8537.10.99	Los demás.
	Unicamente: Prensas isostáticas en caliente, que tengan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y cualquiera de las características

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	siguientes: capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa; ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C); o capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.
	Grupo 2.B.5 Equipos diseñados especialmente para el depósito, proceso y control durante el proceso, de revestimientos, recubrimientos y modificaciones de superficies inorgánicas, según se indica, para sustratos no electrónicos, por los procedimientos que se especifican en la tabla y en las notas correspondientes a continuación del subartículo 2.E.3.f., y los componentes de manejo automático, posicionamiento, manipulación y control automatizados diseñados especialmente para ellos: a. Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor (CVD) que cumplan todo lo siguiente: 1. Un proceso modificado para uno de los tipos de depósito siguientes: a. CVD pulsante; b. Deposición nuclearia térmica controlada (CNTD); o c. CVD intensificado por plasma o asistido por plasma; y 2. Que tengan alguna de las características siguientes: a. Juntas rotatorias de alto vacío (igual o inferior a 0,01 Pa); o b. Control del espesor del revestimiento in situ; b. Equipos de producción para la implantación iónica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA; c. Equipos de producción para el depósito físico mediante vapor, con haz de electrones (EB-PVD),que incorporen sistemas de alimentación tasados a más de 80 kW y tengan alguna de las características siguientes: 1. Sistema de control láser del nivel del baño líquido que regule con precisión la velocidad de avance de los lingotes; o 2. Dispositivo de vigilancia de la velocidad controlado por ordenador, que funcione de acuerdo con el principio de la fotoluminiscencia de los átomos ionizados en la corriente en evaporación para controlar la velocidad de depósito de un revestimiento que contenga dos o más elementos; d. Equipos de producción para la pulverización de plasma que tengan cualquiera de las características siguientes: 1. Funcionamiento en atmósfera controlada a baja presión (igual o inferior a 10 kPa, medida por encima de la salida de la boquilla de la pistola y a una distancia máxima de 300 mm de ésta) en una cámara de vacío capaz de evacuar hasta 0,01 Pa antes del proceso de pulverización; o 2. Control del espesor del revestimiento in situ; e. Equipos de producción para el depósito por pulverización catódica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a 0,1 mA/mm2 a una velocidad de depósito igual o superior a 15 micras/h; f. Equipos de producción para el depósito por arco catódico, dotados de una retícula de electroimanes para el control de la dirección del punto de arco en el cátodo; g. Equipos de producción para la implantación iónica que permitan la medición in situ de una de las características siguientes: 1. Espesor del revestimiento sobre el sustrato y control de la velocidad; o 2. Características ópticas. Nota: El artículo 2.B.5.a., 2.B.5.b., 2.B.5.e., 2.B.5.f. y 2.B.5.g no somete a control los equipos para depósito químico en fase de vapor, de arco catódico, depósito por pulverización catódica, sedimentación iónica o implantación iónica, diseñados especialmente para herramientas xx xxxxx o de mecanizado.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8419.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	(CVD) que cumplan todo lo siguiente: a) un proceso modificado para uno de los tipos de depósito siguientes: CVD pulsante, deposición nuclearia térmica controlada (CNTD), o CVD intensificado por plasma o asistido por plasma; y b) que tengan alguna de las características siguientes: juntas rotatorias de alto vacío (igual o inferior a 0,01 Pa), o control del espesor del revestimiento in situ.
8486.20.02	Aparatos de implantación iónica para dopar material semiconductor.
	Unicamente: Equipos de producción para la implantación iónica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA. Fracción arancelaria reformada DOF 22/10/2012
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor (CVD); equipos de producción para el depósito físico mediante vapor, con haz de electrones (EB-PVD), que incorporen sistemas de alimentación tasados a más de 80 kW; equipos de producción para la pulverización de plasma; equipos de producción para el depósito por pulverización catódica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a 0,1 mA/mm2 a una velocidad de depósito igual o superior a 15 micras/h; equipos de producción para el depósito por arco catódico, dotados de una retícula de electroimanes para el control de la dirección del punto de arco en el cátodo; y equipos de producción para la implantación iónica, en los términos descritos en el Grupo 2.B.5
8543.90.99	Las demás.
	Unicamente: componentes de manejo automático, posicionamiento, manipulación y control automatizados diseñados especialmente para los equipos comprendidos en el Grupo 2.B.5.
	Grupo 2.B.6 Sistemas, equipos y conjuntos electrónicos de control dimensional o de medida según se indica: a. Máquinas de medida de coordenadas (MMC) controladas por ordenador, o bien por control numérico, que tengan un error máximo tolerado (EMTE) de indicación en tres dimensiones (volumétrica) en cualquier punto dentro del alcance operacional de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igualo inferior a (mejor que) (1,7 + L/1 000) micras (L es la longitud medida expresada en mm) ensayada según la norma ISO 10360-2 (2009); Nota técnica El E0,MPE error máximo permitido en la configuración más precisa de la CMM especificado por el fabricante (por ejemplo, mejor, de lo siguiente: la sonda, la longitud de la aguja, los parámetros de movimiento, el medio ambiente) y con todas las compensaciones disponibles se puede comparar con los 1,7 + L / 1000 micras umbralInstrumentos de medida de desplazamiento lineal y angular, según se indica: b. Instrumentos de desplazamiento lineal y angular de medida, como los siguientes: 1. Instrumentos de medida de desplazamiento lineal que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota técnica: A efectos del subartículo 2.B.6.b.1, se entenderá por desplazamiento lineal el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido. a. Sistemas de medida del tipo sin contacto que tengan una resolución igual o inferior a (mejor que) 0,2 micras dentro de una gama de medida igual o inferior a 0,2 mm; b. Sistemas de transformadores diferenciales de tensión lineal que cumplan todo lo siguiente: 1. Linealidad igual o inferior a (mejor que) 0,1 % dentro de una gama de medida igual o inferior a 5 mm; y

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	2. Deriva igual o inferior a (mejor que) 0,1 % por día a la temperatura ambiente normalizada de las salas de verificación ± 1 K; c. Sistemas de medida que cumplan todo lo siguiente: 1. Que contengan un láser; y 2. Que mantengan durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de 20° + 1 °C, todas las características siguientes: a. Una resolución, en toda la escala, igual o inferior a (mejor que) 0,1 micras; y b. Capaces de alcanzar una incertidumbre de medida, una vez compensado el índice de refracción del aire, igual o inferior a (mejor que) (0,2 + L/2 000) micras (L es la longitud medida expresada en mm); o d. Conjuntos electrónicos” diseñados especialmente para proporcionar capacidad de realimentación en los sistemas sometidos a control en el subartículo 2.B.6.b.1.c Nota: El subartículo 2.B.6.b.1. no somete a control los sistemas de medida con interferómetros, con un sistema de control automático que esté diseñado para no utilizar técnicas de realimentación, que contengan un “láser” para medir los errores de movimiento xxx xxxxx de las máquinas herramienta, de las máquinas de control dimensional o de equipos similares. 2. Instrumentos de medida del desplazamiento angular con una desviación de posición angular igualo inferior a (mejor que) 0,00025°; Nota: El subartículo 2.B.6.b.2. no somete a control los instrumentos ópticos, como los autocolimadores, que utilicen luz colimada (ej. luz láser) para detectar el desplazamiento angular de un espejo. c. Equipos destinados a medir irregularidades de superficie midiendo la dispersión (scatter) óptica en función xxx xxxxxx, con una sensibilidad igual o inferior a (mejor que) 0,5 nm. Nota: 2.B.6. incluye las máquinas de herramientas, que no sean los especificados por 2.B.1., que pueden ser utilizados como máquinas de medida si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas de medida
De las siguientes fracciones arancelarias:
9031.49.01	Instrumentos de medición de coordenadas.
	Unicamente: Máquinas de medida de coordenadas (MMC) controladas por ordenador, o bien por control numérico, que tengan un error máximo tolerado (EMTE) de indicación en tres dimensiones (volumétrica) en cualquier punto dentro del alcance operacional de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/1 000) micras (L es la longitud medida expresada en mm) ensayada según la norma ISO 10360-2 (2009).
9031.80.99	Los demás.
	Unicamente: Instrumentos de medida de desplazamiento lineal que tengan cualquiera de las características siguientes: a) sistemas de medida del tipo sin contacto que tengan una resolución igual o inferior a 0,2 micras dentro de una gama de medida igual o inferior a 0,2 mm; b) sistemas de transformadores diferenciales de tensión lineal con una linealidad igual o inferior a 0,1 % dentro de una gama de medida igual o inferior a 5 mm y deriva igual o inferior a 0,1 % por día a la temperatura ambiente normalizada de las salas de verificación ± 1 K; c) sistemas de medida que contengan un láser, y que mantengan durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de 20° + 1 °C, todas las características siguientes: una resolución, en toda la escala, igual o inferior a 0,1 micras, y capaces de alcanzar una incertidumbre de medida, una vez compensado el índice de refracción del aire, igual o inferior a (0,2 + L/2 000) micras (L es la longitud medida expresada en mm); o d) conjuntos electrónicos diseñados especialmente para proporcionar capacidad de realimentación en los sistemas sometidos a control en el subartículo 2.B.6.b.1.c. Así

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	como equipos destinados a medir irregularidades de superficie midiendo la dispersión (scatter) óptica en función xxx xxxxxx, con una sensibilidad igual o inferior a 0,5 nm.
	Grupo 2.B.7 Robots que tengan cualquiera de las características siguientes y controladores y efectores terminales diseñados especialmente para ellos: a. Ser capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; Nota técnica: La limitación relativa al análisis de escena no incluye la aproximación de la tercera dimensión mediante la visión bajo un ángulo dado, o limitado a la interpretación de una escala de grises para la percepción de la profundidad ola textura para las tareas autorizadas (2 1/2 D). b. Estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; Nota: El subartículo 2.B.7.b no somete a control los “robots” diseñados especialmente para cabinas de pintura. c. Estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o d. Estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8428.39.99	Los demás.
	Unicamente: Robots que tengan cualquiera de las características siguientes: sean capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m.
8428.90.99	Los demás.
	Unicamente: Robots que tengan cualquiera de las características siguientes: sean capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m.
8479.50.01	Robots industriales, no expresados ni comprendidos en otra parte.
	Unicamente: Robots que tengan cualquiera de las características siguientes: sean capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m.
8479.89.99	Los demás.
	Unicamente: Robots que tengan cualquiera de las características siguientes: sean capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; estar diseñados especialmente para

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m..
8479.90.99	Los demás.
	Unicamente: Robots que tengan cualquiera de las características siguientes: sean capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo; estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 x 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30,000 m.
8537.10.99	Los demás
	Unicamente: Controladores y efectores terminales diseñados especialmente para los robots comprendidos en el Grupo 2.B.7.
	Grupo 2.B.8 Conjuntos o unidades diseñados especialmente para máquinas herramienta o para sistemas y equipos de control dimensional o de medida, según se indica: a. Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (mejor que) (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); N.B.: Para los sistemas láser véase también los subartículos 2.B.6.c y d. b. Unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a (mejor que) 0,00025°; N.B.: Para los sistemas láser véase también la nota al subartículo 2.B.6.b.2. c. Mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8466.91.01	Para máquinas de la partida 84.64.
	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°.
8466.93.99	Las demás.
	Unicamente: mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
8466.94.99	Las demás.
	Unicamente: mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
8542.31.99	Los demás.

