说明与日立金属签订《专利许可协议》具体到期日及续期是否存在实质性障碍，专利包中已过期专利对发行人经营的影响. 1、 说明与日立金属签订《专利许可协议》具体到期日及续期是否存在实质性障碍
2、 专利包中已过期专利对发行人经营的影响
（1） 发行人具有自主研发技术，不依赖于日立金属的授权专利 日立金属是烧结钕铁硼永磁材料的发明者，1983 年至 1990 年期间日立金属 就烧结钕铁硼永磁材料的基础成分申请获批了多项专利，这些专利权是生产烧结 钕铁硼永磁材料的基础，但该等基础成分专利均已过期失效。随着相关基础成分 专利权到期失效，钕铁硼材料的基础成分及通用生产过程成为行业内的公用技术。日立金属现有的专利体系与包括发行人在内的国内多家同行业公司自主研发形 成的专利技术均是对于基本成分专利的二次开发，但属于不同的技术方案。
1、 发明专利 ZL201811517935.1 钕铁硼产品自动刮涂设备 ZL201811609235.5 片状磁体磁控溅射镀膜工艺 ZL201911392729.7Dy 单原子渗透 物的制备方法及其使用方法 ZL202010606561.1 稀土永磁体的晶界扩散方法 ZL202010097843.3 钕铁硼表面渗透铽或镝的工艺方法 ZL202010230871.8 烧结钕铁硼表面附着重稀土的方法 ZL202210035895.7 一种节约 Dy 和 Tb 且提高永磁体矫顽力的永磁体及其制备方法 ZL202010097766.1 负载纳米薄膜改善烧结 NdFeB 晶界扩散的方法 2、实用新型 ZL201920648982.3 可变间距的吸盘工装 ZL201920648984.2 自动插片机 ZL201920174657.8 磁片清洗托盘 ZL201820465834.3 真空镀膜设备的冷却装置 ZL201821395568.8 钕铁硼产品镀膜前自动摆放装置 ZL202121428058.8 氮气保护箱体 在晶粒内部形核，而是优先在靠近晶界处，由于晶格畸变、杂质 等的影响产生的高能区出现。通过把重稀土沿晶界扩散入磁体内 部，再向晶粒外围扩散，形成高磁晶各向异性场的壳层，可以在 仅使用很少的重稀土的情况下大幅度提高磁体矫顽力。 公司创新开发了晶界强化工艺，包括：在合金和甩带阶段加入扩 散源的晶界强化工艺，用物理气相沉积方法在磁体表面施加重稀
1 晶界强化技术 土扩散源，用浆料涂覆法在磁体表面施加重稀土扩散源，并建立 所有领域 自主研发 了生产线。公司开发的技术优势在于可以在同一条生产线上处理 不同规格和形状的磁体，生产效率高，重稀土利用率高，产品一 致性高。 传统磁控溅射方法，材料利用率和生产效率低；传统涂覆法，无 法处理瓦形、环形的磁体通常需将产品翻面，处理产品的两个表 面才能完成整个工艺。公司的工艺创新特点为：产品经过一次涂 覆，重稀土利用率高，涂覆一致性好。
