ＩＢＭとＮＥＣエレクトロニクスが次世代半導体プロセス技術の共同開発に合意 ＩＢＭ（会長：サミュエル・J・パルミサーノ、本社：米国ニューヨーク州アーモンク、NYSE：
２００８年９月１１日
ＩＢＭコーポレーション ＮＥＣエレクトロニクス株式会社
ＩＢＭとＮＥＣエレクトロニクスが次世代半導体プロセス技術の共同開発に合意 ＩＢＭ（会長：xxxxx・X・xxxxxx、本社：米国ニューヨーク州アーモンク、NYSE：
ＩＢＭ）およびＮＥＣエレクトロニクス株式会社（社長：xx xx、本社：xx市、以下ＮＥ
Ｃエレクトロニクス）は、次世代半導体プロセス技術の開発を共同で行うことに合意し、本日、共同開発契約を締結いたしました。
今回の合意に基づき、ＮＥＣエレクトロニクスは３２ナノメートル（ナノは１０億分の１、以下ｎｍ）世代の次世代ＣＭＯＳプロセス技術の共同開発プロジェクトおよび将来の最先端半導体技術に関する先進的な基礎研究に参加します。ＮＥＣエレクトロニクスは、次世代シリコン技術の大幅な性能向上及び消費電力低減を加速させるための共同開発を行っているＩＢＭの共同開発アライアンスの８社目の半導体製造会社となります。
ＩＢＭで半導体研究開発センターを率いるバイス・プレジデントのxxxx・xxxx(Xxxx Xxxxxx)は、次のように述べています。「半導体の微細化がさらに進む中、それに伴う研究開発コストは益々高くなっています。私どもの他に類を見ない半導体研究開発協業モデルは、個々の投資負担を軽減しながら、より複雑化するデザインを可能にし、製品化のスピードを早め、次世代のプロセス材料や要素技術をより早く統合することを可能にします。」
ＮＥＣエレクトロニクスは、２００５年１１月に株式会社東芝（以下、東芝）と４５ｎｍ世代のＣＭＯＳプロセス技術の共同開発に合意して以来、２００７年１１月には３２ｎｍ世代まで共同開発契約を更新するなど、東芝との共同開発で順調な成果を挙げておりますが、これに加えて、ＩＢＭおよび東芝を含む半導体共同開発アライアンス・パートナーが行っている３２ｎｍ世代の基幹ＣＭＯＳプロセス共同開発プロジェクトと将来の先端プロセスの要素技術研究プロジェクトに参加します。ＩＢＭおよびその研究パートナーと共にＮＥＣエレクトロニクスは、共通プロセス・プラットフォームを開発し、システム･オン･チップ（ＳｏＣ）の開発、設計力を強化していきます。
ＮＥＣエレクトロニクスの代表取締役社長のxxxxは次のように述べています。「最先端の半導体分野では、各社が基幹プロセスだけで製品の差異化を図ることは難しくなってきており、むしろ世界の有力な半導体メーカーと共通的なプロセス技術を共同で開発することで、プロセス・プラットフォーム構築のコストをシェアすることが重要になっています。当社は、従来の東芝との共同開発に加えて、ＩＢＭとの共同開発に直接参加すること
により、世界の有力な半導体メーカーと共通的なプロセス・プラットフォームを開発し、その共通的なプラットフォームの上で、当社の優位性であるｅＤＲＡＭプロセスや高信頼、低消費電力といった付加価値を加えたシステムＬＳＩを早期に製品化することにより、ユーザーの期待に応えることを目指します。」
共同開発は、米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるＩＢＭの最先端３００ ｍｍ半導体工場および米国ニューヨーク州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設（College of Nanoscale Science and Engineering, Albany NanoTech)にて行われます。
なお、ＩＢＭの他の半導体共同開発パートナーは、チャータード・セミコンダクター、フリースケール・セミコンダクタ、インフィニオンテクノロジーズ、サムスン電子、STマイクロエレクトロニクスおよび東芝です。
以 上
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