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	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°; y, mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°; y, mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°; y, mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
9031.80.99	Los demás.
	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°; y, mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
9031.90.99	Los demás.
	Unicamente: Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que tengan una exactitud global inferior a (800 + (600 x L x 10)) nm (siendo L la longitud efectiva en mm); unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que tengan una exactitud inferior a 0,00025°; y, mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.
	Grupo 2.B.9 Máquinas de conformación por rotación y máquinas de conformación por estirado que, de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador y que

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	tengan todas las características siguientes: a. Tener dos o más ejes controlados, de los que dos como mínimo puedan ser coordinados simultáneamente para el control de contorneado; y b. Una fuerza en rodillo superior a 60 kN. Nota técnica: A efectos del artículo 2.B.9, las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado (spin-forming y flow-forming) se consideran como máquinas de conformación por estirado.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8463.90.99	Las demás.
	Unicamente: Máquinas de conformación por rotación y máquinas de conformación por estirado que, de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador y que tengan dos o más ejes controlados, de los que dos como mínimo puedan ser coordinados simultáneamente para el control de contorneado; y una fuerza en rodillo superior a 60 kN.

Categoría 3: Electrónica
3.A. Sistemas, equipos y componentes Nota 1: El régimen de control de los equipos y componentes descritos en 3.A., distintos de los descritos en los artículos 3.A.1.a.3. a 3.A.1.a.10. o 3.A.1.a.12., que están especialmente diseñados o posean las mismas características funcionales que otros equipos, estará determinado por el estado de los otros equipos. Nota 2: El régimen de control de los circuitos integrados descritos en los artículos 3.A.1.a.3. a 3.A.1.a.9. o 3.A.1.a.12. que estén programados o diseñados de manera inalterable para una función específica para otros equipos, estará determinado por el régimen de control de los otros equipos. N.B.: Cuando el fabricante o el solicitante no pueda determinar el régimen de control de los otros equipos, el régimen de control de los circuitos integrados será el que determinen los artículos 3.A.1.a.3. a 3.A.1.a.9. y 3.A.1.a.12.
	Grupo 3.A.1 Componentes electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, según se indica: a. Circuitos integrados de uso general, según se indica: Nota 1: El régimen de control de las obleas (terminadas o no) cuya función esté determinada se evaluará en función de los parámetros establecidos en el subartículo 3.A.1.a. Nota 2: Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes: - Circuitos integrados monolíticos; - Circuitos integrados híbridos; - Circuitos integrados multipastilla; - Circuitos integrados peliculares, incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro; - Circuitos integrados ópticos. 1. Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación para resistir cualquiera de las siguientes dosis: a. Una dosis total igual o superior a 5 × 103 Gy (Si); b. Una tasa de dosis igual o superior a 5 x 106 Gy (Si)/s; o c. Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1 MeV) de 5 x 1013 n/cm2 o superior sobre silicona, o su equivalente para otros materiales;

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Nota: El subartículo 3.A.1.a.1.c. no se aplica a los semiconductores de aislador metálico (MIS).

2. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM),que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a 398 K (+125 °C);

b. Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (– 55 °C); o

c. Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218 K (– 55 °C) y 398 K (+125 °C);

Nota: El subartículo 3.A.1.a.2. no se aplica a los circuitos integrados para aplicaciones civiles para automóviles o ferrocarriles.

3. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y

microcircuitos de micro controlador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz;

Nota: El subartículo 3.A.1.a.3. incluye los procesadores de señales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales.

4. Sin uso desde 2010;

5. Circuitos integrados convertidores analógico-digital y digital-analógico, según se indica:

a. Convertidores analógico-digital que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una tasa de salida superior a 500 millones de palabras por segundo;

2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una tasa de salida superior a 300 millones de palabras por segundo;

3. Resolución de 12 bits con una tasa de salida superior a 200 millones de palabras por segundo;

4. Resolución superior a 12 bits, pero igual o inferior a 14 bits, con una tasa de salida superior a 125 millones de palabras por segundo; o

5. Resolución superior a 14 bits con una tasa de salida superior a 2.5 millones de palabras por segundo;

Notas técnicas:

1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de segundos niveles.

2. El número de bits en la palabra de salida es igual a la resolución del ADC.

3. La tasa de salida es la tasa de salida máxima del convertidor,

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independientemente de la arquitectura o sobre muestreo.

4. Por múltiples canales ADC, los resultados no se suman y la tasa de salida es la tasa de salida máxima de cualquier canal.

5. Para ADC intercalados o para el canal múltiple ADC, que son específicos para disponer de un modo de operación interpolado, los resultados se agregan y la tasa de salida es la máxima tasa de producción total combinada, de todas las salidas.

6. El proveedor también puede referirse a la tasa de salida como velocidad de muestreo, tasa de conversión o tasa de rendimiento. Suele expresarse en megaherzios (MHz) o muestras mega por segundo (MSPS).

7. Para el cálculo de la tasa de salida, una palabra de salida por segundo es equivalente a un Hertz o una muestra por segundo.

8. Los canales múltiples ADC se definen como dispositivos que integran más de un ADC, diseñado para que cada producto posea una entrada análoga separada.

9. Los ADC intercalados se definen como productos que tienen múltiples unidades de ADC que muestran la misma entrada analógica en diferentes momentos de tal manera que cuando los resultados son agregados, la entrada analógica ha sido efectivamente la muestra y se convierte en un porcentaje superior.

b. Convertidores de señal digital-analógica (CAD) que tenga cualquiera de las siguientes:

1. Una resolución de 10 bits o más con una frecuencia de actualización de ajuste de 3.500 MSPS o mayor, o

2. Una resolución de 12 bits o más con una frecuencia de actualización de ajuste igual o mayor de 1.250 MSPS y que tengan cualquiera de las siguientes:

a. Un tiempo de establecimiento menor de 9 ns a 0.024% de la escala completa de un paso a gran escala, o

b. Espurias de rango dinámico libre (SFDR) superior a 68 dBc (portador) al sintetizar una señal de escala analógica completo de 100 MHz o más alto el análogo a gran escala de frecuencia de la señal especificada por debajo de 100 MHz

Notas técnicas:

1. Espuria de rango dinámico libre (SFDR) se define como la relación entre el valor RMS de la frecuencia portadora (componente de la señal máxima) en la entrada del CAD con el valor RMS del ruido más grande siguiente o componente de distorsión armónica en su salida.

2. El SFDR se determina directamente de la tabla de especificaciones o de los gráficos de caracterización de SFDR contra la frecuencia.

3. Una señal se define como la escala completa cuando su amplitud es mayor que -3 dBFS (escala completa).

4. Ajuste de frecuencia de actualización para DAC:

a. Para convencionales (no interpolación) DAC, el índice de actualización ajustada es la tasa a la cual se convierte la señal digital a una señal analógica y los valores de salida analógica se cambian por el CAD. Para DAC el modo de interpolación puede ser evitado (factor de interpolación de

uno), el CAD debe ser considerado como un CAD

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convencional (no interpolación).

b. Para DAC interpolación (DAC sobre muestreo), la tasa de actualización ajustada se define como la velocidad de actualización de CAD, dividida por el factor más pequeño de interpolación. Para DAC de interpolación, la tasa de actualización ajustada puede hacer referencia a términos diferentes, incluyendo:

• Tasa de datos de entrada

• La entrada de la palabra tasa

• La entrada de frecuencia de muestreo

• Entrada máxima del índice total de autobús

• Velocidad máxima de reloj del CAD para la entrada de reloj del CAD.

6. Circuitos integrados electroópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales y que tengan las características siguientes:

a. Uno o más diodos láser internos;

b. Uno o más elementos foto detectores internos, y

x. Xxxx de ondas ópticas;

7. Dispositivos lógicos programables por el usuario que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Número máximo de entradas/salidas digitales superior a 200; o

b. Número de puertas de sistema superior a 230,000;

Nota: El subartículo 3.A.1.a.7. incluye:

- Dispositivos lógicos programables simples (SPLDs)

- Dispositivos Lógicos Programables Complejos (CPLDs)

- Conjuntos de Puertas Programables por el Usuario (FPGAs)

- Conjuntos Lógicos Programables por el Usuario (FPLAs)

- Interconectables Programables por el Usuario (FPICs)

Notas técnicas:

1. Los dispositivos lógicos programables por el usuario (field programmable logic devices) se conocen asimismo como puerta programable por el usuario (field programmable gate) o conjuntos lógicos programables por el usuario (field programmable logic arrays).

2. El número máximo de entradas/salidas digitales del

subartículo 3.A.1.a.7.a se denomina también número máximo de entradas/salidas de usuario o número máximo de entradas/salidas disponible, con independencia de que el circuito integrado esté encapsulado o sin encapsular.

8. Sin uso desde 1999;

9. Circuitos integrados para redes neuronales;

10. Circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Más de 1,500 terminales;

b. Un retardo por propagación en la puerta básica típico inferior a 0.02 ns; o

c. Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz;

11. Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3.A.1.a.3.a 3.A.1.a.10. ó 3.A.1.a.12., fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que tengan cualquiera de las

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características siguientes:

a. Un número de puertas equivalente superior a 3,000 (puertas de 2 entradas); o

b. Una frecuencia de conmutación superior a 1.2 GHz;

12. Procesadores de transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log, N)/20,480 ms, siendo N el número de puntos;

Nota técnica:

Si N es igual a 1,024 puntos, la fórmula que aparece en 3.A.1.a.12. Arroja un tiempo de ejecución de 500 μs.

b. Componentes de microondas o de ondas milimétricas, según se indica:

1. Tubos electrónicos de vacío y cátodos, según se indica:

Nota 1: El subartículo 3.A.1.b.1. no somete a control los tubos diseñados o tasados para funcionar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:

a. No superar los 31.8 GHz; y

b. Esté asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radio determinación.

