研发独立. 公司设立了研究发展处一级部门，独立于控股股东，下设特殊技术发展部、设计支援部。设置了从制程开发、制程应用到质量研究、项目申报一套完整的研发体系，成为发行人研发和创新的有力保障。研究发展处负责新工艺、新技术、新产品的开发，实施科技成果转化为生产技术和产品，吸收消化创新外来技术，形成具有自主知识产权的特色工艺和专有技术。和舰芯片拥有专业研发人员 420余人，发行人研发人员独立于最终控股股东，通过长期自主研发公司形成了具有自主知识产权的 8 英寸核心技术体系，并且在自主开发出 0.11µm 嵌入式 pFlash低功耗工艺平台、0.11µm 嵌入式 pFlash 超低功耗工艺平台、0.11µm 嵌入式 EEPROM 低功耗工艺平台等 8 英寸先进和特色制程工艺，另外发行人还独自开发出 0.18µm 低导通电阻 BCD 工艺。上述 8 英寸特色工艺为发行人独有，与控股股东授权的 8 英寸技术形成明显的差异化优势。 公司通过自主研发和引进吸收以及在此基础上进行差异化开发形成自己完整的核心技术体系。 公司最先进制程为 28nm，是全球少数完全掌握 28nm Poly-SiON 和 28nm HKMG双工艺方法的晶圆制造企业之一。 公司拥有完整的 28nm、40nm、55nm、0.11µm 、0.13µm 、0.18µm 、0.25µm 、 0.35µm 、0.5µm 工艺技术平台，同时拥有嵌入式高压制程平台（eHV）、混合信号 /射频电路工艺技术、电源管理芯片制程工艺、eNVM 工艺技术（嵌入式非挥发性记忆体）等特色工艺，可满足市场上主要应用产品的需求，制程效能与良率已达到联华电子同等水平。 未来公司将持续改善研发激励机制，引进更多的优秀人才，加强在先进制程和特色工艺制程上的研发力度，提高公司的技术优势和竞争力。 报告期公司通过加大研发力度，取得了丰硕的研发成果，公司报告期研发投入、研发成果及在研项目情况如下： 公司最近三年研发投入占营业收入的比例如下： 研发投入 38,599.99 29,122.73 18,846.08 营业收入 369,403.22 335,988.64 187,764.48 研发投入占比 10.45% 8.67% 10.04% 公司最近三年主要研发成果如下：
