协议签订的主要目的和背景. 碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间。根据 Yole 报告，2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元，年化复合增速约 30%。 虽然目前美、日、欧仍处于世界领先地位，但国内半导体厂商在积极发挥自身优势，大力布局第三代半导体行业，随着技术不断发展和成本的不断下降，中国的第三代半导体材料有望加速实现国产替代。 在此种背景下，英唐智控自 2019 年以来，就率先确立了打造第三代半导体研发、制造及销售的全产业链条的发展目标，并随着对 IDM 企业英唐微技术、功率器件研发设计公司上海芯石的收购逐步落地实施，并正计划通过改建、收购以及自建的形式不断深化公司在第三代半导体领域的产能布局。
协议签订的主要目的和背景. 公司拥有丰富的市场资源与系统的销售网络,现正在逐步转型为半导体 IDM企业，专注行业细分领域，模拟电路及模拟逻辑混合芯片的设计研发及制造。公司子公司日本英唐微技术有限公司拥有一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队，人数超过 130 多人，平均从业经验超过 12 年，在模拟电路设计领域具有深厚的技术积累。 传统 NOR 闪存拥有读取速度快、芯片内可执行代码等优势，但传统结构的 NOR 闪存无法突破 90nm 栅极长度的技术瓶颈，导致 NOR 闪存的记忆单元面积无 法降低到 10F2 以下，使其芯片成本居高不下，其应用场景往往被 DRAM+NAND 的 组合模式所替代，中天弘宇的研发团队在经过十多年的持续研究，完成了对传统 NOR 闪存机理和结构创新，其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术、发明及专 利成果，已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为：在不改变现有标准 CMOS 工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈，“在非易失存储领域属国际首创技术”。并且其拥有自主知识产权的独立式存储系列产品性能价格比优于市场上同类产 品。 中宇天智在传统嵌入式闪存基础上，创新了工作机理和器件结构，拥有自主知识产权的嵌入式闪存 IP，在全球嵌入式闪存尚未突破 28nm 的背景下，中宇天智的嵌入式闪存具备理论上可微缩到 5nm 的工艺制程的条件，并且性能价格比优于市场上同类 IP。同属世界首创技术。 三方的合作将以乙方、丙方的新型闪存技术在电源管理芯片的实际应用为突 破口，该应用已在全球领先的 90nmBCD(BiCMOS/CMOS)工艺平台上得到了验证， 验证结果突破了目前市场上电源管理芯片 130-180nm 的主流工艺制程水平， 90nmBCD 工艺在电源管理芯片的应用属于全球首创，拥有明显的能耗和成本优势，具有良好的产业化前景。根据赛迪顾问统计数据，2012-2018 年，国内电源管理 芯片市场规模从 430.68 亿元增长至 681.53 亿元，年复合增速达 7.95%。根据前 瞻产业研究院的统计和预测，全球电源管理芯片市场规模2018 年为250 亿美元， 预计到 2026 年全球市场规模将达到 565 亿美元，2018-2026 期间年复合增长率 (CAGR)为 10.69%，其中以中国大陆为主的亚太地区是未来最大增长区域市场。 甲、乙、丙的优势资源可以实现良好的结合互补，加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。因此三方基于良好的信任，从长远发展战略上的考虑，决定共同携手，在战略、资本及业务三个层面开展全面合作。三方均以优秀的企业理念与专业性，本着“互惠互利、稳定恒久、高效优质”的合作精神，结成深度的战略合作伙伴关系。
协议签订的主要目的和背景. 交易对方针对本次交易制定的融资方案为：收购联合创泰 100%股权的 14.8 亿人民币对价将由 60%的并购贷款、40%的自有资金组成。其中 40%的自有资金，即 5.92 亿人民币，来自于英唐创泰股东增资。为筹措资金，英唐创泰股东黄泽伟、彭红通过深圳市新创泰信息技术有限公司（以下简称“新创泰”，黄泽伟持股 70%、彭红持股 30%）增资英唐创泰，致使英唐创泰注册资本由 1 亿元增至 5.92 亿元，增资完成后，英唐创泰持股比例由彭红持股61%、黄泽伟持股39%调整为新创泰持股83.11%、黄泽伟持股11.82%、彭红持股 5.07%。 剩余 60%的并购贷款，即 8.88 亿人民币，由英唐创泰向 Z 信托公司进行申请，并在完成了向中国信托登记有限责任公司的预登记备案、融资协议的签订、本次交易对价支付所涉及的其他备案审批程序，包括不限于发改委、商务部备案审批及外管登记程序，