Nota 2: El subartículo 3.A.1.b.1 no somete a control los tubos no calificados para uso espacial que cumplan todo lo siguiente:

a. Una potencia de salida media igual o menor a 50 W; y

b. Diseñados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:

1. Supere 31.8 GHz pero no supere 43.5 GHz, y

2. Esté asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radio determinación.

a. Tubos de ondas progresivas, de impulsos o continuas, según se indica:

1. Tubos que funcionen en frecuencias superiores a 31.8 GHz;

2. Tubos dotados de un elemento calefactor de cátodo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a 3 segundos;

3. Tubos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un ancho xx xxxxx fraccional superior al 7 % o una potencia de pico que exceda los 2.5 kW;

4. Tubos helicoidales, o los derivados de ellos, que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Ancho xx xxxxx instantánea superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 0.5;

b. Ancho xx xxxxx instantáneo igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 1; o

c. Ser calificados para uso espacial;

b. Tubos amplificadores xx xxxxxx cruzados con ganancia superior a 17 dB;

c. Cátodos impregnados diseñados para tubos electrónicos que produzcan una densidad de corriente en emisión continua, en las

condiciones de funcionamiento nominales, superior a 5 A/cm2;

2. Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 4W (36 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del15 %;

b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores

o iguales a 16 GHz, con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del10 %;

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Descripción

c. Tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior

a 0.8W (29 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %;

d. Tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a

0.1 nW;

e. Tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior

a 0.25W (24 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor de 10 %; o

f. Tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW;

Nota 1: Sin uso desde 2010.

Nota 2: El régimen de control de los MMIC cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de 3.A.1.b.2.a a 3.A.1.2b.2.f, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia de salida media más baja.

Nota 3: Las notas 1 y 2 en la introducción a la categoría 3 suponen que el subartículo 3.A.1.b.2. no somete a control los MMIC que hayan sido diseñados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, telecomunicaciones, radar, automóvil.

3. Transistores discretos de microondas que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz y con una potencia de salida media superior

a 60W (47.8 dBm);

b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz y con una potencia de salida media superior

a 20W (43 dBm);

c. Tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz y con una potencia de salida media superior

a 0.5W (27 dBm);

d. Tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz y con una potencia de salida media superior

a 1W (30 dBm); o

e. Tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.

Nota: El régimen de control de un transistor cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de 3.A.1.b.3.a. a 3.A.1b.3.e., vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia de salida media más baja.

4. Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido, que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior

a 60W (47.8 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 15 %;

b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior

a 15W (42 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %;

c. Tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a

0.1 nW;

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Descripción

d. Tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz y con una potencia de salida media superior

a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %;

e. Tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.1 nW o

f. Tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz y que cumplan todo lo siguiente:

1. Una potencia de salida media (en Watios), P, mayor de 150

dividido por el cuadrado dela frecuencia máxima de

funcionamiento (en GHz) [P>150W*GHz2/fGHz ];

2. Un ancho xx xxxxx fraccional mayor o igual del 5 %; y

3. Dos lados cualesquiera perpendiculares entre sí de longitud d (en cm) inferior o igual a 15 dividido por la frecuencia mínima de funcionamiento en GHz [d < 15 cm *GHz/fGHz].

Nota técnica:

El valor 3.2.GHz debe utilizarse como frecuencia mínima de funcionamiento (fGHz) en la fórmula del

subartículo 3.A.1.b.4.f.3, para los amplificadores con una gama tasada de funcionamiento que descienda hasta3.2 GHz y por debajo de [d< 15cm*GHz/3.2 GHz].

N.B.: Los amplificadores de potencia MMIC se deben evaluar con arreglo a los criterios de 3.A.1.b.2.

Nota1: Sin uso desde 2010.

Nota 2: El régimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones del subartículo 3.A.1.b.4.e., vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia de salida media más baja.

5. Filtros pasabanda o filtros supresores xx xxxxx sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de 1.5:1 (fmax/fmin) en menos de 10 μs, que tengan cualquiera de las características siguientes:

x. Xxxxx de paso de más de 0.5 % de la frecuencia central; o

x. Xxxxx de atenuación infinita de menos de 0.5 % de la frecuencia central;

6. Sin uso desde 2003;

7. Convertidores y mezcladores armónicos diseñados para extender la gama de frecuencia de los equipos descritos en los subartículos 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. o 3.A.2.f. más allá de los límites que allí se indican;

8. Amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos incluidos

en el subartículo 3.A.1.b.1. y que tengan las características siguientes:

a. Frecuencias de funcionamiento superiores a 3 GHz;

b. Un coeficiente de densidad de potencia de salida media por masa superior a 80 W/kg; y

c. Un volumen menor que 400 cm3;

Nota: El subartículo 3.A.1.b.8. no somete a control los equipos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que estén asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radio determinación.

9. Módulos de potencia de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un tubo de ondas progresivas, un circuito integrado monolítico de microondas y un acondicionador electrónico integrado de potencia, y que cumplan todo

lo siguiente:

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a. Un tiempo de activación que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de10 segundos;

b. Un volumen inferior a la potencia nominal máxima en vatios multiplicado por 10 cm3/W; y

c. Un ancho xx xxxxx instantáneo mayor que 1 octava (fmax.>2fmin.) y cualquiera de las siguientes características:

1. Para frecuencias iguales o inferiores a 18 GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a 100 W; o

2. Una frecuencia superior a 18 GHz;

Notas técnicas:

1. Para calcular el volumen de 3.A.1.b.9.b, se proporciona el siguiente ejemplo: para una potencia nominal máxima de 20 W, el volumen sería: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.

2. El tiempo de activación de 3.A.1.b.9.b se refiere al tiempo que tarda en pasar de totalmente apagado a plenamente operativo, es decir, incluye el tiempo de calentamiento del MPM.

10. Osciladores, o conjuntos de osciladores, diseñados para funcionar con todas las características siguientes:

a. Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que- (126 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 Hz< F<10 kHz; y

b. Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que- (114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F<

500 kHz;

Nota técnica:

En el subartículo 3.A.1.b.10, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.

11. Sintetizadores de frecuencias, conjuntos electrónicos con un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes características:

a. Menos de 312 ps;

b. Menos de 100 µs para cualquier cambio de frecuencia superior

a 1.6 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz pero no superior a 10.6 GHz;

c. Menos de 250 µs para cualquier cambio de frecuencia superior

a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a

10.6 GHz pero no superiores a 31.8 GHz;

d. Menos de 500 µs para cualquier cambio de frecuencia superior

a 550 MHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz pero no superiores a 43.5 GHz; o

e. Menos de 1 µs en el rango de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz.

N.B. Para los analizadores de señal de uso general, generadores de señales, analizadores de redes y receptores de microondas de pruebas, ver 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. y 3.A.2.f., respectivamente.

c. Dispositivos de ondas acústicas según se indica y componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas) y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Frecuencia portadora superior a 6 GHz;

b. Frecuencia portadora superior a 1 GHz pero no superior a 6 GHz y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Rechazo de lóbulos laterales superior a 65 dB;

2. Producto del retardo máximo (expresado en µs) por el ancho xx xxxxx (expresado en MHz) superior a 100;

3. Ancho xx xxxxx superior a 250 MHz; o

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4. Retardo de dispersión superior a 10 µs; o

c. Frecuencia portadora igual o inferior a 1 GHz y que tenga cualquiera de las características siguientes:

1. Producto del retardo máximo (expresado en µs) por el ancho xx xxxxx (expresado en MHz) superior a 100;

2. Retardo de dispersión superior a 10 µs; o

3. Rechazo de lóbulos laterales superior a 65 dB y ancho xx xxxxx superior a 100 MHz;

Nota técnica: El rechazo de lóbulos laterales es el valor máximo de rechazo especificado en la ficha técnica.

2. Dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz;

3. Dispositivos opto acústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución;

Nota: El subartículo 3.A.1.c no somete a control los dispositivos de ondas acústicas que están limitados a una sola función de filtrado paso banda, paso bajo, paso alto o supresor xx xxxxx, o a una función de resonancia.

d. Dispositivos y circuitos electrónicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales superconductores, diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la temperatura crítica de al menos uno de los constituyentes superconductores, y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas superconductoras con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipación de energía por puerta

(expresada en vatios) inferior a 10–14 J; o

2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q- superiores a 10,000;

e. Dispositivos de alta energía según se indica:

1. Células, según se indica:

a. Células primarias que tengan una densidad de energía superior a 550 Wh/kg a 20 °C;

b. Células secundarias que tengan una densidad de energía superior a 250 Wh/kg a 20 °C;

Notas técnicas:

1. A efectos de 3.A.1.e.1, la densidad de energía (Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la capacidad nominal en amperios-horas (Ah) dividida por la masa expresada en kilogramos. Si no figura la capacidad nominal, la densidad de energía se calcula a partir de la tensión nominal al cuadrado y luego multiplicada por la duración de la descarga, expresada en horas, dividida por la intensidad de la descarga expresada en ohmios y la masa en kilogramos.

2. A efectos de 3.A.1.e.1, una célula se define como un dispositivo electromecánico con electrodos positivos y negativos, un electrolito, y constituye una fuente de energía eléctrica. Es el elemento básico que compone una batería.

3. A efectos de 3.A.1.e.1.a, una célula primaria es una célula que no se ha diseñado para ser cargada por otra fuente.

4. A efectos de 3.A.1.e.1.b, una célula secundaria es una célula diseñada para ser cargada por una fuente eléctrica externa.

Nota: El subartículo 3.A.1.e.1. no somete a control las baterías, incluidas las de célula única.

2. Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía según

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se indica:

a. Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que tengan las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV;

2. Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg; y

3. Energía total igual o superior a 25 kJ;

b. Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que tengan las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV;

2. Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg;

3. Energía total igual o superior a 100 J; y

4. Vida útil igual o superior a 10,000 ciclos de carga/descarga;

3. Electroimanes o solenoides superconductores, diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que tengan las características siguientes:

Nota: El subartículo 3.A.1.e.3. no somete a control los electroimanes o solenoides superconductores diseñados especialmente para los equipos médicos de formación de imágenes por resonancia magnética(MRI).

a. Energía suministrada durante la descarga superior a 10 kJ en el primer segundo;

b. Diámetro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a 250 mm; y

c. Previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una densidad de corriente global en las bobinas superior a 300 A/mm2;

4. Células fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos xx xxxxxx para interconexiones de células(CIC), paneles solares y generadores fotoeléctricos, que son calificados para uso espacial, que tengan una eficiencia media mínima superior al 20 % a una temperatura de funcionamiento de 301 K (28°C) bajo una iluminación simulada AM0 con una irradiación de 1,367 watios por metro cuadrado (W/m2);

Nota técnica:

AM0 o masa de aire cero se refiere a la irradiación espectral de luz solar en la atmósfera más exterior de la tierra, cuando la distancia entre ésta y el sol es de una unidad astronómica (AU).

f. Codificadores de posición absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una exactitud superior o igual a (mejor que) ± 1.0 segundos de arco.

g. Dispositivos tiristor y módulos tiristor de conmutación de potencia pulsada de estado sólido que utilicen métodos de conmutación controlados eléctricamente, ópticamente o por radiación de electrones y que tengan alguna de las características siguientes:

1. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 30,000 A/μs,y una tensión en estado bloqueado superior

a 1,100 V; o

2. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 2,000 A/μs y que cumplan todo lo siguiente:

a. Una tensión nominal máxima en estado bloqueado igual o superior a

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3,000 V; y

b. Una corriente máxima (sobre intensidad) igual o superior a 3,000 A.

Nota 1: 3.A.1.g incluye:

- Rectificadores de silicio controlados (SCRs)

- Tiristores de activación eléctrica (ETTs

- Tiristores de activación lumínica (LTTs)

- Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCTs)

- Tiristores desactivables por puerta (GTOs)

- Tiristores controlados por transistor MOS (MCTs)

- Solidtrons

Nota 2: 3.A.1.g no somete a control los mecanismos tiristor y módulos tiristor incorporados a equipos diseñados para aplicaciones en líneas férreas civiles o aeronaves civiles.

Nota técnica:

A efectos de 3.A.1.g , un módulo tiristor contiene uno o más mecanismos tiristor.

h. Conmutadores, diodos o módulos de semiconductores de potencia de estado sólido, que tengan las características siguientes:

1. Tasados para una temperatura máxima de funcionamiento en el empalme superior a 488 K(215 °C);

2. Tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador (tensión de bloqueo) superior a 300 V; y

3. Corriente continúa superior a 1 A.

Nota 1: En el subartículo 3.A.1.h, la tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador incluye la tensión del drenaje a la fuente, la tensión del colector al emisor, la tensión inversa de pico repetitiva y la tensión de pico repetitiva de bloqueo con el elemento desactivador.

Nota 2: El subartículo 3.A.1.h incluye lo siguiente:

- Transistores de efecto campo de unión (JFETs)

- Transistores verticales de efecto campo de unión (VJFETs)

- Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFETs)

- Transistores xx xxxxx difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico(DMOSFETs)

- Transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs)

- Transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs)

- Transistores de unión bipolar (BJTs)

- Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCRs)

- Tiristores desactivables por puerta (GTOs)

- Tiristores desactivables por emisor (ETOs)

- Diodos PiN

- Diodos Schottky.

Nota 3: El subartículo 3.A.1.h no somete a control los conmutadores, diodos o módulos incorporados a equipos diseñados para aplicaciones de

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	automóviles civiles, ferrocarriles civiles o aeronaves civiles. Nota técnica: A efectos del subartículo 3.A.1.h, un módulo contiene uno o más conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado sólido.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8542.31.02	Circuitos integrados híbridos.
	Unicamente: Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación; microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM); microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz; circuitos integrados convertidores analógico-digital y digital- analógico; circuitos integrados electro ópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales; dispositivos lógicos programables por el usuario; circuitos integrados para redes neuronales; circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante; circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3.A.1.a.3.a 3.A.1.a.10. ó 3.A.1.a.12., fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera; y procesadores de transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log, N)/20,480 ms, siendo N el número de puntos, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1
8542.32.01	Circuitos integrados híbridos.
	Unicamente: Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación; microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM); microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz; circuitos integrados convertidores analógico-digital y digital- analógico; circuitos integrados electro ópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales; dispositivos lógicos programables por el usuario; circuitos integrados para redes neuronales; circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante; circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3.A.1.a.3.a 3.A.1.a.10. ó 3.A.1.a.12., fabricados a partir de un

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	semiconductor compuesto cualquiera; y procesadores de transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log, N)/20,480 ms, siendo N el número de puntos, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1.
8542.33.01	Circuitos integrados híbridos.
	Unicamente: Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación; microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM); microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz; circuitos integrados convertidores analógico-digital y digital- analógico; circuitos integrados electro ópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales; dispositivos lógicos programables por el usuario; circuitos integrados para redes neuronales; circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante; circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3.A.1.a.3.a 3.A.1.a.10. ó 3.A.1.a.12., fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera; y procesadores de transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log, N)/20,480 ms, siendo N el número de puntos, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1
8542.39.01	Circuitos integrados híbridos.
	Unicamente: Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación; microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida xx Xxxxxxx (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM); microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz; circuitos integrados convertidores analógico-digital y digital- analógico; circuitos integrados electro ópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales; dispositivos lógicos programables por el usuario; circuitos integrados para redes neuronales; circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante; circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3.A.1.a.3.a 3.A.1.a.10. ó 3.A.1.a.12., fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera; y procesadores de transformada rápida de

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Descripción

	Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log, N)/20,480 ms, siendo N el número de puntos, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 4W (36 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del15 %; b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del10 %; c) tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.8W (29 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %; d) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.1 nW; e) Tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.25W (24 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor de 10 %; o f) tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 4W (36 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del15 %; b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del10 %; c) tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.8W (29 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %; d) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.1 nW; e) tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.25W (24 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor de 10 %; o f) tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8542.33.99	Los demás.
	Unicamente: Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 4W (36 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del15 %; b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del10 %; c) tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.8W (29 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %; d) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.1 nW; e) tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.25W (24 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor de 10 %; o f) tasados para operar a frecuencias superiores

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Descripción

	a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 4W (36 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del15 %; b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del10 %; c) tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.8W (29 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor del 10 %; d) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.1 nW; e) tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz, con una potencia de salida media superior a 0.25W (24 dBm) y un ancho xx xxxxx fraccional mayor de 10 %; o f) tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8543.70.15	Amplificadores de bajo ruido, reconocibles como concebidos exclusivamente para sistemas de recepción de microondas vía satélite.
	Unicamente: Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido; amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos incluidos en el subartículo 3.A.1.b.1. , en los términos comprendidos en el artículo 3.A.1.
8543.70.16	Amplificadores de microondas.
	Unicamente: Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido; amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos incluidos en el subartículo 3.A.1.b.1. , en los términos comprendidos en el artículo 3.A.1.
8548.90.99	Los demás.
	Unicamente: Componentes de microondas o de ondas milimétricas.
8517.70.02	Filtros xx xxxxx pasante de cuarzo, cerámicos o mecánicos, reconocibles como concebidos exclusivamente Para equipos de radio-comunicación, excepto los filtros Para equipos receptores de tipo doméstico.
	Unicamente: Filtros pasabanda o filtros supresores xx xxxxx sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de1.5:1 (fmax/fmin) en menos de 10 μs, que tengan banda de paso de más de 0.5 % de la frecuencia central o banda de atenuación infinita de menos de 0.5 % de la frecuencia central.
8529.10.99	Las demás.
	Unicamente: Convertidores y mezcladores armónicos diseñados para extender la gama de frecuencia de los equipos descritos en los subartículos 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. o 3.A.2.f. más allá de los límites que allí se indican.
8529.90.05	Reconocibles como concebidas exclusivamente para sistemas de transmisión y/o recepción de microondas vía satélite o para generadores de señales de teletexto.
	Unicamente: Módulos de potencia de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un tubo de ondas progresivas, un circuito integrado monolítico de microondas y un acondicionador electrónico integrado de potencia, y que cumplan todo lo siguiente: a) un tiempo de activación que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de10 segundos; b) un volumen inferior a la potencia nominal máxima en vatios multiplicado por 10 cm3/W; y c) un ancho xx xxxxx instantáneo mayor que 1 octava (fmax.>2fmin.) y cualquiera de las siguientes características: para frecuencias iguales o inferiores a 18 GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a 100 W o una frecuencia superior a 18 GHz.
8529.90.99	Las demás.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	Unicamente: Convertidores y mezcladores armónicos diseñados para extender la gama de frecuencia de los equipos descritos en los subartículos 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. o 3.A.2.f. más allá de los límites que allí se indican.
8540.79.99	Los demás.
	Unicamente: Tubos electrónicos de vacío: tubos de ondas progresivas, de impulsos o continuas; tubos amplificadores xx xxxxxx cruzados con ganancia superior a 17 dB.
8540.99.99	Las demás.
	Unicamente: Cátodos impregnados diseñados para tubos electrónicos que produzcan una densidad de corriente en emisión continua, en las condiciones de funcionamiento nominales, superior a 5A/cm2.
8541.21.01	Con una capacidad de disipación inferior a 1 W.
	Unicamente: Transistores discretos de microondas que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz y con una potencia de salida media superior a 60W (47.8 dBm); b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz y con una potencia de salida media superior a 20W (43 dBm); c) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz y con una potencia de salida media superior a 0.5W (27 dBm); d) tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz y con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm); o e) tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8541.29.99	Los demás.
	Unicamente: Transistores discretos de microondas que tengan cualquiera de las características siguientes: a) tasados para operar a frecuencias superiores a 3.2 GHz e inferiores o iguales a 6.8 GHz y con una potencia de salida media superior a 60W (47.8 dBm); b) tasados para operar a frecuencias superiores a 6.8 GHz e inferiores o iguales a 31.8 GHz y con una potencia de salida media superior a 20W (43 dBm); c) tasados para operar a frecuencias superiores a 31.8 GHz e inferiores o iguales a 37.5 GHz y con una potencia de salida media superior a 0.5W (27 dBm); d) tasados para operar a frecuencias superiores a 37.5 GHz e inferiores o iguales a 43.5 GHz y con una potencia de salida media superior a 1W (30 dBm); o e) tasados para operar a frecuencias superiores a 43.5 GHz, y con una potencia de salida media superior a 0.1 nW.
8541.60.01	Cristales piezoeléctricos montados.
	Unicamente: Osciladores, o conjuntos de osciladores, diseñados para funcionar con todas las características siguientes: a) Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que- (126 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 Hz< F<10 kHz; y b) Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que- (114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F< 500 kHz.
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas); dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz; dispositivos optoacústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución; sintetizadores de frecuencias, conjuntos electrónicos con un tiempo de conmutación de frecuencias, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1.
8529.10.99	Las demás.
	Unicamente: Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas); dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz; dispositivos optoacústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución; sintetizadores de frecuencias, conjuntos electrónicos con un tiempo de

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	conmutación de frecuencias, en los términos comprendidos en el Grupo 3.A.1.
8541.60.01	Cristales piezoeléctricos montados.
	Unicamente: Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas); dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz; dispositivos optoacústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución.
8501.31.99	Los demás.
	Unicamente: Células primarias que tengan una densidad de energía superior a 550 Wh/kg a 20 °C, o Células secundarias que tengan una densidad de energía superior a 250 Wh/kg.
8501.32.99	Los demás.
	Unicamente: Células primarias que tengan una densidad de energía superior a 550 Wh/kg a 20 °C, o Células secundarias que tengan una densidad de energía superior a 250 Wh/kg.
8505.90.99	Los demás.
	Unicamente: Electroimanes o solenoides superconductores, diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que tengan todas las características del subartículo 3.A.2.1.b.
8532.25.99	Los demás.
	Unicamente: Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que tengan: tensión nominal igual o superior a 5 kV, densidad de energía igual o superior a 250 J/kg; y energía total igual o superior a 25 kJ; o condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que tengan las características siguientes: tensión nominal igual o superior a 5 kV, densidad de energía igual o superior a 50 J/kg, energía total igual o superior a 100 J, y vida útil igual o superior a 10,000 ciclos de carga/descarga.
8532.29.99	Los demás.
	Unicamente: Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que tengan: tensión nominal igual o superior a 5 kV, densidad de energía igual o superior a 250 J/kg; y energía total igual o superior a 25 kJ; o condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que tengan las características siguientes: tensión nominal igual o superior a 5 kV, densidad de energía igual o superior a 50 J/kg, energía total igual o superior a 100 J, y vida útil igual o superior a 10,000 ciclos de carga/descarga.
8541.40.01	Dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz.
	Unicamente: Células fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos xx xxxxxx para interconexiones de células(CIC), paneles solares y generadores fotoeléctricos, que son calificados para uso espacial, que tengan una eficiencia media mínima superior al 20 % a una temperatura de funcionamiento de301 K (28 °C) bajo una iluminación simulada AM0 con una irradiación de 1,367 watios por metro cuadrado (W/m2).
9031.80.99	Los demás.
	Unicamente: Codificadores de posición absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una exactitud superior o igual a (mejor que) ± 1.0 segundos de arco.
8541.30.99	Los demás.

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Descripción

	Unicamente: Dispositivos tiristor y módulos tiristor de conmutación de potencia pulsada de estado sólido que utilicen métodos de conmutación controlados eléctricamente, ópticamente o por radiación de electrones y que tengan alguna de las características siguientes: 1) una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 30,000 A/μs,y una tensión en estado bloqueado superior a 1,100 V; o 2) una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 2,000 A/μs y que cumplan una tensión nominal máxima en estado bloqueado igual o superior a 3,000 V; y una corriente máxima (sobre intensidad) igual o superior a 3,000 A.
8541.21.01	Con una capacidad de disipación inferior a 1 W.
	Unicamente: Transistores de efecto campo de unión (JFETs); transistores verticales de efecto campo de unión (VJFETs); transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFETs); transistores xx xxxxx difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFETs); transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs); transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs); transistores de unión bipolar (BJTs).
8541.29.99	Los demás.
	Unicamente: Transistores de efecto campo de unión (JFETs); transistores verticales de efecto campo de unión (VJFETs); transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFETs); transistores xx xxxxx difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFETs); transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs); transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs); transistores de unión bipolar (BJTs).
8541.30.01	Tiristores unidireccionales o bidireccionales (triacs), encapsulados en plástico, de hasta 40 amperes.
	Unicamente: Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCRs) o tiristores desactivables por puerta (GTOs).
8541.40.01	Dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz.
	Unicamente: Diodos PiN o diodos Schottky.
	Grupo 3.A.2 Equipos electrónicos de uso general y accesorios para ellos, según se indica: a. Equipos de grabación según se indica y las cintas magnéticas de prueba diseñadas especialmente para ellos: 1. Equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales (por ejemplo, utilizando un módulo de grabación digital de alta densidad (HDDR)) y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Ancho xx xxxxx superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos; b. Ancho xx xxxxx superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas; o c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG(Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0.1 μs; Nota: Los equipos de grabación analógica en cinta magnética diseñados especialmente para el uso en vídeo civil no se consideran equipos de grabación en cinta para instrumentación. 2. Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una

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Descripción

velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s;

Nota: El subartículo 3.A.2.a.2. no somete a control los equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética diseñados especialmente para la grabación de televisión usando un formato de señal normalizado o recomendado por la UIT (Unión Internacional de Telecomunicaciones), la CEI (Comisión Electrotécnica Internacional), la SMPTE (Society of Motion Picture and Television Engineers), la UER (Unión Europea de Radiodifusión), el ETSI (Instituto Europeo de Normas de Telecomunicación)o el IEEE (Instituto de ingenieros eléctricos y electrónicos) para aplicaciones civiles de la televisión. Dichos formatos de señal podrán incluir los formatos de señal comprimidos.

3. Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s; o

b. Calificados para uso espacial;

Nota: El subartículo 3.A.2.a.3. no somete a control los equipos de grabación analógica en cinta magnética equipados con electrónica de conversión para la grabación digital de alta densidad (HDDR) y configurados para grabar únicamente datos digitales.

4. Equipos que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s y estén diseñados para la conversión de equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética para su utilización como equipos de grabación digitales para instrumentación;

5. Digitalizadores de formas de onda y grabadores de transitorios, que cumplan todo lo siguiente:

a. Tasa de digitalización igual o superior a 200 millones de muestras por segundo y una resolución de 10 bits o superior; y

b. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 2 Gbits/s o superior;

Notas técnicas:

1. Para los instrumentos con arquitectura de bus paralelo, la tasa de tránsito continuo (continuous throughput) es la tasa más alta de palabras multiplicada por el número de bits por palabra.

2. Tránsito continuo (continuous throughput) es la tasa de datos más rápida que el instrumento puede dar como salida al almacenamiento de masa sin pérdida de ninguna información, sosteniendo la tasa de muestreo y la conversión analógico-digital.

a. Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan todo lo siguiente:

b. Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y

c. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior;

b. Sin uso desde 2009.

c. Analizadores de señal de radiofrecuencia, según se indica:

1. Analizadores de señales que tienen un ancho xx xxxxx de 3 dB (RBW) superior a 10 MHz, en cualquier lugar dentro del rango de frecuencia superior a 31.8 GHz pero no superior a 37.5 GHz;

2. Analizadores de señales que muestran Promedio Nivel de Ruido (DANL) inferior a (mejor que) -150 dBm / Hz en cualquier lugar dentro de la gama

de frecuencias superiores a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz;

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Descripción

3. Analizadores de señales que tiene una frecuencia superior a 70 GHz;

4. Analizadores de señales dinámicas con un ancho xx xxxxx en tiempo real superior a 40 MHz;

Nota: El subartículo 3.A.2.c.3. no somete a control los analizadores de señales dinámicas que utilicen únicamente filtros de ancho xx xxxxx de porcentaje constante (también llamados filtros de octavas o filtros de octavas parciales).

d. Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Especificados para generar una duración de impulso de menos de 100 ns en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 70 GHz;

2. Una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz;

3. Un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes características:

a. inferior a 312 ps;

b. inferior a 100 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 1.6 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz, pero que no supere los 10.6 GHz;

c. inferior a 250 μs para cualquier cambio de frecuencia superior

a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a

10.6 GHz, pero que no supere los 31.8 GHz;

d. inferior a 500 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz, pero que no supere los 43.5 GHz; o

e. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 56 GHz, o

f. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior

a 2.2 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero no superior a 70 GHz;

4. Una frecuencia sintetizada máxima superior a 3.2 GHz, que tenga todas las características siguientes:

a. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(126 + 20log10F –20 log10f), siendo 10 Hz<F<10 kHz; y

b. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz <

F<500 kHz;

Nota técnica:

En el subartículo 3.A.2.d.4, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.

5. Una frecuencia máxima sintetizada superior a 70 GHz;

Nota 1: A los efectos del subartículo 3.A.2.d, los generadores de señales de frecuencia sintetizada incluyen los generadores de función y de forma de onda arbitraria.

Nota 2: El subartículo 3.A.2.d. no somete a control los equipos en los que la frecuencia de salida se produce mediante la adición o la sustracción de dos o más frecuencias obtenidas mediante osciladores a cristal, o por una adición o sustracción seguida por una multiplicación del resultado.

Notas técnicas:

1. Generadores de función y de forma de onda arbitraria se especifican normalmente por la velocidad de muestreo (por ej., Gmuestras/s), convertida al dominio de radiofrecuencia por el factor Xxxxxxx de 2.

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Descripción

	De este modo, una forma de onda arbitraria de 1Gmuestra/s tiene una frecuencia de salida directa de 500 MHz. O, cuando se utiliza el sobre muestreo, la frecuencia máxima de salida directa resulta proporcionalmente inferior. 2. A los efectos del subartículo 3.A.2.d.1., la duración de pulso se define como el intervalo de tiempo transcurrido entre que el flanco de subida del pulso alcanza el 90 % del pico y el flanco de bajada del pulso alcanza el 10 % del pico. e. Analizadores de redes que tengan cualquiera de las siguientes características: 1. Máxima frecuencia de funcionamiento superiores a 43.5 GHz y potencia de salida superior a 31.62 mW (15 dBm), o 2. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 70 GHz; f. Receptores de prueba de microondas que tengan las características siguientes: 1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 43.5 GHz; y 2. Capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase; g. Patrones de frecuencia atómicos que sean cualquiera de los siguientes: 1. Calificados para uso espacial; 2. Que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que)1 × 10 –11/mes; o 3. No calificados para uso espacial y que cumplan todo lo siguiente: a. Que sea un patrón de rubidio; b. Estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10 –11/mes; y c. Consumo de potencia total inferior a 1 W.
De las siguientes fracciones:
8471.70.01	Unidades de memoria.
	Unicamente: Para equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales y que tengan cualquiera de la siguientes características: a. Ancho xx xxxxx superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos; b. Ancho xx xxxxx superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas; o c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG(Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0.1 μs; Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s; Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s; o b. Calificados para uso espacial; o Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan con lo siguiente: a. Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.
8471.90.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales y que tengan cualquiera de la siguientes características: a. Ancho xx xxxxx superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos; b. Ancho xx xxxxx superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas; o c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG(Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0.1 μs; Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s; Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Velocidad máxima de transferencia en la interfaz

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	digital superior a 175 Mbit/s; o b. Calificados para uso espacial; o Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan con lo siguiente: a. Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.
8521.10.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s.
8522.90.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s.
8543.70.99	Los demás
	Unicamente: Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan todo lo siguiente: a) Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b) Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.
8543.20.99	Los demás.
	Unicamente: Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) Especificados para generar una duración de impulso de menos de 100 ns en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 70 GHz; 2) Una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz; 3) Un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes características: a. inferior a 312 ps; b. inferior a 100 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 1.6 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz, pero que no supere los 10.6 GHz; c. inferior a 250 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 10.6 GHz, pero que no supere los 31.8 GHz; d. inferior a 500 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz, pero que no supere los 43.5 GHz; e. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 56 GHz, o f. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 2.2 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero no superior a 70 GHz; 4) Una frecuencia sintetizada máxima superior a 3.2 GHz, que tenga las características siguientes: a. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(126 + 20log10F –20 log10f), siendo 10 Hz<F<10 kHz; y b. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F<500 kHz; o 5) Una frecuencia máxima sintetizada superior a 70 GHz .
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) Especificados para generar una duración de impulso de menos de 100 ns en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 70 GHz; 2) Una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz; 3) Un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	características: a. inferior a 312 ps; b. inferior a 100 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 1.6 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz, pero que no supere los 10.6 GHz; c. inferior a 250 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 10.6 GHz, pero que no supere los 31.8 GHz; d. inferior a 500 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz, pero que no supere los 43.5 GHz; e. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 56 GHz, o f. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 2.2 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero no superior a 70 GHz; 4) Una frecuencia sintetizada máxima superior a 3.2 GHz, que tenga las características siguientes: a. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(126 + 20log10F –20 log10f), siendo 10 Hz<F<10 kHz; y b. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F<500 kHz; o 5) Una frecuencia máxima sintetizada superior a 70 GHz .
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Analizadores de redes que tengan cualquiera de las siguientes características: máxima frecuencia de funcionamiento superiores a 43.5 GHz y potencia de salida superior a 31.62 mW (15 dBm), o frecuencia máxima de funcionamiento superior a 70 GHz.
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Receptores de prueba de microondas que tengan: Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 43.5 GHz, y capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase.
8523.52.02	Partes.
	Unicamente: Para patrones de frecuencia atómicos que sean: 1) calificados para uso espacial; 2) que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que)1 × 10 –11/mes; o 3) no calificados para uso espacial y que cumplan todo lo siguiente: a. que sea un patrón de xxxxxxx; b. estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10 –11/mes; y c. consumo de potencia total inferior a 1 W.
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para patrones de frecuencia atómicos que sean: 1) calificados para uso espacial; 2) que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que)1 × 10 –11/mes; o 3) no calificados para uso espacial y que cumplan todo lo siguiente: a. que sea un patrón de xxxxxxx; b. estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10 –11/mes; y c. consumo de potencia total inferior a 1 W.
	Grupo 3.A.3. Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, y los componentes diseñados especialmente para ellos.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

De las siguientes fracciónes:
8424.89.99	Los demás.
	Unicamente: Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, y los componentes diseñados especialmente para ellos.
3.B. Equipo de producción, pruebas e inspección
	Grupo 3.B.1. Equipos para la fabricación de dispositivos o de materiales semiconductores, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: a. Equipos diseñados para crecimiento epitaxial según se indica: 1. Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm; Nota: El subartículo 3.B.1.a.1 incluye los equipos de epitaxia a capas atómicas (ALE). 2. Reactores de deposición química en fase vapor de organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento xx xxxxxxxxx de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3.C.3 ó 3.C.4; 3. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas. b. Equipos diseñados para la implantación iónica y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1. Una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV; 2. Diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV; 3. Capacidad de escritura directa; o 4. Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado. c. Equipos para el grabado, por plasma anisotrópico en seco según se indica: 1. Diseñados u optimizados para producir unas dimensiones críticas de 65 nm o menos, y 2. Dentro de la oblea de la falta de uniformidad igual o inferior a 10 3σ% medido con una exclusión del borde de 2 mm o menos; d. Equipos de deposición química en fase vapor (CVD) asistida por plasma según se indica: 1. Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm; 2. Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm; e. Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

de cámaras múltiples que tengan las características siguientes:

1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores especificados por 3.B.1.a., 3.B.1.b., 3.B.1.c. o 3.B.1.d.; y

2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

Nota: El subartículo 3.B.1.e. no somete a control los sistemas robotizados automáticos de manipulación de obleas que no estén especialmente diseñados para el procesamiento de la oblea paralela.

Notas técnicas:

1. A los efectos de 3.B.1.e., herramientas de proceso del semiconductor se refiere a las herramientas modulares que proporcionan los procesos físicos para la producción de semiconductores funcionalmente distintos, tales como la deposición, grabado, implante o del proceso de cocción.

2. A los efectos de 3.B.1.e., el tratamiento secuencial múltiple de las obleas: es la capacidad para procesar cada oblea en diferentes herramientas de proceso de semiconductores, mediante la transferencia de cada oblea de una herramienta a una segunda herramienta y luego a otra herramienta con la carga automática de cámaras múltiples de sistemas centrales de manipulación de obleas.

f. Equipos de litografía según se indica:

1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos foto ópticos o xx xxxxx X y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o

b. Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima sea igual o inferior a 95 nm;

Nota técnica:

El tamaño de la característica resoluble mínima se calcula mediante la siguiente fórmula:

CRM = (longitud de onda de la fuente de luz para la exposición en nm) × (factor K)

apertura numérica

siendo el factor K = 0.35

2. Equipos de impresión litografía que puedan producir características de 95 nm de base o menos:

Nota: 3.B.1.f.2. incluye:

- Instrumentos de impresión por micro contacto

- Instrumentos de troquelado en caliente

- Instrumentos de nanoimpresión litográfica

- Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash)

3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando métodos de escritura directa, que cumplan todo lo siguiente:

a. Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y

b. Que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Tamaño del haz en el impacto spot inferior a 0.2 micras;

2. Capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 µm; o

3. Exactitud de recubrimiento mejor que ± 0.20 micras (3 sigma);

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	g. Máscaras y retículas diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3.A.1; h. Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase. Nota: El subartículo 3.B.1.h. no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase, diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no sometidos a control por el artículo 3.A.1. x. Xxxxxxxxxx para impresión litográfica diseñadas para circuitos integrados especificados en 3.A.1.
De las siguientes fracciones:
8419.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.
8419.90.99	Los demás.
	Unicamente: Para reactores de deposición química en fase vapor de organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento xx xxxxxxxxx de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3.C.3 ó 3.C.4, o equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas.
	Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.
8479.89.99	Los demás.
	Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores especificados por 3.B.1.a., 3.B.1.b., 3.B.1.c. o 3.B.1.d.; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.
8479.90.99	Los demás.
	Unicamente: Para sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.
8486.10.01	Máquinas y aparatos para la fabricación de semiconductores en forma de monocristales periformes u obleas (“wafers”).
	Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.
8486.20.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.
	Unicamente: Equipos diseñados para la implantación iónica y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1. una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV; 2. diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV; 3. capacidad de escritura directa; o 4. una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado.
	Unicamente: Equipos de deposición química en fase vapor (CVD) asistida por plasma: 1) Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm; 2) Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.
	Unicamente: Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.
	Unicamente: Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando métodos de escritura directa, que cumplan todo lo siguiente: a. Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y b. que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) tamaño del haz en el impacto spot inferior a 0.2 micras; 2) capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 µm; y 3) exactitud de recubrimiento mejor que ± 0.20 micras (3 sigma).
8486.40.01	Máquinas y aparatos descritos en la Nota 9 C) de este Capítulo.
	Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.
	Unicamente: Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o xx xxxxx X y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o b. Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima sea igual o inferior a 95 nm.
8486.90.01	Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.10.01.
	Unicamente: Para equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.
8486.90.02	Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.20.01.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.
	Fracciones arancelarias adicionadas DOF 22/10/2012
	Grupo 3.B.2 Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: a. Para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	superiores a 31.8 GHz; b. Sin uso desde 2004. c. Para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.
De las siguientes fracciones:
9030.33.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31.8 GHz.
9030.82.01	Para medida o control de obleas (wafers) o dispositivos, semiconductores.
	Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31.8 GHz.
9030.89.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.
9031.80.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.
3.C. Materiales
	Grupo 3.C.1 Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos: a. Silicio (Si) x. Xxxxxxxx (Ge) c. Xxxxxxx xx xxxxxxx (SiC); o d. Compuestos III/V xx xxxxx o indio.
De la siguiente fracción:
3818.00.01	Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.
	Unicamente: Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de: Silicio (Si); Germanio (Ge); Xxxxxxx xx xxxxxxx (SiC); o Compuestos III/V xx xxxxx o indio.
	Grupo 3.C.2. Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección(resists) siguientes: a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm; b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor; c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de 2.5 mJ/mm2 o mejor;

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Descripción

	d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados; e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable. Nota técnica: Los métodos de sililación se definen como procesos que incluyen la oxidación de la superficie del material de protección con el fin de mejorar la realización del revelado tanto en húmedo como en seco.
De las siguientes fracciones:
3707.10.01	Emulsiones para sensibilizar superficies.
	Unicamente: Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección (resists) siguientes: a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm; b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor; c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de mJ/mm2 o mejor; d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados; o e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.
3905.99.99	Los demás.
	Unicamente: Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección (resists) siguientes: a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm; b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor; c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de mJ/mm2 o mejor; d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados; o e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.
	Grupo 3.C.3. Compuestos órgano-inorgánicos según se indica: a. Compuestos organometálicos de aluminio, xx xxxxx o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99.999 %; b. Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99.999 %. Nota: El artículo 3.C.3 sólo somete a control los compuestos cuyo componente metálico, parcialmente metálico o no metálico está directamente enlazado al carbono en la parte orgánica de la molécula.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

De la siguiente fracción:
2931.90.99	Los demás.
	Unicamente: Compuestos organometálicos de aluminio, xx xxxxx o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99.999 %; y Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99.999 %. Fracción reformada DOF 22/10/2012
	Grupo 3.C.4. Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99.999 %, incluso diluidos engases inertes o de hidrógeno. Nota: El artículo 3.C.4 no somete a control los hidruros que contienen el 20 % molar o más.
De la siguiente fracción:
2850.00.99	Los demás.
	Unicamente: Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99.999 %, incluso diluidos engases inertes o de hidrógeno.
	Grupo 3.C.5. Sustratos de xxxxxxx xx xxxxxxx (SiC), nitruro xx xxxxx (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro xx xxxxx-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.
De las siguientes fracciones:
3818.00.01	Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.
	Unicamente: Sustratos de xxxxxxx xx xxxxxxx (SiC), nitruro xx xxxxx (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro xx xxxxx-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.
8541.90.99	Las demás.
	Unicamente: De sustratos de xxxxxxx xx xxxxxxx (SiC), nitruro xx xxxxx (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro xx xxxxx-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.
2850.00.99	Los demás.
	Unicamente: Nitruro xx xxxxx (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro xx xxxxx- aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.
	Grupo 3.C.6. Sustratos incluidos en el artículo 3.C.5 con al menos una capa epitaxial de xxxxxxx xx xxxxxxx, nitruro xx xxxxx, nitruro de aluminio o nitruro xx xxxxx-aluminio.
De la siguiente fracción:
3818.00.01	Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.
	Unicamente: Sustratos incluidos en el artículo 3.C.5 con al menos una capa epitaxial de xxxxxxx xx xxxxxxx, nitruro xx xxxxx, nitruro de aluminio o nitruro xx xxxxx-aluminio.

CATEGORIA 4: COMPUTADORAS

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

Nota 1: Los ordenadores, el equipo conexo y el software que realicen funciones de telecomunicaciones o de redes de área local deberán evaluarse también con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). Nota 2: Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la memoria principal o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones descritos en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). N.B.: Para lo relacionado con el régimen de control del software diseñado especialmente para la conmutación de paquetes, véase la categoría 5.D.1 (Telecomunicaciones) Nota 3: Los ordenadores, el equipo conexo y el software que realicen funciones criptográficas, criptoanalíticas, de seguridad multinivel certificable o de aislamiento del usuario certificable, o que limiten la compatibilidad electromagnética (EMC), también se deberán evaluar con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, parte 2 (Seguridad de la información).
4.A. Sistemas, equipos y componentes
	Grupo 4.A.1 Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos: a. Diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: 1. Proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o Nota: El subartículo 4.A.1.a.1. no somete a control los ordenadores diseñados especialmente para automóviles civiles, trenes de ferrocarril o aplicaciones en aeronaves civiles. 2. Resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si) b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. Modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día; Nota: El subartículo 4.A.1.a.2. no aplica a los ordenadores diseñados especialmente para ser aplicados en aeronaves civiles. b. Sin uso desde 2009. N.B. Véase la Categoría 5 para computadoras y equipos electrónicos relacionados con la realización o la incorporación de funciones de seguridad de la información.
De las siguientes fracciones:
8471.30.01	Máquinas automáticas para tratamiento o procesamiento de datos, portátiles, de peso inferior o igual a 10 kg, que estén constituidas, al menos, por una unidad central de proceso, un teclado y un visualizador.
	Unicamente: Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.41.01	Que incluyan en la misma envoltura, al menos, una unidad central de proceso y, aunque estén combinadas, una unidad de entrada y una de salida.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	Unicamente: Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.49.01	Las demás presentadas en forma de sistemas.
	Unicamente: Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.50.01	Unidades de proceso, excepto las de las subpartidas 8471.41 u 8471.49, aunque incluyan en la misma envoltura uno o dos de los tipos siguientes de unidades: unidad de memoria, unidad de entrada y unidad de salida.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.60.99	Los demás.
	Unicamente: Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.70.01	Unidades de memoria.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8471.80.99	Los demás.
	Únicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45° C) o superior a 358 K (85° C); o resistentes a las

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

	radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5 × 103 Gy (Si), b. Modificación de la tasa de dosis 5 × 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1 × 10-8 errores/bit/día. Fracción Arancelaria Reformada DOF 13/12/2011
8473.30.01	Reconocibles como concebidas exclusivamente para máquinas y aparatos de la Partida 84.71, excepto circuitos modulares constituidos por componentes eléctricos y/o electrónicos sobre tablilla aislante con circuito impreso.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día. Fracción arancelaria reformada DOF 22/10/2012
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8528.41.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8528.51.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8528.61.01	De los tipos utilizados exclusiva o principalmente con máquinas automáticas para tratamiento o procesamiento de datos de la partida 84.71.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.

Fracción Arancelaria TIGIE

Descripción

8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores electrónicos y equipo conexo, que tengan cualquiera de las siguientes características, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes: proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); o resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5× 103 Gy (Si), b. Modificación de las tasa de dosis 5× 106 Gy (Si)/seg; o c. modificación por fenómeno único 1× 10-8 errores/bit/día.
	Grupo 4.A.3 Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, según se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos: Nota1: El artículo 4.A.3 incluye lo siguiente: - Los procesadores vectoriales; - Los conjuntos de procesadores; - Los procesadores de señales digitales; - Los procesadores lógicos; - Los equipos diseñados para resaltado de imagen; - Los equipos diseñados para proceso de señales. Nota 2: El régimen de control de los ordenadores digitales o equipo conexo descritos en el artículo 4.A.3 viene determinado por el régimen de control de los otros equipos o sistemas, siempre que: a. Los ordenadores digitales o equipo conexo sean esenciales para el funcionamiento de los otros equipos o sistemas; b. Los ordenadores digitales o equipo conexo no sean un elemento principal de los otros equipos o sistemas; y N.B.1: El régimen de control de los equipos de proceso de señales o de resaltado de imagen diseñados especialmente para otros equipos que

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posean funciones limitadas a las necesarias para los otros equipos viene determinada por la inclusión en el control de los otros equipos aunque se sobrepase el criterio de elemento principal.

N.B.2: En lo que se refiere a la inclusión en el control de los ordenadores digitales o equipo conexo Para equipos de telecomunicaciones, véase la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

c. La tecnología relativa a los ordenadores digitales y equipo conexo se rija por el artículo 4E.

a. Diseñados o modificados para tolerancia a fallos;

Nota: A los efectos del subartículo 4.A.3.a., los ordenadores digitales y equipo conexo no se consideran diseñados ni modificados para tolerancia a fallos si utilizan cualquiera de los siguientes elementos:

1. Algoritmos de detección o corrección de errores en la memoria principal;

2. La interconexión de dos ordenadores digitales de modo que, si falla la unidad central de proceso activa, una unidad central de proceso de reserva, imagen de la anterior, pueda mantener el funcionamiento del sistema;

3. La interconexión de dos unidades centrales de proceso mediante canales de datos o mediante el uso de memoria compartida, para permitir a una unidad central de proceso realizar otro trabajo hasta que falle la segunda unidad central de proceso, en cuyo momento la primera unidad central de proceso toma el relevo para mantener el funcionamiento del sistema; o

4. La sincronización de dos unidades centrales de proceso por medio del equipo lógico (software), de modo que una unidad central de proceso reconozca cuándo falla la otra unidad central de proceso y se haga cargo de sus tareas.

b. Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).

c. Conjuntos electrónicos diseñados especialmente o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupación de procesadores, de forma que el funcionamiento máximo ajustado del conjunto exceda el límite especificado en el subartículo 4.A.3.b.;

Nota 1: El subartículo 4.A.3.c. sólo somete a control los conjuntos electrónicos y a las interconexiones programables que no sobrepasen el límite especificado en el subartículo 4.A.3.b., cuando se expidan como conjuntos electrónicos no integrados. No somete a control los conjuntos electrónicos limitados intrínsecamente por la naturaleza de su diseño a su utilización como equipo conexo incluidos en el subartículo 4.A.3.e.

Nota 2: El subartículo 4.A.3.c. no somete a control los conjuntos electrónicos diseñados especialmente para un producto o una familia de productos cuya configuración máxima no sobrepase el límite especificado en el subartículo 4.A.3.b.

d. Sin uso desde 2001;

e. Equipos que realicen conversiones analógico-digitales es que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.

f. Sin uso desde 1998;

g. Equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los "ordenadores digitales" al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores

a 2.0 GB/s por enlace.

Nota: El subartículo 4.A.3.g. no somete a control los equipos de interconexión interna (por ejemplo backplanes, buses), los equipos pasivos de interconexión, los controladores de acceso a la red o los controladores

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	de canal de comunicaciones.
De las siguientes fracciones:
8443.99.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8471.30.01	Máquinas automáticas para tratamiento o procesamiento de datos, portátiles, de peso inferior o igual a 10 kg, que estén constituidas, al menos, por una unidad central de proceso, un teclado y un visualizador.
	Unicamente: Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8471.41.01	Que incluyan en la misma envoltura, al menos, una unidad central de proceso y, aunque estén combinadas, una unidad de entrada y una de salida.
	Unicamente: Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8471.49.01	Las demás presentadas en forma de sistemas.
	Unicamente: Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8471.50.01	Unidades de proceso, excepto las de las subpartidas 8471.41 u 8471.49, aunque incluyan en la misma envoltura uno o dos de los tipos siguientes de unidades: unidad de memoria, unidad de entrada y unidad de salida.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8473.30.01	Reconocibles como concebidas exclusivamente para máquinas y aparatos de la Partida 84.71, excepto circuitos modulares constituidos por componentes eléctricos y/o electrónicos sobre tablilla aislante con circuito impreso.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace. Fracción arancelaria reformada DOF 22/10/2012
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o

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	modificados para tolerancia a fallos.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, y los componentes diseñados especialmente para ellos: diseñados o modificados para tolerancia a fallos.
8471.30.01	Máquinas automáticas para tratamiento o procesamiento de datos, portátiles, de peso inferior o igual a 10 kg, que estén constituidas, al menos, por una unidad central de proceso, un teclado y un visualizador.
	Unicamente: Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8471.41.01	Que incluyan en la misma envoltura, al menos, una unidad central de proceso y, aunque estén combinadas, una unidad de entrada y una de salida.
	Unicamente: Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8471.49.01	Las demás presentadas en forma de sistemas.
	Unicamente: Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8471.50.01	Unidades de proceso, excepto las de las subpartidas 8471.41 u 8471.49, aunque incluyan en la misma envoltura uno o dos de los tipos siguientes de unidades: unidad de memoria, unidad de entrada y unidad de salida.
	Unicamente: Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 1.5 TeraFLOPS ponderados (WT).
8471.50.01	Unidades de proceso, excepto las de las subpartidas 8471.41 u 8471.49, aunque incluyan en la misma envoltura uno o dos de los tipos siguientes de unidades: unidad de memoria, unidad de entrada y unidad de salida.
	Unicamente: Conjuntos electrónicos diseñados especialmente o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupación de procesadores, de forma que el funcionamiento máximo ajustado del conjunto exceda el límite especificado en el subartículo 4.A.3.b.
8471.80.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8473.30.01	Reconocibles como concebidas exclusivamente para máquinas y aparatos de la Partida 84.71, excepto circuitos modulares constituidos por componentes eléctricos y/o electrónicos sobre tablilla aislante con circuito impreso.
	Unicamente: Para equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.

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Descripción

8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8523.52.02	Partes.
	Unicamente: Para equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8543.70.99	Los demás.
	Unicamente: Equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8543.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para equipos que realicen conversiones analógico-digitales que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3.A.1.a.5.
8471.80.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace.
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace.
8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace.
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0 GB/s por enlace.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para la agregación de los resultados de los ordenadores digitales al proporcionar las interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas de datos unidireccionales superiores a 2.0

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Descripción

	GB/s por enlace.
	Grupo 4.A.4 Ordenadores según se indica y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: a. Ordenadores de conjunto sistólico; b. Ordenadores neuronales; c. Ordenadores ópticos.
De las siguientes fracciones:
8471.41.01	Que incluyan en la misma envoltura, al menos, una unidad central de proceso y, aunque estén combinadas, una unidad de entrada y una de salida.
	Unicamente: Ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8471.49.01	Las demás presentadas en forma de sistemas.
	Unicamente: Ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8471.50.01	Unidades de proceso, excepto las de las subpartidas 8471.41 u 8471.49, aunque incluyan en la misma envoltura uno o dos de los tipos siguientes de unidades: unidad de memoria, unidad de entrada y unidad de salida.
	Unicamente: Ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8473.30.01	Reconocibles como concebidas exclusivamente para máquinas y aparatos de la Partida 84.71, excepto circuitos modulares constituidos por componentes eléctricos y/o electrónicos sobre tablilla aislante con circuito impreso.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos. Fracción arancelaria reformada DOF 22/10/2012
8517.70.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8529.90.99	Las demás.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8542.31.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8542.32.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.
8542.39.99	Los demás.
	Unicamente: Para ordenadores y equipo conexo, conjuntos electrónicos y

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Descripción

	componentes, diseñados especialmente para ellos: ordenadores de conjunto sistólico; ordenadores neuronales; u ordenadores ópticos.

Categoría 5, Parte 1: Telecomunicaciones Parte 1. Telecomunicaciones Nota 1: El régimen de control de los componentes, equipo de producción y de prueba y el software que están diseñados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones se determina en la Categoría 5, Parte 1. N.B.1. Para laseres especialmente diseñados para equipos o sistemas de telecomunicaciones, ver 6.A.5. N.B.2. Ver también la Categoría 5, Parte 2 para los equipos, componentes y software que realicen o incorporen funciones de seguridad de la información. Nota 2: Los ordenadores digitales, equipo conexo o software, cuando sean esenciales para el funcionamiento y soporte de equipos de telecomunicaciones descritos en esta categoría, se considerarán componentes diseñados especialmente siempre que sean los modelos standard suministrados por el fabricante. Esto incluye la operación, administración, mantenimiento, ingeniería o facturación.
5.A. Sistemas, equipos y componentes
	Grupo 5.A.1 Sistemas de telecomunicaciones, equipos, componentes y accesorios, como los siguientes: a. Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes: 1. Diseñado especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o los efectos de impulso electromagnético, ambos consecutivos a una explosión nuclear; 2. Endurecido especialmente para resistir la radiación gamma, neutrónica o iónica; o 3. Diseñado especialmente para funcionar fuera de la gama de temperaturas de 218 K (– 55 °C) a 397 K (124 °C). Nota: el subartículo 5.A.1.a.3. sólo es aplicable a los equipos electrónicos. Nota: Los subartículos 5.A.1.a.2. y 5.A.1.a.3. no someten a control los equipos diseñados o modificados para su uso a bordo de satélites. b. Sistemas de telecomunicaciones y equipos, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos, que posean cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes: 1. Sistemas de comunicaciones subacuáticos que posean cualquiera de las características siguientes: a. Frecuencia portadora acústica fuera de la gama de 20 kHz a 60 kHz; b. Que utilicen una frecuencia portadora electromagnética inferior a 30 kHz; c. Que utilicen técnicas electrónicas de orientación del haz; o d. Que utilicen láseres o diodos emisores de luz (LED’s) con una longitud de onda de salida superior a 400 nm e inferior a 700 nm, en una red de área local; 2. Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a 87,5 MHz y tengan todas las características siguientes: a. Predicción y selección automáticas de frecuencias y de tasas de transferencia digital totales por canal para optimizar la transmisión; y b. Que contengan una configuración de amplificador de potencia lineal con capacidad para soportar simultáneamente señales múltiples a una potencia de salida igual o superior a 1 kW en la gama de

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frecuencia igual o superior a 1,5 MHz pero inferior a 30 MHz, o igual o superior a 250W en la gama de frecuencia igual o superior a 30 MHz pero inferior a 87,5 MHz, sobre un ´´ancho xx xxxxx instantáneo´´ de una octava o más con un contenido de armónicos de salida y de distorsión mejor que – 80 dB;

3. Equipos de radio que utilicen técnicas de espectro ensanchado incluyendo el salto de frecuencia, no especificados por 5.A.1.b.4. y posean cualquiera de las características siguientes:

a. Códigos de ensanchamiento programables por el usuario; o

b. Un ancho xx xxxxx de transmisión total igual o superior a 100 veces el ancho xx xxxxx de cualquiera de los canales de información y superior a 50 kHz

Nota: El subartículo 5.A.1.b.3.b. no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones celulares civiles.

Nota: El subartículo 5.A.1.b.3. no somete a control los equipos que están diseñados para funcionar con una potencia de salida igual o menor que 1,0 watios

4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación ultraancha que tengan códigos de canalización, de embrollo o códigos de identificación de red, programables por el usuario, con alguna de las características siguientes:

a. Ancho xx xxxxx superior a 500 MHz; o

b. Ancho xx xxxxx fraccional de 20 % o más;

5. Receptores de radio controlados digitalmente que posean todas las características siguientes:

a. Más de 1 000 canales;

b. Un tiempo de conmutación de frecuencias inferior a 1 ms;

c. Búsqueda o exploración automática en una parte del espectro electromagnético; y

d. Identificación de las señales recibidas por el tipo de transmisor; o

Nota: El subartículo 5.A.1.b.5. no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones celulares civiles.

6. Que utilicen funciones de proceso de señales digital para proporcionar una salida de codificación de la voz a tasas inferiores a 2 400 bits/s.

Notas técnicas:

1. Para la codificación de la voz de ritmo variable, el subartículo

5.A.1.b.6. se aplica a la salida de codificaciónde la voz del discurso continuo.

2. A efectos del subartículo 5.A.1.b.6., la codificación de la voz se define como la técnica consistente en tomar muestras de voz humana y convertirlas en señales digitales, teniendo en cuenta las características específicas del habla.

c. Fibras ópticas de más de 500 m de longitud, con capacidad de soportar un ensayo de resistencia a la tracción igual o superior a 2 × 109 N/m2 según las especificaciones del fabricante;

N.B.: Para los cables umbilicales subacuáticos véase el subartículo 8.A.2.a.3.

Nota técnica:

Ensayos de resistencia: ensayos de producción en línea o fuera de línea selectivos que aplican dinámicamente un esfuerzo por tracción prescrito, a una fibra de 0,5 a 3 m de longitud a una velocidad de arrastre de 2 a 5 m/s mientras

pasa entre cabrestantes de 150 mm de diámetro aproximadamente. La temperatura ambiente y nominal es de 293 K (20 °C), y la humedad relativa

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	nominal, del 40 %. Pueden utilizarse normas nacionales equivalentes para realizar los ensayos de resistencia. d. Antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases que funcionen a más de 31,8 GHz. Nota: El subartículo 5.A.1.d. no somete a control las antenas orientables electrónicamente mediante ajuste defases para sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisfagan las normas de la Organización de Aviación Civil Internacional (OACI) que se refieren a los sistemas de microondas para aterrizajes (MLS). e. Equipos radiogoniométricos que funcionen a frecuencias mayores de 30 MHz y que cumplan todo lo siguiente, así como los componentes diseñados especialmente para ellos: 1. Un ancho xx xxxxx instantáneo igual o superior a 10 MHz; y 2. Capaz de encontrar una línea de marcación (LOB) con radio transmisores no cooperativos con una señal de duración inferior a 1 ms. f. Equipos de interferencia diseñados especialmente o modificados para interferir de forma intencional y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar servicios de telecomunicación móvil y realizar cualquiera de las funciones siguientes, así como los componentes diseñados especialmente para ellos: 1. Simular las funciones de un equipo de Redes de Acceso Radioeléctrico (RAN); 2. Detectar y explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, GSM); o 3. Explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, GSM); N.B.: Para el equipo de interferencia de GNSS, véase la Lista de Municiones. g. Sistemas o equipos de localización coherente pasiva (PCL), especialmente diseñados para detectar y rastrear objetos en movimiento midiendo reflexiones de emisiones de radio frecuencia del entorno, suministradas por transmisores no radares. Nota técnica: Los transmisores no radares pueden incluir estaciones de base comerciales de radio, televisión o telecomunicaciones celulares. Nota: El subartículo 5.A.1.g no somete a control ninguno de los equipos y sistemas siguientes: a. Equipos radioastronómicos; o b Sistemas o equipos que requieran una transmisión de radio desde el objetivo h. Equipos de transmisión de radio frecuencia (RF) diseñados o modificados para activar prematuramente o impedir la puesta en marcha de dispositivos explosivos improvisados (IED’s). N.B. también véase 5.A1.f y la Lista de Municiones.
De las siguientes fracciones arancelarias:
8517.61.01	Estaciones base
	Unicamente: Equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las características siguientes: este diseñado especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o los efectos de impulso electromagnético, ambos consecutivos a una explosión nuclear; endurecido especialmente para resistir la radiación gamma, neutrónica o iónica; o diseñado especialmente para funcionar fuera de la gama de temperaturas de 218 K (– 55 °C) a 397 K (124 °C).
8517.62.99	Los demás
	Unicamente: Equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las

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CUARTA SECCION PODER EJECUTIVO

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